产品详细信息

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 1500 Output VCC/VDD (Max) (V) 30 Output VCC/VDD (Min) (V) 15 Input VCC (Min) (V) 3.3 Input VCC (Max) (V) 5 Prop delay (ns) 150 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) Programmable
Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 1500 Output VCC/VDD (Max) (V) 30 Output VCC/VDD (Min) (V) 15 Input VCC (Min) (V) 3.3 Input VCC (Max) (V) 5 Prop delay (ns) 150 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) Programmable
SSOP (DWJ) 36
  • 分离输出驱动器,以提供峰值为 30A 的拉电流和峰值为 30A 的灌电流
  • 栅极驱动强度动态可调
  • 具有 150ns(最大值)传播延迟和可编程最小脉冲抑制的互锁和击穿保护
  • 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
  • 可配置功率晶体管保护
    • 基于 DESAT 的短路保护
    • 基于分流电阻器的过流和短路保护
    • 基于 NTC 的过热保护
    • 在功率晶体管发生故障时提供可编程软关断 (STO) 和两级关断 (2LTOFF) 保护
  • 符合功能安全标准
  • 集成型诊断:
    • 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
    • IN+ 至晶体管栅极路径完整性
    • 功率晶体管阈值监测
    • 内部时钟监测
    • 故障警报 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 输出
  • 集成式 4A 有源米勒钳位或可选的米勒钳位晶体管外部驱动器
  • 高级高压钳位控制
  • 内部和外部电源欠压和过压保护
  • 有源输出下拉特性,在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 提供内核温度检测和过热保护
  • 在 VCM = 1000V 时,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100 kV/µs
  • 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
  • 用于功率晶体管温度、电压、电流监测的集成式 10 位 ADC
  • 安全相关认证:
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离(计划)
    • 符合 VDE0884-11 标准的 8kV 增强型隔离(计划)
  • 分离输出驱动器,以提供峰值为 30A 的拉电流和峰值为 30A 的灌电流
  • 栅极驱动强度动态可调
  • 具有 150ns(最大值)传播延迟和可编程最小脉冲抑制的互锁和击穿保护
  • 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
  • 可配置功率晶体管保护
    • 基于 DESAT 的短路保护
    • 基于分流电阻器的过流和短路保护
    • 基于 NTC 的过热保护
    • 在功率晶体管发生故障时提供可编程软关断 (STO) 和两级关断 (2LTOFF) 保护
  • 符合功能安全标准
  • 集成型诊断:
    • 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
    • IN+ 至晶体管栅极路径完整性
    • 功率晶体管阈值监测
    • 内部时钟监测
    • 故障警报 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 输出
  • 集成式 4A 有源米勒钳位或可选的米勒钳位晶体管外部驱动器
  • 高级高压钳位控制
  • 内部和外部电源欠压和过压保护
  • 有源输出下拉特性,在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 提供内核温度检测和过热保护
  • 在 VCM = 1000V 时,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100 kV/µs
  • 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
  • 用于功率晶体管温度、电压、电流监测的集成式 10 位 ADC
  • 安全相关认证:
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离(计划)
    • 符合 VDE0884-11 标准的 8kV 增强型隔离(计划)

UCC5871-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式单通道栅极驱动器,在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护,例如基于分流电阻器的过流保护、基于 NTC 的过热保护以及 DESAT 检测,还在这些故障期间提供可选的软关断或两级关断。为了进一步缩小应用尺寸, UCC5871-Q1 集成了在开关期间可用的 4A 有源米勒钳位,以及在驱动器未通电时可用的有源栅极下拉电阻。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达六个模拟输入以及栅极驱动器温度,从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL-D 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 接口进行配置,因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

UCC5871-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式单通道栅极驱动器,在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护,例如基于分流电阻器的过流保护、基于 NTC 的过热保护以及 DESAT 检测,还在这些故障期间提供可选的软关断或两级关断。为了进一步缩小应用尺寸, UCC5871-Q1 集成了在开关期间可用的 4A 有源米勒钳位,以及在驱动器未通电时可用的有源栅极下拉电阻。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达六个模拟输入以及栅极驱动器温度,从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL-D 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 接口进行配置,因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

下载

技术文档

star = 有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看全部 5
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 UCC5871-Q1 具有高级保护功能、适用于汽车应用的 30A 隔离式 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器 数据表 PDF | HTML 下载英文版本 PDF | HTML 19 Mar 2021
技术文章 Reducing power loss and thermal dissipation in SiC traction inverters 10 Jun 2022
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 19 Sep 2018
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 30 May 2018
技术文章 Boosting efficiency for your solar inverter designs 24 May 2018

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

评估板

UCC5870QDWJEVM-026 — UCC5870-Q1 functional safety compliant 15-A isolated IGBT/SiC MOSFET gate driver evaluation module

UCC5870-Q1 评估模块适用于评估 TI 的 UCC5870-Q1 这款具有高级保护功能的 15A 隔离式单通道栅极驱动器。此驱动器专用于驱动 EV/HEV 应用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。包含多种保护功能,如有源米勒钳位、DESAT 检测、分流电流感应支持、软关断、VCE 过压保护、栅极驱动器电源 UVLO 和 OVLO 保护、温度监测和热关断以及栅极监测等,适用于具有高可靠性要求的系统。该驱动器还通过串行外设接口 (SPI) 集成了先进的诊断、保护和监控功能。
TI.com 無法提供
评估板

UCC5870QEVM-045 — UCC5870-Q1 符合功能安全标准的 15A 隔离式 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器三相 EVM

UCC5870-Q1 三相评估模块 (EVM) 适用于评估 TI 这款具有高级保护功能的 15A 隔离式单通道栅极驱动器。此 EVM 专用于驱动 EV/HEV 应用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。这款三相 EVM 可用于调试软件以适应驱动器的串行外设接口 (SPI),还可评估驱动器先进的诊断、保护和监控功能。

TI.com 無法提供
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
参考设计

TIDM-02009 — 经过 ASIL D 等级功能安全认证的高速牵引和双向直流/直流转换参考设计

此参考设计演示了如何通过一个 TMS320F28388D 实时 C2000™ MCU 控制 HEV/EV 牵引逆变器和双向直流/直流转换器。牵引控制利用基于软件的旋转变压器转数字转换器 (RDC),使电机转速高达 20,000RPM。直流/直流转换器结合了峰值电流模式控制 (PCMC) 技术、相移全桥 (PSFB) 拓扑以及同步整流 (SR) 机制。牵引逆变器级采用碳化硅 (SiC) 功率级,由 UCC5870-Q1 智能栅极驱动器驱动。利用比较器子系统 (CMPSS) 中先进的 PWM 模块和内置斜坡补偿功能,可生成 PCMC 波形。该系统基于 ASIL (...)
原理图: PDF
参考设计

PMP22817 — 带集成变压器的汽车类 SPI 可编程栅极驱动器和偏置电源参考设计

此参考设计为牵引逆变器和车载充电器中的电源开关提供隔离式偏置电源和隔离式栅极驱动器。偏置电源和驱动器均可提供 800VDC 总线应用所需的高隔离(3kV RMS 持续一分钟)。隔离式偏置提供 24VDC,包括 +15V 和 -5V 栅极驱动偏置。隔离式驱动器提供快速开通和关断这些大功率开关所需的高电流(峰值电流高达 30A),并提供高级保护功能。PMP22817 还提供经过测试的直流/直流单端初级电感器转换器 SEPIC,以便关断汽车类电池电压(6V 至 42V,包括浪涌/突降),从而提供稳定的 24V 电压。
封装 引脚数 下载
SSOP (DWJ) 36 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频