ZHCADQ3 January   2024 LM2005 , LM2101 , LM2103 , LM2104 , LM2105 , LM25101 , LM5100A , LM5100B , LM5100C , LM5101A , LM5101B , LM5101C , LM5102 , LM5104 , LM5105 , LM5106 , LM5107 , LM5108 , LM5109A , LM5109B , LM5109B-Q1 , LM5113-Q1 , SM72295 , SM74104 , UCC27200 , UCC27200-Q1 , UCC27200A , UCC27201 , UCC27201A , UCC27201A-Q1 , UCC27211 , UCC27211A , UCC27211A-Q1 , UCC27212 , UCC27212A-Q1 , UCC27282 , UCC27282-Q1 , UCC27284 , UCC27284-Q1 , UCC27288 , UCC27289 , UCC27301A , UCC27301A-Q1 , UCC27302A , UCC27302A-Q1 , UCC27311A , UCC27311A-Q1 , UCC27734 , UCC27734-Q1 , UCC27735 , UCC27735-Q1 , UCC27834 , UCC27834-Q1 , UCC27884 , UCC27884-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1启动运行
  5. 2设计注意事项
  6. 3正确确定自举电容器和 VDD 电容器的容值
  7. 4高功率连续运行
  8. 5设计注意事项
  9. 6总结
  10. 7参考文献

5 设计注意事项

缓解内部自举二极管上可能出现的过应力的方法与前述多相启动问题的相同。确定驱动高侧 MOSFET 所需的自举电容，但不要使电容值过大。考虑使用之前讨论的相同参数建议为外部自举二极管提供配置。为这些应用选择驱动器非常重要，例如 LM5101(A)、UCC2720x(A)、UCC27211A、UCC27301A 或 UCC27311A。此外，如果可以增加低侧 MOSFET 关断和高侧 MOSFET 导通之间的死区时间，则可以使自举二极管电流在开关节点上升之前降低到较低水平。

GUID-20240111-SS0I-BBPQ-9QFG-NFW5CLPCQ9FL-low.svg图 5-1 功率 MOSFET 体二极管示例 VF 与 IF 间的关系