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DRV8300-Q1

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具有自举二极管的汽车类 100V（最大值）简单三相栅极驱动器

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DRV8300-Q1

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Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
TSSOP (PW) 20 41.6 mm² 6.5 x 6.4
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1：–40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 100V 三相半桥栅极驱动器
    • 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
    • 栅极驱动器电源 (GVDD)：5-20V
    • MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
  • 集成自举二极管
  • 自举栅极驱动架构
    • 750mA 拉电流
    • 1.5A 灌电流
  • 支持高达 48V 的汽车系统
  • SHx 引脚具有低泄漏电流（小于 55µA）
  • 绝对最大 BSTx 电压高达 115V
  • 支持 SHx 上低达 -22V 的负电压瞬变
  • 内置跨导保护
  • 固定插入 215 ns 死区时间
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）
  • 4ns 典型传播延迟匹配
  • 紧凑型 TSSOP 封装
  • 具有电源块的高效系统设计
  • 集成保护特性
    • BST 欠压锁定 (BSTUV)
    • GVDD 欠压 (GVDDUV)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 温度等级 1：–40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 100V 三相半桥栅极驱动器
    • 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
    • 栅极驱动器电源 (GVDD)：5-20V
    • MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
  • 集成自举二极管
  • 自举栅极驱动架构
    • 750mA 拉电流
    • 1.5A 灌电流
  • 支持高达 48V 的汽车系统
  • SHx 引脚具有低泄漏电流（小于 55µA）
  • 绝对最大 BSTx 电压高达 115V
  • 支持 SHx 上低达 -22V 的负电压瞬变
  • 内置跨导保护
  • 固定插入 215 ns 死区时间
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）
  • 4ns 典型传播延迟匹配
  • 紧凑型 TSSOP 封装
  • 具有电源块的高效系统设计
  • 集成保护特性
    • BST 欠压锁定 (BSTUV)
    • GVDD 欠压 (GVDDUV)

DRV8300 -Q1 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750 mA 的峰值拉电流和 1.5A 的峰值灌电流。

相位引脚 SHx 能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (115V) 绝对最大值，从而提高系统的稳健性。较小的传播延迟和延迟匹配规格可最大限度地降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定功能为低侧和高侧提供欠压保护。

DRV8300 -Q1 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750 mA 的峰值拉电流和 1.5A 的峰值灌电流。

相位引脚 SHx 能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (115V) 绝对最大值，从而提高系统的稳健性。较小的传播延迟和延迟匹配规格可最大限度地降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定功能为低侧和高侧提供欠压保护。
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应用简报 了解栅极驱动器压摆率控制、MOSFET 开关优化以及保护特性 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2025年 12月 12日
证书 DRV8300DPW-Q1EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2021年 12月 8日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

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