按照以下步骤设置 IBIS 仿真：

1. 提取电路板上 eMMC 信号的 S 参数文件。
   1. 可以对电路板信号使用 2.5D 提取器。
2. 在 TI.com 的 AM62Px 产品页面下获取 SoC IBIS 模型。
3. 从 TI 代表处获取 SoC 封装的 S 参数模型（根据 NDA 单独提供）
   1. 需要使用 S 参数 SoC 封装模型，因为节 3.5.5 中记录的通过/未通过检查是假设系统具有 S 参数 SoC 封装模型推导得出。
   2. 使用 SoC IBIS RLC 封装模型而非 S 参数 SoC 封装模型的仿真会产生乐观的结果，并且不提供适用的裕度计算。
   3. 不得使用 SoC IBIS RLC 封装模型。确保在仿真设置中，不要勾选 SoC IBIS 模型对应的“封装寄生效应”选项。
4. 从 eMMC 供应商处获取 eMMC 器件 IBIS 模型。
   1. 该 IBIS 模型应包含 eMMC 器件的封装 RLC 模型
5. 按照您选择的仿真器中所示，构建仿真网表。
   1. 通过连接 SoC IBIS 模型、电路板模型、电源和 eMMC 器件 IBIS 模型，在仿真器中建立系统级原理图。
   2. 图 3-2 所示为典型的系统级 eMMC 原理图。
6. 构建将要仿真的过程、电压、温度角
   1. 建议对 IBIS 模型支持的所有过程、电压和温度进行仿真
      • 典型值 (TT)：
        • IO 电压 = 1.8V
        • 温度 = 30C
      • 最小值 (SS)：
        • IO 电压 = 1.8V * 0.9 = 1.62V
        • 温度 = 125C
      • 最大值 (FF)：
        • IO 电压 = 1.8V * 1.1 = 1.98V
        • 温度 = -40C
   2. JEDEC 规定的标称驱动强度为 50Ω。但是，如果客户发现其他驱动强度在其仿真中产生更好的信号完整性裕度，则可以尝试这些强度。
7. 在运行仿真之前，查看节 3.5.3并确保遵循这些最佳实践。
8. 使用节 3.5.2中提供的所有攻击模式作为仿真的激励。
9. 在波形分析工具中分析结果，并使用节 3.5.5中的通过/未通过检查来评估结果质量