产品详细信息

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 6xPWM, 3xPWM Vs (Min) (V) 4.5 Vs ABS (Max) (V) 65 Features Bootstrap Architecture for Gate Driver, Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge Pump, HW based configuration, 1x low side current sense Operating temperature range (C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 6xPWM, 3xPWM Vs (Min) (V) 4.5 Vs ABS (Max) (V) 65 Features Bootstrap Architecture for Gate Driver, Supports 100% PWM Duty Cycle with Trickle Charge Pump, HW based configuration, 1x low side current sense Operating temperature range (C) -40 to 125
  • 65V 三相半桥栅极驱动器
    • 可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET (NMOS)
    • 4.5V 至 60V 工作电压范围
    • 具有涓流电荷泵,支持 100% 占空比
  • 基于自举的栅极驱动器架构
    • 1000 mA 最大峰值拉电流
    • 2000mA 最大峰值灌电流
  • 具有低输入失调电压的集成电流检测放大器(针对 1 个分流器进行了优化)
    • 可调增益(5、10、20、40 V/V)
  • 硬件接口提供简单配置
  • 温度为 25 ̊C 时,超低功耗休眠模式下的电流 <1uA
  • 4 ns(典型值)相位间传播延迟匹配
  • 独立驱动器关断路径 (DRVOFF)
  • 65V 耐压唤醒引脚 (nSLEEP)
  • SHx 引脚瞬态负压可达 -10V
  • 6x 和 3x PWM 模式
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 精密 LDO (AVDD),3.3V ±3%,80mA
  • 紧凑型 QFN 封装和尺寸
  • 可通过 VDSLVL 引脚调节 VDS 过流阈值
  • 可通过 DT 引脚调节死区时间
  • 具有电源块的高效系统设计
  • 集成保护特性
    • PVDD 欠压闭锁 (PVDDUV)
    • GVDD 欠压 (GVDDUV)
    • 自举欠压 (BST_UV)
    • 过流保护(VDS_OCP、SEN_OCP)
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)
  • 65V 三相半桥栅极驱动器
    • 可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET (NMOS)
    • 4.5V 至 60V 工作电压范围
    • 具有涓流电荷泵,支持 100% 占空比
  • 基于自举的栅极驱动器架构
    • 1000 mA 最大峰值拉电流
    • 2000mA 最大峰值灌电流
  • 具有低输入失调电压的集成电流检测放大器(针对 1 个分流器进行了优化)
    • 可调增益(5、10、20、40 V/V)
  • 硬件接口提供简单配置
  • 温度为 25 ̊C 时,超低功耗休眠模式下的电流 <1uA
  • 4 ns(典型值)相位间传播延迟匹配
  • 独立驱动器关断路径 (DRVOFF)
  • 65V 耐压唤醒引脚 (nSLEEP)
  • SHx 引脚瞬态负压可达 -10V
  • 6x 和 3x PWM 模式
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 精密 LDO (AVDD),3.3V ±3%,80mA
  • 紧凑型 QFN 封装和尺寸
  • 可通过 VDSLVL 引脚调节 VDS 过流阈值
  • 可通过 DT 引脚调节死区时间
  • 具有电源块的高效系统设计
  • 集成保护特性
    • PVDD 欠压闭锁 (PVDDUV)
    • GVDD 欠压 (GVDDUV)
    • 自举欠压 (BST_UV)
    • 过流保护(VDS_OCP、SEN_OCP)
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)

DRV8329 系列器件是适用于三相应用的集成栅极驱动器。这类器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。该器件使用内部电荷泵生成合适的栅极驱动电压,使用自举电路增强高侧 MOSFET。具有涓流电荷泵,支持 100% 占空比。此栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。 DRV8329 由单一电源供电,支持 4.5V 至 60V 的宽输入电源电压范围。

6x 和 3x PWM 模式可简化与控制器电路的连接。该器件具有集成的精密 3.3V LDO,该 LDO 可用于为外部控制器供电,并可用作 CSA 的基准电压。器件的配置设置可通过硬件 (H/W) 引脚来配置。

DRV8329 器件集成了低侧电流检测放大器,可在驱动级的全部三个相位上进行电流检测,以获得电流总和。

提供低功耗休眠模式,可通过关断大部分内部电路实现低静态电流。针对欠压锁定、GVDD 故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路和过热等情况,提供内部保护功能。在 nFAULT 引脚上指示故障条件。

DRV8329 系列器件是适用于三相应用的集成栅极驱动器。这类器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。该器件使用内部电荷泵生成合适的栅极驱动电压,使用自举电路增强高侧 MOSFET。具有涓流电荷泵,支持 100% 占空比。此栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。 DRV8329 由单一电源供电,支持 4.5V 至 60V 的宽输入电源电压范围。

6x 和 3x PWM 模式可简化与控制器电路的连接。该器件具有集成的精密 3.3V LDO,该 LDO 可用于为外部控制器供电,并可用作 CSA 的基准电压。器件的配置设置可通过硬件 (H/W) 引脚来配置。

DRV8329 器件集成了低侧电流检测放大器,可在驱动级的全部三个相位上进行电流检测,以获得电流总和。

提供低功耗休眠模式,可通过关断大部分内部电路实现低静态电流。针对欠压锁定、GVDD 故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路和过热等情况,提供内部保护功能。在 nFAULT 引脚上指示故障条件。

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设计和开发

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评估板

DRV8329AEVM — DRV8329A 三相 BLDC 栅极驱动器评估模块

DRV8329AEVM 是一款基于 DRV8329A 栅极驱动器(适用于 BLDC 电机)的 30A 三相无刷直流驱动级。DRV8329 包含三个二极管用于自举操作,因此无需使用外部二极管。该器件包含用于低侧电流测量的电流分流放大器、80mA LDO、死区时间控制引脚、VDS 过流电平引脚和栅极驱动器关断引脚。EVM 包含用于评估这些设置的开关、电位计和电阻器,可面向 DRV8329 器件 A 型 (6x PWM) 和 B 型 (3x PWM) 进行配置。

可向此 EVM 提供高达 60V 的电压,DRV8329 的集成 LDO 可为自举 GVDD 电源提供所需的栅极电压。包含所有电源的状态 (...)

用户指南: PDF | HTML
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