ZHCA829G October   2014  – August 2021 MSP430F2001 , MSP430F2002 , MSP430F2003 , MSP430F2011 , MSP430F2012 , MSP430F2013 , MSP430F2013-EP , MSP430F2101 , MSP430F2111 , MSP430F2112 , MSP430F2121 , MSP430F2122 , MSP430F2131 , MSP430F2132 , MSP430F2232 , MSP430F2234 , MSP430F2252 , MSP430F2254 , MSP430F2272 , MSP430F2274 , MSP430F2274-EP , MSP430F233 , MSP430F2330 , MSP430F235 , MSP430F2350 , MSP430F2370 , MSP430F2410 , MSP430F2416 , MSP430F2417 , MSP430F2418 , MSP430F2419 , MSP430F247 , MSP430F2471 , MSP430F248 , MSP430F2481 , MSP430F249 , MSP430F249-EP , MSP430F2491 , MSP430F2616 , MSP430F2617 , MSP430F2618 , MSP430F2619 , MSP430F2619S-HT , MSP430FR2032 , MSP430FR2033 , MSP430FR2110 , MSP430FR2111 , MSP430FR2153 , MSP430FR2155 , MSP430FR2310 , MSP430FR2311 , MSP430FR2353 , MSP430FR2355 , MSP430FR2433 , MSP430FR2475 , MSP430FR2476 , MSP430FR2532 , MSP430FR2533 , MSP430FR2632 , MSP430FR2633 , MSP430FR2672 , MSP430FR2673 , MSP430FR2675 , MSP430FR2676 , MSP430FR4131 , MSP430FR4132 , MSP430FR4133 , MSP430G2001 , MSP430G2101 , MSP430G2102 , MSP430G2111 , MSP430G2112 , MSP430G2121 , MSP430G2131 , MSP430G2132 , MSP430G2152 , MSP430G2153 , MSP430G2201 , MSP430G2202 , MSP430G2203 , MSP430G2210 , MSP430G2211 , MSP430G2212 , MSP430G2213 , MSP430G2221 , MSP430G2230 , MSP430G2230-EP , MSP430G2231 , MSP430G2231-EP , MSP430G2232 , MSP430G2233 , MSP430G2252 , MSP430G2253 , MSP430G2302 , MSP430G2302-EP , MSP430G2303 , MSP430G2312 , MSP430G2313 , MSP430G2332 , MSP430G2332-EP , MSP430G2333 , MSP430G2352 , MSP430G2353 , MSP430G2402 , MSP430G2403 , MSP430G2412 , MSP430G2413 , MSP430G2432 , MSP430G2433 , MSP430G2444 , MSP430G2452 , MSP430G2453 , MSP430G2513 , MSP430G2533 , MSP430G2544 , MSP430G2553 , MSP430G2744 , MSP430G2755 , MSP430G2855 , MSP430G2955 , MSP430I2020 , MSP430I2021 , MSP430I2030 , MSP430I2031 , MSP430I2040 , MSP430I2041

 

  1.   商标
  2. 1 引言
  3. 2 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 器件的比较
  4. 3 非易失性存储器的系统内编程
    1. 3.1 铁电 RAM (FRAM) 概述
    2. 3.2 FRAM 单元
    3. 3.3 使用存储器写保护位来保护 FRAM
    4. 3.4 FRAM 存储器等待状态
    5. 3.5 引导加载程序 (BSL)
    6. 3.6 JTAG 和安全性
    7. 3.7 生产编程
  5. 4 硬件迁移注意事项
  6. 5 器件校准信息
  7. 6 重要器件规格
  8. 7 内核架构注意事项
    1. 7.1 电源管理模块 (PMM)
      1. 7.1.1 内核 LDO 和 LPM3.5 LDO
      2. 7.1.2 SVS
      3. 7.1.3 VREF
      4. 7.1.4 在低功耗模式下调试
    2. 7.2 时钟系统
      1. 7.2.1 DCO 频率
      2. 7.2.2 FLL、REFO 和 DCO 抽头
      3. 7.2.3 16MHz 的 FRAM 访问、ADC 时钟和按需时钟
    3. 7.3 工作模式、唤醒时间和复位
      1. 7.3.1 LPMx.5
      2. 7.3.2 复位
        1. 7.3.2.1 POR 和 BOR 行为
        2. 7.3.2.2 生成复位
        3. 7.3.2.3 确定复位原因
    4. 7.4 中断矢量
    5. 7.5 FRAM 和 FRAM 控制器
      1. 7.5.1 闪存和 FRAM 概况比较
      2. 7.5.2 缓存架构
  9. 8 外设注意事项
    1. 8.1  看门狗计时器
    2. 8.2  端口
      1. 8.2.1 数字输入/输出
      2. 8.2.2 电容式触控 I/O
    3. 8.3  模数转换器
      1. 8.3.1 比较 ADC10 与 ADC
    4. 8.4  通信模块
      1. 8.4.1 比较 USI 与 eUSCI
      2. 8.4.2 比较 USCI 与 eUSCI
    5. 8.5  计时器和红外调制逻辑
    6. 8.6  备用存储器
    7. 8.7  硬件乘法器 (MPY32)
    8. 8.8  RTC 计数器
    9. 8.9  中断比较控制器 (ICC)
    10. 8.10 LCD
    11. 8.11 智能模拟组合 (SAC)
    12. 8.12 比较器
  10. 9 ROM 库
  11. 10结论
  12. 11参考文献
  13. 12修订历史记录

8.12 比较器

与 F2xx 中的 Comparator_A+ 相比，FR4xx 中的增强型比较器 (eCOMP) 模块经过重新设计可降低功耗，而且还包含了一些新特性。一些显著的差异包括：

  • eCOMP 模块集成了一个可提供基准电压输入的 6 位 DAC。DAC 具有双缓冲器片上基准电压选项。双缓冲器可设置不同的值，使两个不同的 DAC 输出电压作为 eCOMP 基准输入。在 F2xx 中，电压基准发生器能够产生器件的部分 VCC 或约为 0.55V 的固定晶体管阈值电压。
  • 根据选择的功率模式，eCOMP 可在高功率（高速）或低功耗（低速）模式下工作。该模块还具有不同的阶跃迟滞配置，用于改善比较性能。
  • 输入短路开关可用于短接 Comparator_A+ 输入，从而为比较器提供一个简单的采样保持电路。输入短路开关在 eCOMP 中不可用。
  • 对于 Comparator_A+，引脚输入和输出缓冲器可由软件控制。eCOMP 不支持该特性。
  • eCOMP 中有两个中断标志，而 Comparator_A+ 中只有一个中断标志。借助一个增加的中断标志，eCOMP 能够多支持一种中断模式：双边沿模式（可触发上升沿或下降沿）。
  • 清除 eCOMP 中断标志的方法是写入 1，清除 Comparator_A+ 中断标志的方法是写入 0。

部分 FR4xx 器件提供 eCOMP 模块。相关详细信息，请参阅器件特定数据表。