ZHDA041 January   2026 AM62P , AM62P-Q1

 

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  2.    AM62Px eMMC HS400 IBIS 模型仿真方法
  3.   商标
  4. 1概述
    1. 1.1 支持的电路板设计
    2. 1.2 通用电路板布局布线指南
    3. 1.3 PCB 堆叠
    4. 1.4 旁路电容器
      1. 1.4.1 大容量旁路电容器
      2. 1.4.2 高速旁路电容器
    5. 1.5 速度补偿
  5. 2eMMC 电路板设计和布局布线指南
    1. 2.1 eMMC 简介
    2. 2.2 eMMC 信号端接
    3. 2.3 信号布线规范
    4. 2.4 电源设计
  6. 3eMMC 电路板设计仿真
    1. 3.1 电路板模型提取
    2. 3.2 电路板模型验证
    3. 3.3 电容器环路电感
    4. 3.4 交流阻抗
    5. 3.5 IBIS 模型仿真
      1. 3.5.1 仿真设置
      2. 3.5.2 仿真位模式
      3. 3.5.3 仿真最佳实践
      4. 3.5.4 仿真策略和示例
      5. 3.5.5 通过/未通过检查
  7. 4设计示例
    1. 4.1 堆叠
    2. 4.2 电源布线
    3. 4.3 信号路由
  8. 5总结
  9. 6参考资料

4.1 堆叠

这些指导原则建议使用 10 层或 12 层 PCB 堆叠方式以实现完整的器件功能。以下是 SK-AM62P-LP (PROC164E2) 使用的 12 层堆叠示例：

表 4-1 12 层 PCB 堆叠示例
层号堆叠布线计划最高优先级和层
阻焊层
1顶部 - PWR/SIGPMIC、SoC 和 eMMC 器件以及 BGA 引出走线、GND
2GNDREF
3PWR/SIGeMMC 信号、LPDDR4 数据信号、VDDA_1V8、GND、LVCMOS 信号引出端
4GNDREF
5SIG/GNDGND、LPDDR 数据信号、LVCMOS 信号引出端
6GNDREF
7PWRVCC1V8_SYS（从 PMIC L4 电感器到 eMMC 器件下方过孔的 eMMC 电源）、VDD_CORE、VDD_LPDDR4、DVDD_3V3
8PWR/GNDDVDD_1V8（从 SoC 区域到 VDDS_MMC0 引脚下方过孔的 VDDS_MMC0 电源）、VDD1_LPDDR4_1V8、GND、VDDA_x
9PWR/GNDDVDD_1V8（从 PMIC L4 电感器到 SoC 区域的 VDDS_MMC0 电源）、GND、VDDR_CORE、VDDA_1V8、DVDD_3V3
10SIG/GNDGND、LPDDR CA 信号、LVCMOS 迂回
11GNDREF
12底部 - SIG/PWReMMC CLK 串联端接电阻器（靠近 SoC）、eMMC DS 串联端接（靠近 eMMC）、去耦电容器、LVCMOS 信号引出端、GND
阻焊层