10 修订历史记录
Timestamp Revision History Changes Intro HTMLApril 2, 2024 to September 19, 2024
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此“修订历史记录”列出了从 SPRSP85 到 SPRSP85A 的更改。
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通篇:TI 正在过渡到使用更具包容性的术语。某种语言可能与您期望在特定技术领域看到的语言不同。对于 SPI,所有旧术语实例均已更改为控制器和外设。所有旧引脚名称的实例均已更改为:POCI(外设输出控制器输入);PICO(外设输入控制器输出)和 CS(芯片选择)。对于 I2C 总线接口,所有旧术语实例均已更改为控制器和目标。对于 CAN 和 LIN 接口/总线,所有旧术语实例均已更改为指挥官和响应者。对于 EtherCAT 控制器,所有旧术语实例均已更改为主器件(或 MDevice)和子器件(或 SubDevice)Go
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通篇:将文档状态声明从“预量产产品的预告信息;如有更改,恕不另行通知”更改为“除非另有说明,否则本文档包含量产数据”Go
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通篇:有关 TMS320F28P550SJ 器件的信息是“量产数据”Go
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通篇:关于 TMS320F28P559SJ-Q1、TMS320F28P559SG-Q1 和 TMS320F28P550SG 器件的信息仅为预发布信息(而非量产数据)Go
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通篇:删除了 TMS320F28P550SD 器件Go
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通篇:将“NNPU”更改为“NPU”Go
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通篇:将 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACLGo
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特性 部分:从“实时处理”特性中删除了“神经网络处理单元 (NNPU)”Go
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特性 部分:向“通信外设”中添加了“快速串行接口 (FSI)”Go
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特性 部分:将“24 个 ePWM 通道,包含 16 个具有高分辨率功能(150ps 分辨率)的通道”更改为“24 个 ePWM 通道,包含 12 个具有高分辨率功能(150ps 分辨率)的通道”Go
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特性 部分:添加了“神经网络处理单元 (NPU)”特性Go
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说明 部分:更新了“这些包括如下应用”中的应用链接。添加了关于神经网络处理单元 (NPU) 的段落Go
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封装信息 表:添加了“预发布信息(非量产数据)”脚注Go
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功能方框图 图:将“24x ePWM 通道(支持 16 通道高分辨率)”更改为“24x ePWM 通道(支持 12 通道高分辨率)”Go
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器件比较 表:添加了“预发布信息(非量产数据)”脚注Go
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引脚属性 表:将 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACL添加了关于 VREFLO 和 VREFHI 的脚注Go
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128 引脚 PDT Thin Quad Flatpack(顶视图)图:将引脚 29 上的 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACLGo
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100 引脚 PZ Low-Profile Quad Flatpack(顶视图)图:将引脚 22 上的 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACLGo
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80 引脚 PNA Thin Quad Flatpack(顶视图)图:将引脚 18 上的 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACLGo
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64 引脚 PM Low-Profile Quad Flatpack(顶视图)图:将引脚 14 上的 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACLGo
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56 引脚 RSH Very Thin Quad Flatpack No-Lead(顶视图)图:将引脚 12 上的 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACLGo
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模拟信号 表:删除了 DACB_OUT添加了关于 VREFLO 和 VREFHI 的脚注Go
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ADC 引脚上的数字输入和输出 (AGPIO) 部分:更新部分。Go
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绝对最大额定值 表:从“输入钳位电流 - 所有输入总计”中删除了对“每个引脚的连续钳位电流为 ±2mA”脚注的引用Go
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电气特性 表:更新了 IOL、ROL 和 ILEAK。添加了 V IH(高电平输入电压 - GPIO23/41)更新了 VHYSTERESIS 的最小值Go
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ESD 等级 - 商用 表:添加了 5V FS(失效防护)引脚的 HBM 值Go
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ESD 等级 - 汽车 表:添加了 5V FS(失效防护)引脚的 HBM 值Go
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系统电流消耗 - 启用 VREG - 内部电源 表:更新了表Go
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系统电流消耗 - 禁用 VREG - 外部电源 表:更新了表Go
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每个禁用外设的典型电流降低 表:将“ePWM(每个)”更改为“ePWM(针对 1 个 ePWM)”Go
