ZHCA829G October   2014  – August 2021 MSP430F2001 , MSP430F2002 , MSP430F2003 , MSP430F2011 , MSP430F2012 , MSP430F2013 , MSP430F2013-EP , MSP430F2101 , MSP430F2111 , MSP430F2112 , MSP430F2121 , MSP430F2122 , MSP430F2131 , MSP430F2132 , MSP430F2232 , MSP430F2234 , MSP430F2252 , MSP430F2254 , MSP430F2272 , MSP430F2274 , MSP430F2274-EP , MSP430F233 , MSP430F2330 , MSP430F235 , MSP430F2350 , MSP430F2370 , MSP430F2410 , MSP430F2416 , MSP430F2417 , MSP430F2418 , MSP430F2419 , MSP430F247 , MSP430F2471 , MSP430F248 , MSP430F2481 , MSP430F249 , MSP430F249-EP , MSP430F2491 , MSP430F2616 , MSP430F2617 , MSP430F2618 , MSP430F2619 , MSP430F2619S-HT , MSP430FR2032 , MSP430FR2033 , MSP430FR2110 , MSP430FR2111 , MSP430FR2153 , MSP430FR2155 , MSP430FR2310 , MSP430FR2311 , MSP430FR2353 , MSP430FR2355 , MSP430FR2433 , MSP430FR2475 , MSP430FR2476 , MSP430FR2532 , MSP430FR2533 , MSP430FR2632 , MSP430FR2633 , MSP430FR2672 , MSP430FR2673 , MSP430FR2675 , MSP430FR2676 , MSP430FR4131 , MSP430FR4132 , MSP430FR4133 , MSP430G2001 , MSP430G2101 , MSP430G2102 , MSP430G2111 , MSP430G2112 , MSP430G2121 , MSP430G2131 , MSP430G2132 , MSP430G2152 , MSP430G2153 , MSP430G2201 , MSP430G2202 , MSP430G2203 , MSP430G2210 , MSP430G2211 , MSP430G2212 , MSP430G2213 , MSP430G2221 , MSP430G2230 , MSP430G2230-EP , MSP430G2231 , MSP430G2231-EP , MSP430G2232 , MSP430G2233 , MSP430G2252 , MSP430G2253 , MSP430G2302 , MSP430G2302-EP , MSP430G2303 , MSP430G2312 , MSP430G2313 , MSP430G2332 , MSP430G2332-EP , MSP430G2333 , MSP430G2352 , MSP430G2353 , MSP430G2402 , MSP430G2403 , MSP430G2412 , MSP430G2413 , MSP430G2432 , MSP430G2433 , MSP430G2444 , MSP430G2452 , MSP430G2453 , MSP430G2513 , MSP430G2533 , MSP430G2544 , MSP430G2553 , MSP430G2744 , MSP430G2755 , MSP430G2855 , MSP430G2955 , MSP430I2020 , MSP430I2021 , MSP430I2030 , MSP430I2031 , MSP430I2040 , MSP430I2041

 

  1.   商标
  2. 1 引言
  3. 2 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 器件的比较
  4. 3 非易失性存储器的系统内编程
    1. 3.1 铁电 RAM (FRAM) 概述
    2. 3.2 FRAM 单元
    3. 3.3 使用存储器写保护位来保护 FRAM
    4. 3.4 FRAM 存储器等待状态
    5. 3.5 引导加载程序 (BSL)
    6. 3.6 JTAG 和安全性
    7. 3.7 生产编程
  5. 4 硬件迁移注意事项
  6. 5 器件校准信息
  7. 6 重要器件规格
  8. 7 内核架构注意事项
    1. 7.1 电源管理模块 (PMM)
      1. 7.1.1 内核 LDO 和 LPM3.5 LDO
      2. 7.1.2 SVS
      3. 7.1.3 VREF
      4. 7.1.4 在低功耗模式下调试
    2. 7.2 时钟系统
      1. 7.2.1 DCO 频率
      2. 7.2.2 FLL、REFO 和 DCO 抽头
      3. 7.2.3 16MHz 的 FRAM 访问、ADC 时钟和按需时钟
    3. 7.3 工作模式、唤醒时间和复位
      1. 7.3.1 LPMx.5
      2. 7.3.2 复位
        1. 7.3.2.1 POR 和 BOR 行为
        2. 7.3.2.2 生成复位
        3. 7.3.2.3 确定复位原因
    4. 7.4 中断矢量
    5. 7.5 FRAM 和 FRAM 控制器
      1. 7.5.1 闪存和 FRAM 概况比较
      2. 7.5.2 缓存架构
  9. 8 外设注意事项
    1. 8.1  看门狗计时器
    2. 8.2  端口
      1. 8.2.1 数字输入/输出
      2. 8.2.2 电容式触控 I/O
    3. 8.3  模数转换器
      1. 8.3.1 比较 ADC10 与 ADC
    4. 8.4  通信模块
      1. 8.4.1 比较 USI 与 eUSCI
      2. 8.4.2 比较 USCI 与 eUSCI
    5. 8.5  计时器和红外调制逻辑
    6. 8.6  备用存储器
    7. 8.7  硬件乘法器 (MPY32)
    8. 8.8  RTC 计数器
    9. 8.9  中断比较控制器 (ICC)
    10. 8.10 LCD
    11. 8.11 智能模拟组合 (SAC)
    12. 8.12 比较器
  10. 9 ROM 库
  11. 10结论
  12. 11参考文献
  13. 12修订历史记录

7.5.1 闪存和 FRAM 概况比较

F2xx 系列闪存控制器在 FR4xx 系列中由 FRAM 控制器所取代。

使用 FRAM 与使用闪存之间最显著的区别在于 (1) 时序和 (2) 功率要求（请参阅表 7-3）。

表 7-3 MSP430 MCU 上闪存和 FRAM 的比较
参数FRAM (FR4133)(1)闪存 (F2274)(1)
字节或字的编程时间（最大值）120ns116µs（近似值）
段的擦除时间（最大值）不适用（无需预擦除）18ms
编程期间的电源电流（最大值）写入期间无需额外的电流
（包含在有功功率规格中）		5mA
擦除期间的电源电流（最大值）不适用（无需预擦除）7mA
非易失性存储器最大读取频率8MHz16MHz
(1) 此表中的值为近似值；若要查找特定器件的值，请参阅数据表。

每次从 FRAM 位置读取也是一次写入，因此不会因写入或擦除而造成电流损失。所以，写入 FRAM 块时的功耗与读取时相同。这与闪存不同，闪存会由于器件内部电荷泵的运行而消耗过多的功率。同样，FRAM 不需要在写入前进行擦除，也不像闪存那样进行分段。因此，写入 FRAM 时不会增加擦除电流（或擦除时间）。

就写入时间而言，FRAM 以四字块进行写入，而写入时间内置到每个读取周期中。因此，对一个 FRAM 字节、字或 4 字块而言，读取时间与写入时间之间并无差异。对于读取频率，FRAM 访问（读取和写入）速度最大为 8MHz。不过，闪存的读取可按照器件所允许的最大速度 (fSYSTEM) 进行，该最大速度在 F2xx 器件中为 16MHz。

基于 FRAM 的系统中的指令执行速度受到架构的影响。从非易失性存储器执行时，FR4xx 使用基于缓存的架构，该架构采用寄存器访问和 FRAM 访问的组合。因此，系统吞吐量可高于 8MHz 的最大允许读取频率。