ZHCSDE3 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSDE3J February 2015 – June 2026 DP83867CR , DP83867IR

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

PAP|64
- MPQF071C
RGZ|48
- MPQF123F

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

PAP|64
- PPTD078J
RGZ|48
- QFND014T

订购信息

6.5 电气特性

除非另外注明，否则本部分规定的电气额定值适用于本文档的所有规格。这些规格可解释为在器件的使用寿命范围内，不会导致器件参数或功能规格下降的各项条件。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
3.3V V_DDIO
V_OH	高电平输出电压	I_OH = -4mA	2			V
V_OL	低电平输出电压	I_OL = 4mA			0.6	V
V_IH	高电平输入电压		1.7			V
V_IL	低电平输入电压				0.7	V
2.5V V_VDDIO
V_OH	高电平输出电压	I_OH = -4mA	V_DDIO × 0.8			V
V_OL	低电平输出电压	I_OL = 4mA			0.6	V
V_IH	高电平输入电压		1.7			V
V_IL	低电平输入电压				0.7	V
1.8V V_DDIO
V_OH	高电平输出电压	I_OH = -1mA	V_DDIO-0.2			V
V_OL	低电平输出电压	I_OL = 1mA			0.2	V
V_IH	高电平输入电压		0.7 × V_DDIO			V
V_IL	低电平输入电压				0.2 × VDDIO	V
XI 输入电压
V_OSC	25MHz 振荡器的输入电压		1.5		1.9	Vpp
V_IH	高电平输入电压		1.4			V
V_IL	低电平输入电压				0.45	V
DC 特性
I_IH	输入高电流	VIN = VDD、T_A = –40°C 至 +85°C	-10		10	µA
I_IL	输入低电流	VIN = GND、T_A = –40°C 至 +85°C	-10		10	µA
I_OZ	三态输出电流	VOUT = VDD、VOUT = GND、T_A = –40°C 至 +85°C	-10		10	µA
C_IN	输入电容	请参阅 ⁽¹⁾			5	pF
VOD	SGMII
PMD 输出
V_OD-10	MDI	IRPAP/IRRGZ	1.54	1.75	1.96	V 峰值差动
V_OD-10	MDI	CRRGZ		1.75		V 峰值差动
V_OD-100	MDI	IRPAP/IRRGZ	0.95	1	1.05	V 峰值差动
V_OD-100	MDI	CRRGZ		1		V 峰值差动
V_OD-1000	MDI	IRPAP/IRRGZ	0.67	0.745	0.82	V 峰值差动
V_OD-1000	MDI	CRRGZ		0.745		V 峰值差动
功耗
PAP
P1000	功耗，2 个电源 ⁽²⁾⁽³⁾			530		mW
P1000	功耗，可选的第 3 个电源⁽²⁾⁽³⁾			490		mW
IDD25	电源电流，2 个电源			141		mA
IDD11				125		mA
IDDIO (1.8V)				22		mA
IDD25	电源电流，可选的第 3 个电源			90		mA
IDD11				125		mA
IDD18				51		mA
IDDIO (1.8V)				19		mA
RGZ
P1000	功耗，2 个电源 ⁽²⁾⁽³⁾			495		mW
P1000	功耗，可选的第 3 个电源⁽²⁾⁽³⁾			457		mW
IDD25	电源电流，2 个电源			137		mA
IDD10				108		mA
IDDIO (1.8V)				24		mA
IDD25	电源电流，可选的第 3 个电源			86		mA
IDD10				108		mA
IDD18				50		mA
IDDIO (1.8V)				24		mA

(1) 由生产测试、特性或设计指定。

(2) 功耗表示 1000BASE-T 的总运行功耗。

(3) 有关双电源和三电源配置的详细信息，请参阅节 9.3。