如 图 2-2 所示,为了克服二极管设计中的高功率损耗的缺点,另外可以选择使用压降或功率损耗(由于 Rdson 较低)要低得多的 MOSFET。不过,仍然有一些缺点,
- MOSFET 不是独立的设计,开启或关闭需要 MCU 控制。
- MCU 控制需要 PV 电池板供电,如果 PV 电池板严重损坏或完全被遮光覆盖,则 MCU 无法工作,然后 MOSFET 无法正确导通。
- 在 MCU 无法工作或失控的情况下,MOSFET 不会导通,现在旁路路径是寄生二极管。但是,寄生二极管不能承受大电流,而且会累积大量热量,最终存在火灾隐患。