主页 电源管理 栅极驱动器 隔离式栅极驱动器
主页
电源管理
栅极驱动器
隔离式栅极驱动器

UCC5870-Q1

正在供货

适用于 IGBT/SiC 的汽车级 3.75kVrms 30A 单通道功能安全隔离式栅极驱动器

立即订购
数据表

UCC5870-Q1

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5250 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 Features Active miller clamp, Fault reporting, Programmable dead time, SPI, Short circuit protection, Soft turn-off, Soft turnoff, Two-level turn-off, Two-level turnoff Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1000 Rise time (ns) 150 Fall time (ns) 150 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5250 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 Features Active miller clamp, Fault reporting, Programmable dead time, SPI, Short circuit protection, Soft turn-off, Soft turnoff, Two-level turn-off, Two-level turnoff Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1000 Rise time (ns) 150 Fall time (ns) 150 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
SSOP (DWJ) 36 131.84 mm² 12.8 x 10.3
  • 分离输出驱动器，以提供峰值为 30A 的拉电流和峰值为 30A 的灌电流
  • 栅极驱动强度动态可调
  • 具有 150ns（最大值）传播延迟和可编程最小脉冲抑制的互锁和击穿保护
  • 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
  • 可配置功率晶体管保护
    • 基于 DESAT 的短路保护
    • 基于分流电阻器的过流和短路保护
    • 基于 NTC 的过热保护
    • 在功率晶体管发生故障时提供可编程软关断 (STO) 和两级关断 (2LTOFF) 保护
  • 功能安全合规型
  • 集成型诊断：
    • 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
    • IN+ 至晶体管栅极路径完整性
    • 功率晶体管阈值监测
    • 内部时钟监测
    • 故障警报 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 输出
  • 集成式 4A 有源米勒钳位或可选的米勒钳位晶体管外部驱动器
  • 高级高压钳位控制
  • 内部和外部电源欠压和过压保护
  • 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 提供内核温度检测和过热保护
  • 在 V CM = 1000V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100 kV/µs
  • 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
  • 用于功率晶体管温度、电压、电流监测的集成式 10 位 ADC
  • 安全相关认证：
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3750V RMS 隔离（计划）
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 0：–40°C 至 125°C 环境工作温度
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4b
  • 分离输出驱动器，以提供峰值为 30A 的拉电流和峰值为 30A 的灌电流
  • 栅极驱动强度动态可调
  • 具有 150ns（最大值）传播延迟和可编程最小脉冲抑制的互锁和击穿保护
  • 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
  • 可配置功率晶体管保护
    • 基于 DESAT 的短路保护
    • 基于分流电阻器的过流和短路保护
    • 基于 NTC 的过热保护
    • 在功率晶体管发生故障时提供可编程软关断 (STO) 和两级关断 (2LTOFF) 保护
  • 功能安全合规型
  • 集成型诊断：
    • 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
    • IN+ 至晶体管栅极路径完整性
    • 功率晶体管阈值监测
    • 内部时钟监测
    • 故障警报 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 输出
  • 集成式 4A 有源米勒钳位或可选的米勒钳位晶体管外部驱动器
  • 高级高压钳位控制
  • 内部和外部电源欠压和过压保护
  • 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 提供内核温度检测和过热保护
  • 在 V CM = 1000V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100 kV/µs
  • 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
  • 用于功率晶体管温度、电压、电流监测的集成式 10 位 ADC
  • 安全相关认证：
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3750V RMS 隔离（计划）
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 0：–40°C 至 125°C 环境工作温度
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4b

UCC5870-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式单通道栅极驱动器，在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护，例如基于分流电阻器的过流保护、基于 NTC 的过热保护以及 DESAT 检测，还在这些故障期间提供可选的软关断或两级关断。为了进一步缩小应用尺寸， UCC5870-Q1 集成了在开关期间可用的 4A 有源米勒钳位，以及在驱动器未通电时可用的有源栅极下拉电阻。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达六个模拟输入以及栅极驱动器温度，从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL-D 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 接口进行配置，因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

