ZHCSZ33 October   2025 DRV8311-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 SPI 次级器件模式时序
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  输出级
      2. 7.3.2  控制模式
        1. 7.3.2.1 6x PWM 模式（仅限 DRV8311S-Q1 和 DRV8311H-Q1 型号）
        2. 7.3.2.2 3x PWM 模式（仅限 DRV8311S-Q1 和 DRV8311H-Q1 型号）
        3. 7.3.2.3 PWM 生成模式（DRV8311S-Q1 和 DRV8311P-Q1 型号）
      3. 7.3.3  器件接口模式
        1. 7.3.3.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.3.2 硬件接口
      4. 7.3.4  AVDD 线性稳压器
      5. 7.3.5  电荷泵
      6. 7.3.6  压摆率控制
      7. 7.3.7  跨导（死区时间）
      8. 7.3.8  传播延迟
      9. 7.3.9  引脚图
        1. 7.3.9.1 逻辑电平输入引脚（内部下拉）
        2. 7.3.9.2 逻辑电平输入引脚（内部上拉）
        3. 7.3.9.3 开漏引脚
        4. 7.3.9.4 推挽引脚
        5. 7.3.9.5 四电平输入引脚
      10. 7.3.10 电流检测放大器
        1. 7.3.10.1 电流检测放大器操作
        2. 7.3.10.2 电流检测放大器失调电压校正
      11. 7.3.11 保护功能
        1. 7.3.11.1 VM 电源欠压锁定 (NPOR)
        2. 7.3.11.2 欠压保护 (UVP)
        3. 7.3.11.3 过流保护 (OCP)
          1. 7.3.11.3.1 OCP 锁存关断 (OCP_MODE = 010b)
          2. 7.3.11.3.2 OCP 自动重试（OCP_MODE = 000b 或 001b）
          3. 7.3.11.3.3 OCP 仅报告 (OCP_MODE = 011b)
          4. 7.3.11.3.4 OCP 已禁用 (OCP_MODE = 111b)
        4. 7.3.11.4 过热保护
          1. 7.3.11.4.1 热警告 (OTW)
          2. 7.3.11.4.2 热关断 (OTSD)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 功能模式
        1. 7.4.1.1 睡眠模式
        2. 7.4.1.2 运行模式
        3. 7.4.1.3 故障复位（CLR_FLT 或 nSLEEP 复位脉冲）
    5. 7.5 SPI 通信
      1. 7.5.1 编程
        1. 7.5.1.1 SPI 和 tSPI 格式
  9. 8 DRV8311-Q1 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 三相无刷直流电机控制
        1. 9.2.1.1 详细设计过程
          1. 9.2.1.1.1 电机电压
        2. 9.2.1.2 驱动器传播延迟和死区时间
        3. 9.2.1.3 延迟补偿
        4. 9.2.1.4 电流检测和输出滤波
        5. 9.2.1.5 应用曲线
    3. 9.3 三相无刷直流 tSPI 电机控制
      1. 9.3.1 详细设计过程
    4. 9.4 备选应用
    5. 9.5 电源相关建议
      1. 9.5.1 大容量电容
    6. 9.6 布局
      1. 9.6.1 布局指南
      2. 9.6.2 布局示例
      3. 9.6.3 散热注意事项
        1. 9.6.3.1 功率损耗和结温估算
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 支持资源
    2. 10.2 商标
    3. 10.3 静电放电警告
    4. 10.4 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.2.1.2 驱动器传播延迟和死区时间

传播延迟定义为更改输入逻辑边沿 INHx 和 INLx（如果增加 MCU 死区时间，则以先发生的更改为准）至更改半桥输出电压 (OUTx) 所花的时间。驱动器传播延迟 (tPD) 和死区时间 (tdead) 指定为典型值和最大值，而不是最小值。这是因为在同步开关期间，传播延迟可能小于典型值，具体取决于 OUTx 引脚上的电流方向。驱动器传播延迟和死区时间可能大于典型值，原因是高侧或低侧内部 MOSFET 的内部导通较慢，以避免内部 dV/dt 耦合。

有关输入 PWM 和输出配置的传播延迟和死区时间有何不同的更多信息和示例，请访问集成 MOSFET 驱动器中的延迟和死区时间。

除了 DRV8311-Q1 内部击穿保护外，微控制器 PWM 输出的死区时间可用作额外的预防措施。DRV8311-Q1 使用内部逻辑，根据 MCU 死区时间或驱动器死区时间的持续时间来决定优先顺序。

如果 MCU 死区时间小于 DRV8311-Q1 驱动器死区时间，驱动器将进行补偿并确保真正的输出死区时间符合 DRV8311-Q1 指定的值。如果 MCU 插入的死区时间大于驱动器死区时间，则 DRV8311-Q1 将根据 MCU 死区时间调整时序。

表 9-2 中列出了与同步输入 INHx 和 INLx、OUTx 电流方向以及 MCU 死区时间相关的 DRV8311-Q1 延迟时间汇总。

表 9-2 DRV8311-Q1 中取决于逻辑输入和输出电流方向的延迟时间汇总
OUTx 电流方向 INHx INLx 传播延迟时间 (tPD) 死区时间 (tdead) 插入的 MCU 死区时间 (tdead(MCU))
tdead(MCU) < tdead tdead(MCU) > tdead
从 OUTx 输出 上升 下降 典型值 典型值 输出死区时间 = tdead 输出死区时间 = tdead(MCU)
下降 上升 小于典型值 小于典型值 输出死区时间 < tdead 输出死区时间 < tdead(MCU)
输入 OUTx 上升 下降 小于典型值 小于典型值 输出死区时间 < tdead 输出死区时间 < tdead(MCU)
下降 上升 典型值 典型值 输出死区时间 = tdead 输出死区时间 = tdead(MCU)