ZHCA829G October   2014  – August 2021 MSP430F2001 , MSP430F2002 , MSP430F2003 , MSP430F2011 , MSP430F2012 , MSP430F2013 , MSP430F2013-EP , MSP430F2101 , MSP430F2111 , MSP430F2112 , MSP430F2121 , MSP430F2122 , MSP430F2131 , MSP430F2132 , MSP430F2232 , MSP430F2234 , MSP430F2252 , MSP430F2254 , MSP430F2272 , MSP430F2274 , MSP430F2274-EP , MSP430F233 , MSP430F2330 , MSP430F235 , MSP430F2350 , MSP430F2370 , MSP430F2410 , MSP430F2416 , MSP430F2417 , MSP430F2418 , MSP430F2419 , MSP430F247 , MSP430F2471 , MSP430F248 , MSP430F2481 , MSP430F249 , MSP430F249-EP , MSP430F2491 , MSP430F2616 , MSP430F2617 , MSP430F2618 , MSP430F2619 , MSP430F2619S-HT , MSP430FR2032 , MSP430FR2033 , MSP430FR2110 , MSP430FR2111 , MSP430FR2153 , MSP430FR2155 , MSP430FR2310 , MSP430FR2311 , MSP430FR2353 , MSP430FR2355 , MSP430FR2433 , MSP430FR2475 , MSP430FR2476 , MSP430FR2532 , MSP430FR2533 , MSP430FR2632 , MSP430FR2633 , MSP430FR2672 , MSP430FR2673 , MSP430FR2675 , MSP430FR2676 , MSP430FR4131 , MSP430FR4132 , MSP430FR4133 , MSP430G2001 , MSP430G2101 , MSP430G2102 , MSP430G2111 , MSP430G2112 , MSP430G2121 , MSP430G2131 , MSP430G2132 , MSP430G2152 , MSP430G2153 , MSP430G2201 , MSP430G2202 , MSP430G2203 , MSP430G2210 , MSP430G2211 , MSP430G2212 , MSP430G2213 , MSP430G2221 , MSP430G2230 , MSP430G2230-EP , MSP430G2231 , MSP430G2231-EP , MSP430G2232 , MSP430G2233 , MSP430G2252 , MSP430G2253 , MSP430G2302 , MSP430G2302-EP , MSP430G2303 , MSP430G2312 , MSP430G2313 , MSP430G2332 , MSP430G2332-EP , MSP430G2333 , MSP430G2352 , MSP430G2353 , MSP430G2402 , MSP430G2403 , MSP430G2412 , MSP430G2413 , MSP430G2432 , MSP430G2433 , MSP430G2444 , MSP430G2452 , MSP430G2453 , MSP430G2513 , MSP430G2533 , MSP430G2544 , MSP430G2553 , MSP430G2744 , MSP430G2755 , MSP430G2855 , MSP430G2955 , MSP430I2020 , MSP430I2021 , MSP430I2030 , MSP430I2031 , MSP430I2040 , MSP430I2041

 

  1.   商标
  2. 1 引言
  3. 2 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 器件的比较
  4. 3 非易失性存储器的系统内编程
    1. 3.1 铁电 RAM (FRAM) 概述
    2. 3.2 FRAM 单元
    3. 3.3 使用存储器写保护位来保护 FRAM
    4. 3.4 FRAM 存储器等待状态
    5. 3.5 引导加载程序 (BSL)
    6. 3.6 JTAG 和安全性
    7. 3.7 生产编程
  5. 4 硬件迁移注意事项
  6. 5 器件校准信息
  7. 6 重要器件规格
  8. 7 内核架构注意事项
    1. 7.1 电源管理模块 (PMM)
      1. 7.1.1 内核 LDO 和 LPM3.5 LDO
      2. 7.1.2 SVS
      3. 7.1.3 VREF
      4. 7.1.4 在低功耗模式下调试
    2. 7.2 时钟系统
      1. 7.2.1 DCO 频率
      2. 7.2.2 FLL、REFO 和 DCO 抽头
      3. 7.2.3 16MHz 的 FRAM 访问、ADC 时钟和按需时钟
    3. 7.3 工作模式、唤醒时间和复位
      1. 7.3.1 LPMx.5
      2. 7.3.2 复位
        1. 7.3.2.1 POR 和 BOR 行为
        2. 7.3.2.2 生成复位
        3. 7.3.2.3 确定复位原因
    4. 7.4 中断矢量
    5. 7.5 FRAM 和 FRAM 控制器
      1. 7.5.1 闪存和 FRAM 概况比较
      2. 7.5.2 缓存架构
  9. 8 外设注意事项
    1. 8.1  看门狗计时器
    2. 8.2  端口
      1. 8.2.1 数字输入/输出
      2. 8.2.2 电容式触控 I/O
    3. 8.3  模数转换器
      1. 8.3.1 比较 ADC10 与 ADC
    4. 8.4  通信模块
      1. 8.4.1 比较 USI 与 eUSCI
      2. 8.4.2 比较 USCI 与 eUSCI
    5. 8.5  计时器和红外调制逻辑
    6. 8.6  备用存储器
    7. 8.7  硬件乘法器 (MPY32)
    8. 8.8  RTC 计数器
    9. 8.9  中断比较控制器 (ICC)
    10. 8.10 LCD
    11. 8.11 智能模拟组合 (SAC)
    12. 8.12 比较器
  10. 9 ROM 库
  11. 10结论
  12. 11参考文献
  13. 12修订历史记录

3.1 铁电 RAM (FRAM) 概述

与集成了闪存的 F2xx 系列不同，MSP430FRxx 器件使用 FRAM 非易失性存储器。使用 FRAM 与使用静态 RAM (SRAM) 非常相似。在通用超低功耗 MCU 中引入 FRAM 作为嵌入式存储器的做法发生在 TI 的 16 位 MSP430 产品线上。

FRAM 的一些关键属性包括：

  • FRAM 是非易失性的；也就是说，在断电之后，FRAM 会保留其内容。
  • MSP430 器件上的嵌入式 FRAM 能够以最高 8MHz 的速度访问（读取或写入）。如果超过 8MHz，在访问 FRAM 时会使用等待状态。
  • 写入 FRAM 和读取 FRAM 不需要进行设置或准备，例如在写入或解锁控制寄存器之前进行擦除（除非使用了写保护位来防止对 FRAM 进行写访问）。
  • FRAM 未分段，可对每个位单独进行擦除、写入和寻址。
  • 在写入之前，FRAM 不需要擦除。
  • FRAM 写入访问是低功耗操作，因为写入 FRAM 无需电荷泵。
  • FRAM 写入可在器件的整个电压范围内执行。
  • FRAM 写入速度最高可达 8MBps，其典型的写入速度大约为 2MBps。高速写入是该技术的固有特性，而通过消除擦除瓶颈又提高了该速度；擦除瓶颈在其他非易失性存储器技术中是普遍存在的问题 [9]。相比之下，包含擦除时间的典型 MSP430 闪存写入速度大约为 14kBps [9]。
  • 与闪存相比，FRAM 具有更高的写入耐久性：与闪存的 105 个写入周期相比，FRAM 的 1015 个写入周期几乎是无限的。