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5V 失效防护引脚的特殊注意事项部分:新增了该部分Go
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时钟系统 图:更新了图Go
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内部时钟频率 表:添加了 NPUCLK 频率 f(NPU)。Go
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晶体振荡器规格 部分:删除了重复的晶体振荡器电气特性 表Go
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RAM 规格 部分:删除了 RAM 参数 - F28P55xSD 表Go
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ROM 规格 部分:将表标题从 ROM 参数 - F28P55xSJ、F28P55xSG 和 F28P55xSD 更改为 ROM 参数 - F28P55xSJ 和 F28P55xSG
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GPIO 电气数据和时序 部分:更新了此部分Go
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模拟子系统方框图(128/80/64/56 引脚封装) 图:将 A1/B7/D11/DACB_OUT 更改为 A1/B7/D11/CMP1_DACL
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模拟子系统方框图(100 引脚封装) 图:将 A1/B7/D11/DACB_OUT 更改为 A1/B7/D11/CMP1_DACL
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CMPSS 输入多路复用器选项 表:针对 HP4 和 LP4 将“A1、B7、D11、DACB_OUT”更改为“A1、B7、D11、CMP1_DACL”Go
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模拟引脚和内部连接 表:将“模拟组 1”中的“A1/B7/D11/DACB_OUT”更改为“A1/B7/D11/CMP1_DACL”。将“模拟组 1”中的 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACL
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模拟信号说明 表:将 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACL
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ADC 特性 表:更新了偏移量误差、SNR、THD、ENOB 和 PSRR。添加了“INTOSC 在整个温度范围内的频率容差...”脚注。Go
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每个引脚的 ADC 性能 部分:新增了该部分Go
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128 引脚 QFP 的每通道寄生电容 表:更新了表Go
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100 引脚 QFP 的每通道寄生电容 表:更新了表Go
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80 引脚 QFP 的每通道寄生电容 表:更新了表Go
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64 引脚 QFP 的每通道寄生电容 表:更新了表Go
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56 引脚 QFN 的每通道寄生电容 表:更新了表Go
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CMPx_DACL 缓冲输出的电气特性 表:更新了 INL 的最小值和最大值Go
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PGA 特性 表:更新了表和脚注Go
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概述 部分:更新部分。Go
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功能方框图 图:将“24x ePWM 通道(支持 16 通道高分辨率)”更改为“24x ePWM 通道(支持 12 通道高分辨率)”Go
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闪存存储器映射 表:更新了表Go
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外设寄存器存储器映射 表:更新了表Go
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器件标识寄存器 表:删除了 TMS320F28P55xSD7 的 PARTIDH。为器件修订版本 A 添加了 REVIDGo
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参考设计 部分:更新部分。Go
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器件命名规则 图:更新了图Go
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PDT 封装的封装编号法 – 汽车 图:更新了 G4 的定义Go
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PZ 封装的封装编号法 – 汽车 图:更新了 G4 的定义Go
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PZ 封装的封装编号法 – 非汽车 图:更新了 G4 的定义更新了器件型号Go
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PNA 封装的封装编号法 – 汽车 图:更新了 G4 的定义Go
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PNA 封装的封装编号法 – 非汽车 图:更新了 G4 的定义更新了器件型号Go
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PM 封装的封装编号法 – 汽车 图:更新了 G4 的定义Go
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PM 封装的封装编号法 – 非汽车 图:更新了 G4 的定义更新了器件型号Go
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RSH 封装的封装编号法 – 非汽车 图:更新了 G4 的定义更新了器件型号Go
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版本标识 表:将器件修订版本 0 的 REVID 更改为 0x0000 0001添加了器件修订版本 AGo
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文档支持 部分:在“应用手册”部分中添加了将软件从 8 位(字节)可寻址 CPU 迁移到 C28x CPU。Go
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文档支持 部分:添加了 F2800x C2000™ 实时 MCU 系列的硬件设计指南应用手册。Go