ZHCAB45 June   2021 DRV3255-Q1 , DRV8300 , DRV8301 , DRV8302 , DRV8303 , DRV8304 , DRV8305 , DRV8305-Q1 , DRV8306 , DRV8307 , DRV8308 , DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R , DRV8340-Q1 , DRV8343-Q1 , DRV8350 , DRV8350F , DRV8350R , DRV8353 , DRV8353F , DRV8353R

 

  1. 1 大功率电机应用简介
    1. 1.1 设计不当的大功率电机驱动系统的影响
    2. 1.2 大功率设计流程的示例
  2. 2 简要研究大功率电机驱动系统
    1. 2.1 电机驱动功率级剖析及故障排除方法
    2. 2.2 大功率系统故障排除
  3. 3 通过 MOSFET 和 MOSFET 栅极电流实现大功率设计 (IDRIVE)
    1. 3.1 MOSFET 栅极电流
      1. 3.1.1 栅极电流为何会导致损坏
      2. 3.1.2 栅极电阻器和智能栅极驱动技术
        1. 3.1.2.1 栅极电阻器
        2. 3.1.2.2 智能栅极驱动和内部控制的栅极灌电流和拉电流
        3. 3.1.2.3 栅极电阻器和智能栅极驱动技术摘要
      3. 3.1.3 给定 FET 的栅极电流计算示例
  4. 4 通过外部元件实现大功率设计
    1. 4.1 大容量和去耦电容器
      1. 4.1.1 额定电容器电压说明
    2. 4.2 RC 缓冲器电路
    3. 4.3 高侧漏极到低侧源极电容器
    4. 4.4 栅极至 GND 二极管
  5. 5 通过并联 MOSFET 功率级实现大功率设计
  6. 6 通过保护实现大功率设计
    1. 6.1 VDS 和 VGS 监控
      1. 6.1.1 在过流、击穿或 FET 短路事件期间关闭 FET
    2. 6.2 无源栅极至源极下拉电阻
    3. 6.3 电源反极性或电源截断保护
  7. 7 通过电机控制方法实现大功率设计
    1. 7.1 制动与惯性滑行
      1. 7.1.1 基于算法的解决方案
      2. 7.1.2 外部电路解决方案
      3. 7.1.3 制动与惯性滑行摘要
  8. 8 通过布局实现大功率设计
    1. 8.1 什么是开尔文连接？
    2. 8.2 总体布局建议
  9. 9 结论
  10. 10鸣谢

5 通过并联 MOSFET 功率级实现大功率设计

为了增加半桥电路的电流传导能力，通常通过将 MOSFET 的漏极、源极和栅极连接在一起来并联多个 MOSFET。从理论上讲，要将上述多个并联 MOSFET 视为一个元件。

图 5-1 并联使用 MOSFET 以实现更高的载流能力

实际上，没有两个 MOSFET 是完全相同的。这意味着，一个 MOSFET 最终会先导通，一个 MOSFET 会承载更多电流。尽可能减小这种差异对于系统运行至关重要。驱动并联 MOSFET 应用简介中介绍了并联 MOSFET 设计背后的理论和流程。

下面总结了一些注意事项：

  • 为并联使用的 FET 的每个栅极添加一个电阻器，而不是为所有并联 FET 添加一个电阻器。失配的 MOSFET 栅极将相互振铃，它们之间没有额外的阻抗。
  • 使 FET 在物理层面上非常靠近并具有相似或相同的布局
  • 使栅极布线保持统一且厚度相等，并将它们拆分以非常靠近 FET 的栅极
  • 将 GHx 与 SHx 配对，将 GLx 与 SLx 布线配对，这些布线会路由回栅极驱动器，因此它们的长度和宽度类似
  • 源极和漏极连接应使用铜平面，而不仅仅是布线