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UCC5871-Q1

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具有高级保护功能的汽车类 30A 隔离式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器

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UCC5871-Q1

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产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 Features Active miller clamp, Fault reporting, Programmable dead time, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3.3 Input supply voltage (max) (V) 5 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 150 Fall time (ns) 150 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 Features Active miller clamp, Fault reporting, Programmable dead time, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3.3 Input supply voltage (max) (V) 5 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 150 Fall time (ns) 150 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
SSOP (DWJ) 36 131.84 mm² 12.8 x 10.3
  • 分离输出驱动器，以提供峰值为 30A 的拉电流和峰值为 30A 的灌电流
  • 具有 150ns（最大值）传播延迟和可编程最小脉冲抑制的互锁和击穿保护
  • 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
  • 可配置功率晶体管保护
    • 基于 DESAT 的短路保护
    • 基于分流电阻器的过流和短路保护
    • 基于 NTC 的过热保护
    • 在功率晶体管发生故障时提供可编程软关断 (STO) 和两级关断 (2LTOFF) 保护
  • 功能安全合规型
  • 集成型诊断：
    • 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
    • IN+ 至晶体管栅极路径完整性
    • 功率晶体管阈值监测
    • 内部时钟监测
    • 故障警报 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 输出
  • 用于米勒钳位晶体管的集成式 4A 有源米勒钳位或可选的外部驱动器
  • 高级高压钳位控制
  • 内部和外部电源欠压和过压保护
  • 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 驱动器内核温度检测和过热保护
  • 在 VCM = 1000V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/µs
  • 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
  • 用于功率晶体管温度、电压、电流监测的集成式 10 位 ADC
  • 分离输出驱动器，以提供峰值为 30A 的拉电流和峰值为 30A 的灌电流
  • 具有 150ns（最大值）传播延迟和可编程最小脉冲抑制的互锁和击穿保护
  • 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
  • 可配置功率晶体管保护
    • 基于 DESAT 的短路保护
    • 基于分流电阻器的过流和短路保护
    • 基于 NTC 的过热保护
    • 在功率晶体管发生故障时提供可编程软关断 (STO) 和两级关断 (2LTOFF) 保护
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  • 集成型诊断：
    • 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
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  • 用于米勒钳位晶体管的集成式 4A 有源米勒钳位或可选的外部驱动器
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  • 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 驱动器内核温度检测和过热保护
  • 在 VCM = 1000V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/µs
  • 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
  • 用于功率晶体管温度、电压、电流监测的集成式 10 位 ADC

UCC5871-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式单通道栅极驱动器，专用于驱动 EV/HEV 应用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护，例如基于分流电阻器的过流保护、基于 NTC 的过热保护以及 DESAT 检测，还在这些故障期间提供可选的软关断或两级关断。为了进一步缩小应用尺寸， UCC5871-Q1 可在开关期间提供 4A 有源米勒钳位，在驱动器未通电时提供有源栅极下拉。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达六个模拟输入以及栅极驱动器温度，从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化系统设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 接口进行配置，因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

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设计和开发

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评估板

UCC5870QEVM-045 — UCC5870-Q1 符合功能安全标准的 15A 隔离式 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器三相 EVM

UCC5870-Q1 三相评估模块 (EVM) 适用于评估 TI 这款具有高级保护功能的 15A 隔离式单通道栅极驱动器。此 EVM 专用于驱动 EV/HEV 应用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。这款三相 EVM 可用于调试软件以适应驱动器的串行外设接口 (SPI)，还可评估驱动器先进的诊断、保护和监控功能。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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评估模块 (EVM) 用 GUI

UCC5870QDWJEVM-026-GUI — UCC5870-Q1 EVM GUI Software

UCC5870-Q1 EVM GUI Software
lock = 需要出口许可（1 分钟）
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
隔离式栅极驱动器
UCC5870-Q1 — 适用于 IGBT/SiC MOSFET 的汽车类 3.75kVrms 30A 单通道功能安全隔离式栅极驱动器 UCC5871-Q1 — 具有高级保护功能的汽车类 30A 隔离式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器
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模拟工具

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设计指南: PDF
原理图: PDF
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此参考设计旨在与 UCC14240-Q1 器件配合使用，且可修改为由 (...)

测试报告: PDF
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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
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  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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