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DRV8300U

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具有自举二极管和增强型 UVLO 保护的 100V（最大值）简单三相栅极驱动器

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Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
TSSOP (PW) 20 41.6 mm² 6.5 x 6.4 VQFN (RGE) 24 16 mm² 4 x 4
  • 100V 三相半桥栅极驱动器
    • 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
    • 栅极驱动器电源 (GVDD)：5-20V
    • MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
  • 集成自举二极管 (DRV8300UD 器件)
  • 支持反相和同相 INLx 输入
  • 自举栅极驱动架构
    • 750mA 拉电流
    • 1.5A 灌电流
  • 支持由高达 15 节串联电池供电的应用
  • 支持标准 MOSFET 的更高 BSTUV（8V 典型值）和 GVDDUV（7.6V 典型值）阈值
  • SHx 引脚具有低漏电流（小于 55µA）
  • 绝对最大 BSTx 电压高达 125V
  • SHx 引脚瞬态负压可达 -22V
  • 内置跨导保护
  • 针对 QFN 封装型号，可通过 DT 引脚调节死区时间
  • 针对 TSSOP 封装型号，固定插入 200ns 死区时间
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）
  • 4ns 典型传播延迟匹配
  • 紧凑型 QFN 和 TSSOP 封装
  • 具有电源块的高效系统设计
  • 集成保护特性
    • BST 欠压锁定 (BSTUV)
    • GVDD 欠压 (GVDDUV)
  • 100V 三相半桥栅极驱动器
    • 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
    • 栅极驱动器电源 (GVDD)：5-20V
    • MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
  • 集成自举二极管 (DRV8300UD 器件)
  • 支持反相和同相 INLx 输入
  • 自举栅极驱动架构
    • 750mA 拉电流
    • 1.5A 灌电流
  • 支持由高达 15 节串联电池供电的应用
  • 支持标准 MOSFET 的更高 BSTUV（8V 典型值）和 GVDDUV（7.6V 典型值）阈值
  • SHx 引脚具有低漏电流（小于 55µA）
  • 绝对最大 BSTx 电压高达 125V
  • SHx 引脚瞬态负压可达 -22V
  • 内置跨导保护
  • 针对 QFN 封装型号，可通过 DT 引脚调节死区时间
  • 针对 TSSOP 封装型号，固定插入 200ns 死区时间
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）
  • 4ns 典型传播延迟匹配
  • 紧凑型 QFN 和 TSSOP 封装
  • 具有电源块的高效系统设计
  • 集成保护特性
    • BST 欠压锁定 (BSTUV)
    • GVDD 欠压 (GVDDUV)

DRV8300U 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300UD 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的灌电流。

相位引脚 SHx 能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (125V) 绝对最大值，从而提高系统的鲁棒性。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。

DRV8300U 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300UD 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的灌电流。

相位引脚 SHx 能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (125V) 绝对最大值，从而提高系统的鲁棒性。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。
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应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

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评估板

DRV8300DIPW-EVM — DRV8300DIPW three phase BLDC evaluation module

DRV8300DIPW-EVM 是一款基于 DRV8300DIPW 栅极驱动器（适用于 BLDC 电机）的 30A 三相无刷直流驱动级。DRV8300DIPW 包含三个二极管用于自举操作，因此无需使用外部二极管。

此 EVM 包含三个电流分流放大器，可用于低侧电流测量以及 PVDD/GVDD 电压和电路板温度反馈。可向此 EVM 提供高达 100V 的电压，板载降压器件可为自举 GVDD 电源提供所需的 12V 电压。包含所有电源的状态 LED 以及故障 LED，用于提供用户反馈。

此套件需要使用 C2000 Launchpad (LAUNCHXL-F280049C) 控制 (...)

用户指南: PDF | HTML
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评估板

DRV8300DRGE-EVM — DRV8300DRGE 三相 BLDC 评估模块

The DRV8300DRGE-EVM is a 30A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8300DRGE gate driver for BLDC motors.

The DRV8300DRGE incorporates three diodes for bootstrap operation without the need for external diodes. The EVM includes three current shunt amplifiers for low-side current (...)

用户指南: PDF | HTML
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TSSOP (PW) 20 了解详情
VQFN (RGE) 24 了解详情
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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
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  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

支持与培训

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