ZHCAF88 April   2025 MSPM0C1103 , MSPM0C1103-Q1 , MSPM0C1104 , MSPM0C1104-Q1 , MSPM0C1105 , MSPM0C1106 , MSPM0C1106-Q1 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G1518 , MSPM0G1519 , MSPM0G3105 , MSPM0G3105-Q1 , MSPM0G3106 , MSPM0G3106-Q1 , MSPM0G3107 , MSPM0G3107-Q1 , MSPM0G3505 , MSPM0G3505-Q1 , MSPM0G3506 , MSPM0G3506-Q1 , MSPM0G3507 , MSPM0G3507-Q1 , MSPM0G3518 , MSPM0G3518-Q1 , MSPM0G3519 , MSPM0G3519-Q1 , MSPM0H3216 , MSPM0H3216-Q1 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1116 , MSPM0L1117 , MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L1303 , MSPM0L1304 , MSPM0L1304-Q1 , MSPM0L1305 , MSPM0L1305-Q1 , MSPM0L1306 , MSPM0L1306-Q1 , MSPM0L1343 , MSPM0L1344 , MSPM0L1345 , MSPM0L1346 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2EMC 及 EMC 标准
    1. 2.1 EMC
      1. 2.1.1 EMS
      2. 2.1.2 EMI
    2. 2.2 EMC 标准
      1. 2.2.1 EMC 标准类别
    3. 2.3 TI 的 EMC 和 IC 电气可靠性
  6. 3EMC 提升指南总结
    1. 3.1 PCB 设计指南
    2. 3.2 固件指南
  7. 4MSPM0 的 EMC 提升特性
    1. 4.1 敏感性防护特性
      1. 4.1.1 POR 和 BOR
      2. 4.1.2 NMI 和硬故障
      3. 4.1.3 I/O ESD 和设置
    2. 4.2 减少发射特性
      1. 4.2.1 时钟源
      2. 4.2.2 电源模式
      3. 4.2.3 封装
  8. 5EMS 测试分析
    1. 5.1 根本原因分析
      1. 5.1.1 永久损坏
      2. 5.1.2 可恢复故障
    2. 5.2 调试流程
  9. 6EMI 测试分析
    1. 6.1 根本原因分析
      1. 6.1.1 电力线
      2. 6.1.2 外部 Vcore
    2. 6.2 调试流程
  10. 7总结
  11. 8参考资料

4.2.1 时钟源

时钟信号是微控制器系统中 EMI 的一个主要来源。时钟噪声通过引入系统的电源传播，也直接从 MCU 封装发射，从而导致辐射 EMI。

对于时钟噪声，时钟频率和电流消耗是评估其影响的两个关键因素。时钟频率决定了噪声的频谱范围。电流消耗则是整体噪声强度的一个可靠指标。通常情况下，高时钟频率和高电流消耗会增加时钟噪声。

MSPM0 微控制器系列为用户提供了灵活的时钟选择。其中提供了多个内部和外部振荡器，用于生成供系统使用的低频至高频时钟。下面为用户提供了 MSPM0 时钟频率和电流消耗的汇总信息。

注： 启用外部 HFXT 时，切记需要禁用 SYSOSC。
表 4-5 MSPM0G 的时钟源
时钟类型 时钟源 时钟频率范围 测试条件 典型电流消耗
SYSPLL 内部 高达 80MHz fSYSPLLREF=32MHz，fVCO=160MHz 316uA
SYSOSC ≃4-32MHz fSYSOSC=4MHz 20uA
fSYSOSC=32MHz 80uA
fSYSOSC= 32MHz，启用 ROSC 90uA
LFOSC 32.768kHz LFOSC=32.768kHz 300nA
HFXT 外部 ≃4-48MHz fHFXT=4MHz，Rm=300Ω，CL=12pF 75uA
fHFXT=48MHz，Rm=30Ω，CL=12pF，Cm=6.26fF，Lm=1.76mH 600uA
LFXT 32.768kHz XT1DRIVE=0，LOWCAP=1 200nA

与外部时钟源相比，内部时钟源的电路布线更短，并且受到 MCU 结构屏蔽。外部时钟源具有较低的时钟抖动，而这也是一个重要的发射噪声源。因此，很难比较内部和外部时钟源之间的发射噪声。

一般的结论是，较低的时钟频率会产生较低的发射噪声。内部和外部时钟的选择需根据具体情况而定。