ZHCUCO0 December   2024

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 小巧紧凑的尺寸
      2. 2.2.2 无变压器设计
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1  BQ25790 IIC 控制型、1-4 节电池、5A 降压/升压模式电池充电器
      2. 2.3.2  TPS3422 具有可配置延迟的低功耗按钮控制器
      3. 2.3.3  SN74LVC1G74 具有清零和预设功能的单路上升沿触发式 D 类触发器
      4. 2.3.4  TPS259470 2.7V 至 23V、5.5A、28mΩ 真正的反向电流阻断电子保险丝
      5. 2.3.5  TPS54218 2.95V 至 6V 输入、2A 同步降压 SWIFT 转换器
      6. 2.3.6  TPS54318 2.95V 至 6V 输入、3A 同步降压 SWIFT 转换器
      7. 2.3.7  LM5158 2.2MHz、宽 VIN、85V 输出升压、SEPIC 或反激式转换器
      8. 2.3.8  TPS61178 具备负载断开功能的 20V 完全集成式同步升压
      9. 2.3.9  采用 3.8mm × 3mm 封装的 LMZM23601 36V、1A 降压 DC-DC 电源模块
      10. 2.3.10 TPS7A39 双路、150mA、宽 VIN、正负低压降 (LDO) 电压稳压器
      11. 2.3.11 TPS74401 具有可编程软启动功能的 3.0A 超低压降稳压器
      12. 2.3.12 TPS7A96 2A 超低噪声、超高 PSRR RF 稳压器
      13. 2.3.13 LM3880 具有固定延时时间的三电源导轨简单电源序列发生器
      14. 2.3.14 具有非易失性内存的 DAC53401 10 位电压输出 DAC
      15. 2.3.15 INA231 具有警报功能、采用 WCSP 封装的 28V 16 位 I2C 输出电流、电压和功率监控器
  9. 3系统设计原理
    1. 3.1 输入段
      1. 3.1.1 降压/升压充电器
      2. 3.1.2 电源开启或关闭
    2. 3.2 基于高压电源的 SEPIC 和 Cuk 设计
      1. 3.2.1 SEPIC 和 Cuk 转换器的基本操作原则
      2. 3.2.2 采用具有 SEPIC 和 Cuk 的非耦合电感器的双路高压电源设计
        1. 3.2.2.1 占空比
        2. 3.2.2.2 电感器选型
        3. 3.2.2.3 功率 MOSFET 验证
        4. 3.2.2.4 输出二极管选型
        5. 3.2.2.5 耦合电容器选型
        6. 3.2.2.6 输出电容器选型
        7. 3.2.2.7 输入电容器选型
        8. 3.2.2.8 使用可调节函数对输出电压进行编程
    3. 3.3 设计低压电源
      1. 3.3.1 通过 WEBENCH Power Designer 设计 TPS54218
      2. 3.3.2 ±5V 传输电源生成
    4. 3.4 系统时钟同步
    5. 3.5 电源和数据输出连接器
    6. 3.6 系统电流和功率监控
  10. 4硬件、测试要求和测试结果
    1. 4.1 硬件要求
    2. 4.2 测试设置
    3. 4.3 测试结果
      1. 4.3.1 效率测试结果
      2. 4.3.2 线路调整测试结果
      3. 4.3.3 频谱测试结果
  11. 5设计和文档支持
    1. 5.1 设计文件
      1. 5.1.1 原理图
      2. 5.1.2 BOM
      3. 5.1.3 PCB 布局建议
        1. 5.1.3.1 高压电源布局
    2. 5.2 工具与软件
    3. 5.3 文档支持
    4. 5.4 支持资源
    5. 5.5 商标

3.2.2.3 功率 MOSFET 验证

MOSFET 选型要考虑的重要参数包括最小阈值电压 VTH(MIN)、导通电阻 RDS(ON)、栅漏电荷 Qg 和最大漏源电压 VDS(MAX)。根据栅极驱动电压使用逻辑电平或次级电平阈值 MOSFET。峰值开关电压等于 Vin + Vout。方程式 16 展示了峰值开关电流计算。

方程式 16. I M O S F E T _ P e a k = I L 1 _ P e a k + I L 2 _ P e a k + I L 3 _ P e a k ≈ 2 . 23 A

方程式 17 用于计算峰值开关电压。

方程式 17. V Q 1 = V i n + V o u t p u t + V D + V C 1 _ r i p p l e 2 = 82 V

方程式 18 展示了通过开关的 RMS 电流计算。

方程式 18. I M O S F E T _ R M S = I o u t p u t V o u t p u t + V i n p u t _ m i n + V D × V o u t p u t + V D V i n p u t _ m i n 2

MOSFET 的近似功率损耗 PQ1 可以使用 方程式 19 计算得出：

方程式 19. P M O S F E T = I M O S F E T _ R M S 2 × R D S ( o n) + V o u t p u t + V i n p u t _ m i n × I M O S F E T _ P e a k × Q G D × f s w I G

其中

  • PMOSFET 是指包括导通损耗在内的 MOSFET 总功率损耗
  • IMOSFET_RMS 是指开关损耗
  • IG 是指栅极驱动电流

选择最高工作结温下的 RDS (ON) 值。该值通常在 MOSFET 数据表中给出。确保导通损耗和开关损耗的总和不超过封装额定值或超出整体热预算。LM5158 内部 MOSFET 的 VDS(max) 为 85V、RDS (on) 为 133mΩ。