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有刷直流 (BDC) 电机驱动器

DRV8706-Q1

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具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器

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DRV8706-Q1

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产品详情

Number of full bridges 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 40 Sleep current (µA) 2.5 Control mode Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Inline Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 40 Sleep current (µA) 2.5 Control mode Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Inline Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RHB) 32 25 mm² 5 x 5
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 提供功能安全
    • 有助于进行功能安全系统设计的文档
  • H 桥智能栅极驱动器
    • 4.9V 至 37V（绝对最大值为 40V）工作电压范围
    • 倍增电荷泵可实现 100% PWM
    • 半桥和 H 桥控制模式
  • 引脚对引脚栅极驱动器型号
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调压摆率控制
    • 0.5 mA 至 62 mA 峰值拉电流输出
    • 0.5 mA 至 62 mA 峰值灌电流输出
    • 集成死区时间握手
  • 宽共模电流分流放大器
    • 支持直列式高侧或低侧
    • 可调增益设置（10、20、40、80 V/V）
    • 集成反馈电阻
    • 可调 PWM 消隐方案
  • 提供多个接口选项
    • SPI：详细配置和诊断
    • H/W：简化的控制和更少的 MCU 引脚
  • 展频时钟可降低 EMI
  • 具有可润湿侧翼的紧凑型 VQFN 封装
  • 集成保护特性
    • 专用驱动器禁用引脚 (DRVOFF)
    • 电源和稳压器电压监控器
    • MOSFET VDS 过流监控器
    • MOSFET VGS 栅极故障监控器
    • 用于反极性 MOSFET 的电荷泵
    • 离线开路负载和短路诊断
    • 器件热警告和热关断
    • 故障条件中断引脚 (nFAULT)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 提供功能安全
    • 有助于进行功能安全系统设计的文档
  • H 桥智能栅极驱动器
    • 4.9V 至 37V（绝对最大值为 40V）工作电压范围
    • 倍增电荷泵可实现 100% PWM
    • 半桥和 H 桥控制模式
  • 引脚对引脚栅极驱动器型号
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调压摆率控制
    • 0.5 mA 至 62 mA 峰值拉电流输出
    • 0.5 mA 至 62 mA 峰值灌电流输出
    • 集成死区时间握手
  • 宽共模电流分流放大器
    • 支持直列式高侧或低侧
    • 可调增益设置（10、20、40、80 V/V）
    • 集成反馈电阻
    • 可调 PWM 消隐方案
  • 提供多个接口选项
    • SPI：详细配置和诊断
    • H/W：简化的控制和更少的 MCU 引脚
  • 展频时钟可降低 EMI
  • 具有可润湿侧翼的紧凑型 VQFN 封装
  • 集成保护特性
    • 专用驱动器禁用引脚 (DRVOFF)
    • 电源和稳压器电压监控器
    • MOSFET VDS 过流监控器
    • MOSFET VGS 栅极故障监控器
    • 用于反极性 MOSFET 的电荷泵
    • 离线开路负载和短路诊断
    • 器件热警告和热关断
    • 故障条件中断引脚 (nFAULT)

DRV8706-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。

该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动电流对减少电磁干扰 (EMI) 进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监控器来防止漏源极和栅极短路问题。

宽共模分流放大器具有内联电流感测功能，即使在再循环期间也可持续测量电机电流。如果不需要进行内联感测，放大器可用于低侧或高侧感测配置。

DRV8706-Q1 提供了一系列保护功能，可确保系统稳定运行。此类功能包括适用于电源和电荷泵的欠压和过压监控、适用于外部 MOSFET 的 VDS 过流和 VGS 栅极故障监控、离线开路负载和短路诊断，以及内部热警告和热关断保护功能。

DRV8706-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。

该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动电流对减少电磁干扰 (EMI) 进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监控器来防止漏源极和栅极短路问题。

宽共模分流放大器具有内联电流感测功能，即使在再循环期间也可持续测量电机电流。如果不需要进行内联感测，放大器可用于低侧或高侧感测配置。

DRV8706-Q1 提供了一系列保护功能，可确保系统稳定运行。此类功能包括适用于电源和电荷泵的欠压和过压监控、适用于外部 MOSFET 的 VDS 过流和 VGS 栅极故障监控、离线开路负载和短路诊断，以及内部热警告和热关断保护功能。
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设计和开发

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评估板

DRV8706H-Q1EVM — 具有宽共模电流检测放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器评估模块

DRV8706H-Q1EVM 用于评估 DRV8706H-Q1，后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8706H-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。

该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。
宽共模分流放大器具有内嵌式电流检测功能，可持续测量电机电流。

(...)

