ZHCUC22 June 2024 – December 2024 MSPM0G1507
作为采用 GaN 的 IPM,DRV7308 具有非常高的开关速度,高开关速度将减小 IPM 的功率损耗,干净的开关边沿可以提高 EMI 性能。图 3-38 显示了从 0 到 310VDC 的 40ns 上升沿。
图 3-39 显示了从 310V 到 0VDC 的 40ns 下降沿。