ZHCUC56G April 2016 – July 2024 DLPC230-Q1 , DLPC230S-Q1 , DLPC231-Q1 , DLPC231S-Q1
主应用程序可以在待机模式下执行闪存编程。可以对整个闪存进行编程,也可以选择闪存块进行部分闪存更新。主应用程序在使用中确定每个闪存块是存储在闪存还是 EEPROM 中。因此,该过程与 EEPROM 编程相同。
以下命令用于擦除、编程和验证闪存块:
图 5-17 演示了闪存编程步骤。写入每条命令的步骤必须遵循节 3.4.3 中所述的写入命令处理程序过程。
图 5-17 闪存程序主应用程序