用户指南: PDF
英语版 (Rev.A): PDF
TI.com 上无现货
评估板

DRV8706S-Q1EVM — 具有宽共模电流检测放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM

DRV8706S-Q1EVM 用于评估 DRV8706S-Q1，后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8706S-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。

该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。

(...)

用户指南: PDF
英语版 (Rev.A): PDF
TI.com 上无现货
入门

MSP-MOTOR-CONTROL — MSP firmware solutions for motor control

MSP Motor Control is a collection of software, tools and examples to spin motors in 30 minutes or less with MSPM0 Arm® Cortex® M0+ MCUs and popular motor driver solutions.

MSP Motor Control provides examples for supported hardware kits to spin brushed, stepper, and three-phase motors with sensored (...)

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
Arm Cortex-M0+ MCU
MSPM0G1105 — 80MHz Arm M0+ MCU，32KB 闪存，16KB SRAM，2 个 12 位 4Msps ADC，运算放大器 MSPM0G1106 — 具有 64KB 闪存、32KB SRAM、2 个 12 位 4Msps ADC、运算放大器的 80MHz Arm M0+ MCU MSPM0G1107 — 具有 128KB 闪存、32KB SRAM、2 个 12 位 4Msps ADC、运算放大器的 80MHz Arm M0+ MCU MSPM0G1505 — 具有 32KB 闪存、16KB SRAM、2 个 12 位 4Msps ADC、DAC、3 个 COMP、3 个运算放大器、MATHACL 的 80MHz Arm M0+ MCU MSPM0G1506 — 具有 64KB 闪存、32KB SRAM、2 个 12 位 4Msps ADC、DAC、3 个 COMP、3 个运算放大器、MATHACL 的 80MHz Arm M0+ MCU MSPM0G1507 — 具有 128KB 闪存、32KB SRAM、2 个 12 位 4Msps ADC、DAC、3 个 COMP、3 个运算放大器、MATHACL 的 80MHz Arm M0+ MCU MSPM0G3105 — 具有 32KB 闪存、16KB SRAM、2 个 12 位 4Msps ADC、运算放大器、CAN-FD 的 80MHz Arm®M0+ MCU MSPM0G3106 — 具有 64KB 闪存、32KB SRAM、2 个 12 位 4Msps ADC、运算放大器、CAN-FD 的 80MHz Arm®M0+ MCU MSPM0G3107 — 具有 128KB 闪存、32KB SRAM、2 个 12 位 4Msps ADC、运算放大器、CAN-FD 的 80MHz Arm®M0+ MCU MSPM0G3107-Q1 — 具有 128KB 闪存、32KB SRAM、12 位 4Msps ADC、运算放大器、CAN-FD 的汽车级 80MHz Arm M0+ MCU MSPM0G3505 — 具有 32KB 闪存、16KB SRAM、2 个 12 位 4Msps ADC、DAC、3 个 COMP、3 个运算放大器、CAN-FD、MATHACL 的 80MHz Arm M0+ MCU MSPM0G3506 — 具有 64KB 闪存、32KB SRAM、2 个 12 位 4Msps ADC、DAC、3 个 COMP、3 个运算放大器、CAN-FD、MATHACL 的 80MHz Arm M0+ MCU MSPM0G3507 — 具有 128KB 闪存、32KB SRAM、2 个 12 位 4Msps ADC、DAC、3 个 COMP、3 个运算放大器、CAN-FD、MATHACL 的 80MHz Arm M0+ MCU MSPM0G3507-Q1 — 具有 128KB 闪存、32KB SRAM、12 位 ADC、DAC、COMP、运算放大器、CAN-FD、MATHACL 的汽车级 80MHz Arm M0+ MCU MSPM0L1303 — 具有 8KB 闪存、2KB SRAM、12 位 ADC、比较器和 OPA 的 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1304 — 具有 16KB 闪存、2KB SRAM、12 位 ADC、比较器和 OPA 的 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1304-Q1 — 具有 16KB 闪存、2KB RAM、12 位 ADC、OPA 和 LIN 的汽车类 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1305 — 具有 32KB 闪存、4KB SRAM、12 位 ADC、比较器和 OPA 的 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1305-Q1 — 具有 32KB 闪存、4KB RAM、12 位 ADC、OPA 和 LIN 的汽车类 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1306 — 具有 64KB 闪存、4KB SRAM、12 位 ADC、比较器和 OPA 的 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1306-Q1 — 具有 64KB 闪存、4KB RAM、12 位 ADC、OPA 和 LIN 的汽车类 