ZHDA041 January   2026 AM62P , AM62P-Q1

 

  1.   1
  2.    AM62Px eMMC HS400 IBIS 模型仿真方法
  3.   商标
  4. 1概述
    1. 1.1 支持的电路板设计
    2. 1.2 通用电路板布局布线指南
    3. 1.3 PCB 堆叠
    4. 1.4 旁路电容器
      1. 1.4.1 大容量旁路电容器
      2. 1.4.2 高速旁路电容器
    5. 1.5 速度补偿
  5. 2eMMC 电路板设计和布局布线指南
    1. 2.1 eMMC 简介
    2. 2.2 eMMC 信号端接
    3. 2.3 信号布线规范
    4. 2.4 电源设计
  6. 3eMMC 电路板设计仿真
    1. 3.1 电路板模型提取
    2. 3.2 电路板模型验证
    3. 3.3 电容器环路电感
    4. 3.4 交流阻抗
    5. 3.5 IBIS 模型仿真
      1. 3.5.1 仿真设置
      2. 3.5.2 仿真位模式
      3. 3.5.3 仿真最佳实践
      4. 3.5.4 仿真策略和示例
      5. 3.5.5 通过/未通过检查
  7. 4设计示例
    1. 4.1 堆叠
    2. 4.2 电源布线
    3. 4.3 信号路由
  8. 5总结
  9. 6参考资料

3.3 电容器环路电感

高频去耦电容器必须具有低环路电感，才能响应瞬时电流需求。这种局部响应还有助于防止一个电源引脚的电源噪声耦合到共享同一电源的另一个引脚。去耦电容器的电感路径只会增加 SoC 封装的固定电感。

高频去耦电容器必须具有较低的嵌入式串联电感 (ESL)。SK-AM62P-LP (PROC164E2) 使用陶瓷 0.1uF 10V 10% 0201 电容器，其 ESL 约为 0.146nH。每个电容器的放置以及通过布线和过孔的连接必须保持短而宽，以便更大限度地减小总环路电感。

1.8V VDDS_MMC0 eMMC PHY IO 电源通常由 eMMC 和非 eMMC 电源共享。每个电源引脚都需要将去耦电容器置于靠近相应电源引脚的位置。下表显示 SK-AM62P-LP (PROC164E2) 使用的 1.8V 电源轨上每个电容器的环路电感。

按照以下步骤检查环路电感：

  1. 提取短接至 VDDS_MMC0 的其他 1.8V 电源轨上所有高频去耦电容器的环路电感。
    1. 必须使用 3-D 场求解器提取环路电感。2.5D 求解器不足以进行电感提取。
    2. 应从去耦电容器的焊盘到 SoC BGA 进行电感提取。
  2. 将提取的环路电感与表 3-1 中发布的目标值进行比较。
    1. VDDS_MMC0 和短接至 VDDS_MMC0 的其他 1.8V 电源网上所有去耦电容器的环路电感需要小于这些目标值才能通过环路电感检查。

表 3-1 VDDS_MMC0 和其他共享 1.8V 电源轨上电容器的环路电感
电源名称 说明 目标
VDDS_MMC0 1.8V eMMC0 PHY IO 电源 ≤ 0.72nH
VDDSHVn(1)、VDDSHV_CANUART、VDDSHV_MCU 与 VDDS_MMC0 共享的 1.8V IO 电源(2) ≤ 1.37nH
(1) n = 0-6
(2) 仅考虑与 VDDS_MMC0 电源共享的 1.8V IO 电源。