UCC5870-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式单通道栅极驱动器，在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护，例如基于分流电阻器的过流保护、基于 NTC 的过热保护以及 DESAT 检测，还在这些故障期间提供可选的软关断或两级关断。为了进一步缩小应用尺寸， UCC5870-Q1 集成了在开关期间可用的 4A 有源米勒钳位，以及在驱动器未通电时可用的有源栅极下拉电阻。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达六个模拟输入以及栅极驱动器温度，从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL-D 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 接口进行配置，因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。
filter 查找其他 隔离式栅极驱动器
下载 观看带字幕的视频 视频

申请了解更多信息

可提供 UCC5870-Q1 功能安全手册、报告、分析报告以及时基故障率、FMD 和引脚 FMA 报告。立即申请

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同，且具有相同引脚
UCC5871-Q1 正在供货 具有高级保护功能的汽车级 30A 隔离式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器 Functional safety compliant with 5.7-kV isolation voltage
功能与比较器件相似
新 UCC5881-Q1 正在供货 具有高级保护功能的汽车级 20A 实时可变 IGBT/SiC MOSFET 隔离式栅极驱动器 UCC5881-Q1 offers 3-level real-time variable gate driver strength for design optimization

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 28
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 UCC5870-Q1具有高级保护功能、适用于汽车应用的 30A 隔离式 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 4月 27日
白皮书 신뢰할 수 있는 합리적 가격대의 절연 기술 개발과 관련한 고전압 설계 문제의 해결 (Rev. C) PDF | HTML 2024年 5月 16日
白皮书 以可靠且經濟實惠的隔離技術解決高電壓設計挑戰 (Rev. C) PDF | HTML 2024年 3月 7日
白皮书 利用可靠且性价比高的隔离技术应对高电压设计挑战。 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2024年 2月 22日
应用手册 驱动芯片退饱和保护（DESAT）应用指导 2024年 1月 3日
白皮书 Design Priorities in EV Traction Inverter With Optimum Performance (Rev. A) PDF | HTML 2023年 2月 8日
技术文章 Improving safety in EV traction inverter systems PDF | HTML 2022年 12月 8日
应用简报 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022年 11月 14日
应用手册 使用隔离式 IGBT 和 SiC 栅极驱动器的 HEV/EV 牵引逆变器设计指南 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 11月 7日
EVM 用户指南 UCC5870-Q1-045 评估模块用户指南 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022年 10月 11日
白皮书 Design Priorities in EV Traction Inverter With Optimum Performance.. PDF | HTML 2022年 9月 27日
白皮书 Design Priorities in EV Traction Inverter With Optimum Performance.... PDF | HTML 2022年 9月 27日
白皮书 具有卓越性能的电动汽车牵引逆变器设计优先事项 PDF | HTML 最新英语版本 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 9月 27日
白皮书 Traction Inverters – A Driving Force Behind Vehicle Electrification.. PDF | HTML 2022年 8月 17日
白皮书 Traction Inverters – A Driving Force Behind Vehicle Electrification.... PDF | HTML 2022年 8月 17日
白皮书 牵引逆变器 – 汽车电气化的推动力 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022年 8月 17日
技术文章 Understanding functional safety for gate drivers and traction inverter systems PDF | HTML 2022年 8月 10日
技术文章 Reducing power loss and thermal dissipation in SiC traction inverters PDF | HTML 2022年 6月 10日
证书 UL 1577 Certificate of Compliance 2021年 10月 22日
技术文章 Driving next-generation EV systems with a distributed architecture PDF | HTML 2021年 9月 27日
白皮书 高性能集成式动力总成解决方案：电动汽车普及的关键 (Rev. A) 2021年 4月 21日
白皮书 A High-Performance, Integrated Powertrain Solution: The Key to EV Adoption (Rev. A) 2021年 4月 15日
白皮书 A High-Performance, Combo Box Powertrain Solution: the Key to EV Adoption. 2021年 4月 14日
白皮书 A High-Performance, Combo Box Powertrain Solution: the Key to EV Adoption... 2021年 4月 14日
功能安全信息 Getting started with programming functional safety compliant gate drivers for EV 2021年 3月 23日
更多文献资料 Protecting Power Devices in Electric Vehicle Applications 2021年 3月 23日
证书 UCC5870QEVM-045 EU Declaration of Conformity (DoC) 2021年 2月 22日
EVM 用户指南 UCC5870-Q1 Evaluation Module User's Guide 2019年 10月 1日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC5870QEVM-045 — UCC5870-Q1 符合功能安全标准的 15A 隔离式 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器三相 EVM