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1343 — 具有 8KB 闪存、2KB SRAM、12 位 ADC、比较器和 TIA 的 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1344 — 具有 16KB 闪存、2KB SRAM、12 位 ADC、比较器和 TIA 的 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1345 — 具有 32KB 闪存、4KB SRAM、12 位 ADC、比较器和 TIA 的 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU MSPM0L1346 — 具有 64KB 闪存、4KB SRAM、12 位 ADC、比较器和 TIA 的 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU
BLDC 驱动器
DRV8300 — 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器 DRV8300-Q1 — 具有自举二极管的汽车类 100V（最大值）简单三相栅极驱动器 DRV8300U — 具有自举二极管和增强型 UVLO 保护的 100V（最大值）简单三相栅极驱动器 DRV8311 — 具有集成 FET、最大绝对电压为 24V 的 3V 至 20V 三相无刷直流电机驱动器 DRV8316 — 具有集成电流检测功能和集成 FET、40V 最大电压、8A 峰值电流的三相电机驱动器 DRV8316-Q1 — 具有集成电流检测功能、最大电压为 40V、峰值电流为 8A 的汽车级三相电机驱动器 DRV8316C-Q1 — 具有集成电流检测功能、最大电压为 40V、峰值电流为 8A 的汽车级三相电机驱动器 DRV8317 — 具有集成 FET 和电流检测功能、最大电压为 24V、峰值电流为 5A 的三相电机驱动器 DRV8323 — 具有电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器 DRV8323R — 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器 DRV8328 — 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器 DRV8329 — 具有单个电流检测放大器的 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器 DRV8353 — 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器 DRV8353F — 具有 3 个 CSA 的 102V（最大值）三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器 DRV8353R — 具有降压稳压器和电流分流放大器的 102V（最大值）三相智能栅极驱动器
步进电机驱动器
DRV8411A — 具有 IPROPI 电流调节功能的 1.65V 至 11V、4A、双路 H 桥电机驱动器 DRV8889-Q1 — 具有集成式电流检测和失速检测功能的汽车类 50V、1.5A 双极步进电机驱动器
有刷直流 (BDC) 电机驱动器
DRV8706-Q1 — 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器
硬件开发
BOOSTXL-DRV8323RH — 具有降压、分流放大器的 DRV8323RH 三相智能栅极驱动器（硬件接口）评估模块 BOOSTXL-DRV8323RS — 具有降压、分流放大器的 DRV8323RS 三相智能栅极驱动器（SPI 接口）评估模块 DRV8300DIPW-EVM — DRV8300DIPW three phase BLDC evaluation module DRV8300DRGE-EVM — DRV8300DRGE 三相 BLDC 评估模块 DRV8311HEVM — DRV8311H 三相无刷电机驱动器评估模块 DRV8316REVM — DRV8316R 三相 PWM 电机驱动器评估模块 DRV8317HEVM — DRV8317 三相无刷直流 (BLDC) 栅极驱动器评估模块 DRV8328AEVM — DRV8328A 三相 PWM 电机驱动器评估模块 DRV8329AEVM — DRV8329A 三相 BLDC 栅极驱动器评估模块 DRV8353RH-EVM — DRV8353RH 三相无刷直流智能栅极驱动器评估模块 DRV8353RS-EVM — DRV8353RS 三相无刷直流智能栅极驱动器评估模块 DRV8411AEVM — DRV8411A 具有电流调节功能的双 H 桥电机驱动器评估模块 DRV8706S-Q1EVM — 具有宽共模电流感应放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM DRV8889-Q1EVM — 具有 1/256 微步进和失速检测功能的 DRV8889-Q1 汽车类步进驱动器评估模块 LP-MSPM0G3507 — 适用于 80MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU 的 MSPM0G3507 LaunchPad™ 开发套件 LP-MSPM0L1306 — 适用于 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU 的 MSPM0L1306 LaunchPad™ 开发套件
软件
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DRV8701E Transient Simulation Model (Rev. A)

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  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
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  • 制造厂地点
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