ZHCAAB9E February   2021  – March 2021 TPS1H000-Q1 , TPS1H100-Q1 , TPS1H200A-Q1 , TPS1HA08-Q1 , TPS25200-Q1 , TPS27S100 , TPS2H000-Q1 , TPS2H160-Q1 , TPS2HB16-Q1 , TPS2HB35-Q1 , TPS2HB50-Q1 , TPS4H000-Q1 , TPS4H160-Q1

 

  1.   商标
  2. 1引言
  3. 2驱动电阻性负载
    1. 2.1 背景
    2. 2.2 应用示例
    3. 2.3 为何使用智能高侧开关？
      1. 2.3.1 精确的电流检测
      2. 2.3.2 可调电流限制
    4. 2.4 选择合适的智能高侧开关
      1. 2.4.1 功率耗散计算
      2. 2.4.2 PWM 和开关损耗
  4. 3驱动电容性负载
    1. 3.1 背景
    2. 3.2 应用示例
    3. 3.3 为何使用智能高侧开关？
      1. 3.3.1 电容性负载充电
      2. 3.3.2 减小浪涌电流
        1. 3.3.2.1 电容器充电时间
      3. 3.3.3 热耗散
      4. 3.3.4 电容性浪涌期间的结温
      5. 3.3.5 过热关断
      6. 3.3.6 选择正确的智能高侧开关
  5. 4驱动电感性负载
    1. 4.1 背景
    2. 4.2 应用示例
    3. 4.3 为何使用智能高侧开关？
    4. 4.4 导通阶段
    5. 4.5 关断阶段
      1. 4.5.1 退磁时间
      2. 4.5.2 退磁期间的瞬时功率损耗
      3. 4.5.3 退磁期间耗散的总能量
      4. 4.5.4 测量精度
      5. 4.5.5 应用示例
      6. 4.5.6 计算
      7. 4.5.7 测量
    6. 4.6 选择正确的智能高侧开关
  6. 5驱动 LED 负载
    1. 5.1 背景
    2. 5.2 应用示例
    3. 5.3 LED 直接驱动
    4. 5.4 LED 模块
    5. 5.5 为何使用智能高侧开关？
    6. 5.6 开路负载检测
    7. 5.7 负载电流感测
    8. 5.8 恒流源
      1. 5.8.1 选择正确的智能高侧开关
  7. 6附录
    1. 6.1 瞬态热阻抗数据
    2. 6.2 退磁能量特性数据
  8. 7参考文献
  9. 8修订历史记录

3.1 背景

TI 的智能高侧开关可用于驱动并维持通常高达 4mF 的大容量电容性负载。根据上电时的上升时间，此负载输出电容会导致大浪涌电流，而这些浪涌电流仅受接线和互连中存在的寄生电阻和电感的限制。某些情况下的浪涌电流会超过 100A。像这样的高电流可能会导致输入电源电压下降，从而损害系统中的其他电路或导致故障。

为了防止出现这些问题，可使用智能高侧开关来限制电流并通过对电容性负载进行线性充电来降低浪涌电流。为了使用智能高侧开关有效驱动电容性负载，有必要了解开关在限制电流时的热耗散影响，因为可在器件内部观察到大功率水平。在理论上正确理解充电过程以及实际理解对智能高侧开关的选择，使工程师能够设计出合适的输出级，确保输出级具有安全高效的电容性负载驱动，同时最大限度地降低系统成本。

在本部分中，我们将深入探讨驱动电容性负载时需要考虑的因素。在研究用于限制浪涌电流的智能高侧开关的系统优势之前，我们将首先讨论一些存在电容性负载的应用。然后，我们将探讨驱动电容性负载在智能高侧开关中产生的热冲击，以及如何在系统中减轻这种影响。最后，我们将讨论如何根据特定的负载曲线，选择合适的高侧开关。