UCC5870-Q1 三相评估模块 (EVM) 适用于评估 TI 这款具有高级保护功能的 15A 隔离式单通道栅极驱动器。此 EVM 专用于驱动 EV/HEV 应用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。这款三相 EVM 可用于调试软件以适应驱动器的串行外设接口 (SPI)，还可评估驱动器先进的诊断、保护和监控功能。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估模块 (EVM) 用 GUI

UCC5870QDWJEVM-026-GUI — UCC5870-Q1 EVM GUI Software

UCC5870-Q1 EVM GUI Software
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
隔离式栅极驱动器
UCC5870-Q1 — 适用于 IGBT/SiC 的汽车级 3.75kVrms 30A 单通道功能安全隔离式栅极驱动器 UCC5871-Q1 — 具有高级保护功能的汽车级 30A 隔离式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器
下载
仿真模型

UCC5870-Q1 SIMPLIS Model (Rev. A)

SLUM763A.ZIP (250 KB) - SIMPLIS Model
下载
计算工具

SLURAZ3 — UCC5870-Q1 XL Calculator Tool

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
隔离式栅极驱动器
UCC5870-Q1 — 适用于 IGBT/SiC 的汽车级 3.75kVrms 30A 单通道功能安全隔离式栅极驱动器
下载
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
发送申请
参考设计

TIDM-02009 — 经过 ASIL D 等级功能安全认证的高速牵引和双向直流/直流转换参考设计

此参考设计演示了如何通过一个 TMS320F28388D 实时 C2000™ MCU 控制 HEV/EV 牵引逆变器和双向直流/直流转换器。牵引控制利用基于软件的旋转变压器数字转换器 (RDC)，使电机转速高达 20,000RPM。直流/直流转换器结合了峰值电流模式控制 (PCMC) 技术、相移全桥 (PSFB) 拓扑以及同步整流 (SR) 机制。牵引逆变器级采用碳化硅 (SiC) 功率级，由 UCC5870-Q1 智能栅极驱动器驱动。利用比较器子系统 (CMPSS) 中先进的 PWM 模块和内置斜坡补偿功能，可生成 PCMC 波形。该系统基于 ASIL 分解的功能安全概念已通过 TÜV (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP22817 — 带集成变压器的汽车类 SPI 可编程栅极驱动器和辅助电源参考设计

此参考设计为牵引逆变器和车载充电器中的电源开关提供隔离式辅助电源和隔离式栅极驱动器。辅助电源和驱动器均可提供 800VDC 总线应用所需的高隔离（3kV RMS 持续一分钟）。隔离式辅助电源提供 24VDC，包括 +15V 和 -5V 栅极驱动偏置。隔离式驱动器提供快速开通和关断这些大功率开关所需的高电流（峰值电流高达 30A），并提供高级保护功能。PMP22817 还提供经过测试的直流/直流单端初级电感器转换器 SEPIC，以便关断汽车类电池电压（6V 至 42V，包括浪涌/突降），从而提供稳定的 24V 电压。

此参考设计旨在与 UCC14240-Q1 器件配合使用，且可修改为由 (...)

测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SSOP (DWJ) 36 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频