ZHCAB45 June   2021 DRV3255-Q1 , DRV8300 , DRV8301 , DRV8302 , DRV8303 , DRV8304 , DRV8305 , DRV8305-Q1 , DRV8306 , DRV8307 , DRV8308 , DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R , DRV8340-Q1 , DRV8343-Q1 , DRV8350 , DRV8350F , DRV8350R , DRV8353 , DRV8353F , DRV8353R

 

  1. 大功率电机应用简介
    1. 1.1 设计不当的大功率电机驱动系统的影响
    2. 1.2 大功率设计流程的示例
  2. 简要研究大功率电机驱动系统
    1. 2.1 电机驱动功率级剖析及故障排除方法
    2. 2.2 大功率系统故障排除
  3. 通过 MOSFET 和 MOSFET 栅极电流实现大功率设计 (IDRIVE)
    1. 3.1 MOSFET 栅极电流
      1. 3.1.1 栅极电流为何会导致损坏
      2. 3.1.2 栅极电阻器和智能栅极驱动技术
        1. 3.1.2.1 栅极电阻器
        2. 3.1.2.2 智能栅极驱动和内部控制的栅极灌电流和拉电流
        3. 3.1.2.3 栅极电阻器和智能栅极驱动技术摘要
      3. 3.1.3 给定 FET 的栅极电流计算示例
  4. 通过外部元件实现大功率设计
    1. 4.1 大容量和去耦电容器
      1. 4.1.1 额定电容器电压说明
    2. 4.2 RC 缓冲器电路
    3. 4.3 高侧漏极到低侧源极电容器
    4. 4.4 栅极至 GND 二极管
  5. 通过并联 MOSFET 功率级实现大功率设计
  6. 通过保护实现大功率设计
    1. 6.1 VDS 和 VGS 监控
      1. 6.1.1 在过流、击穿或 FET 短路事件期间关闭 FET
    2. 6.2 无源栅极至源极下拉电阻
    3. 6.3 电源反极性或电源截断保护
  7. 通过电机控制方法实现大功率设计
    1. 7.1 制动与惯性滑行
      1. 7.1.1 基于算法的解决方案
      2. 7.1.2 外部电路解决方案
      3. 7.1.3 制动与惯性滑行摘要
  8. 通过布局实现大功率设计
    1. 8.1 什么是开尔文连接?
    2. 8.2 总体布局建议
  9. 结论
  10. 10鸣谢

通过并联 MOSFET 功率级实现大功率设计

为了增加半桥电路的电流传导能力,通常通过将 MOSFET 的漏极、源极和栅极连接在一起来并联多个 MOSFET。从理论上讲,要将上述多个并联 MOSFET 视为一个元件。

图 5-1 并联使用 MOSFET 以实现更高的载流能力

实际上,没有两个 MOSFET 是完全相同的。这意味着,一个 MOSFET 最终会先导通,一个 MOSFET 会承载更多电流。尽可能减小这种差异对于系统运行至关重要。驱动并联 MOSFET 应用简介中介绍了并联 MOSFET 设计背后的理论和流程。

下面总结了一些注意事项:

  • 为并联使用的 FET 的每个栅极添加一个电阻器,而不是为所有并联 FET 添加一个电阻器。失配的 MOSFET 栅极将相互振铃,它们之间没有额外的阻抗。
  • 使 FET 在物理层面上非常靠近并具有相似或相同的布局
  • 使栅极布线保持统一且厚度相等,并将它们拆分以非常靠近 FET 的栅极
  • 将 GHx 与 SHx 配对,将 GLx 与 SLx 布线配对,这些布线会路由回栅极驱动器,因此它们的长度和宽度类似
  • 源极和漏极连接应使用铜平面,而不仅仅是布线