ZHCAF88 April 2025 MSPM0C1103 , MSPM0C1103-Q1 , MSPM0C1104 , MSPM0C1104-Q1 , MSPM0C1105 , MSPM0C1106 , MSPM0C1106-Q1 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G1518 , MSPM0G1519 , MSPM0G3105 , MSPM0G3105-Q1 , MSPM0G3106 , MSPM0G3106-Q1 , MSPM0G3107 , MSPM0G3107-Q1 , MSPM0G3505 , MSPM0G3505-Q1 , MSPM0G3506 , MSPM0G3506-Q1 , MSPM0G3507 , MSPM0G3507-Q1 , MSPM0G3518 , MSPM0G3518-Q1 , MSPM0G3519 , MSPM0G3519-Q1 , MSPM0H3216 , MSPM0H3216-Q1 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1116 , MSPM0L1117 , MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L1303 , MSPM0L1304 , MSPM0L1304-Q1 , MSPM0L1305 , MSPM0L1305-Q1 , MSPM0L1306 , MSPM0L1306-Q1 , MSPM0L1343 , MSPM0L1344 , MSPM0L1345 , MSPM0L1346 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1
MSPM0 的电源管理单元 (PMU) 使用片上可配置的低压降 LDO 来生成 1.35V 的电源轨,为器件核心供电。通常,内核稳压器输出 (VCORE) 为内核逻辑(包括 CPU、数字外设和器件存储器)供电。对于某些 MSPM0 器件,其内部的 LDO 需要一个连接在器件 VCORE 引脚和 VSS(接地)之间的外部电容器 (CVCORE)。而对于有些 MSPM0器件,耦合电容器则集成在 IC 中。
LDO 无法即时响应瞬态情况。在流经导通元件的电流根据增加的负载进行调节之前,会发生延迟。在此延迟时间内,输出电容器需要提供全部的瞬态电流。因此,输出电容的数量和相关的寄生元件会极大地影响 LDO 电路的瞬态响应。与使用内部电容器相比,使用外部电容器对寄生电感更敏感,并会对高速数字电路产生的电源噪声在负载瞬态响应方面表现较差。图 6-5 展示了 Vcore 上的一个传导噪声示例。在此示例中,CVCORE 为 0.47uF,MSPM0 使用一个 NOP 运行。
图 6-5 MSPM0L 上 Vcore 的传导噪声为了提高 MCU 的 EMI 性能,建议使用低 ESR 电容器来降低寄生效应的影响。除了建议的 0.47μF 电容器外,用户还可以添加更多具有不同电容值的电容器,以覆盖目标频率范围。有关更多有关输出电容对 LDO EMI 性能影响的信息,请参阅 LDO 的 EMC 措施应用手册和了解 LDO 负载瞬态响应的模拟设计期刊应用手册。