ZHCU946 March 2022 DRA829V , LP8764-Q1 , TDA4VM , TPS6594-Q1

2 器件版本

TPS6594-Q1 和 LP8764-Q1 器件包含多个不同的可订购器件型号 (OPN)，具有 NVM 设置，以支持不同的最终产品用例和处理器类型。PDN-1A 用例支持组合的 MCU 和 SOC 电源轨以实现扩展 MCU 的运行，其中 PDN-0C 和 PDN-0B 支持独立的 MCU 和 SOC 电源轨以用于专用 MCU 安全岛。PDN-1A 和 PDN-0C 均包含 TPS65941213 器件，因此在 PDN-1A 中，处理器需要一个额外的步骤来重新配置 PMIC，以便将所有 SOC 电源轨错误都映射到 PFSM 中的 MCU 电源错误触发条件。该映射的上下文在整个文档中都有描述，具体说明请见 Topic Link Label7.1。

NVM_ID 和 NVM_REV 这两个寄存器均可识别 NVM 设置。每个 PMIC 器件均可通过表 2-1 中列出的器件型号、NVM_ID 值和 NVM_REV 值进行区分。

表 2-1 用于 PDN 系统的 TPS6594-Q1 和 LP8764-Q1 可订购器件型号

PDN 用例	PDN	可订购器件型号	TI_NVM_ID (TI_NVM_REV)	可订购器件型号	TI_NVM_ID (TI_NVM_REV)	错误信号监控
在主 PMIC 三相 CPU 电源轨上高达 10.5 A⁽¹⁾ 在辅助 PMIC 四相内核电源轨上高达 20 A⁽¹⁾ 在 SDRAM 上高达 3.4A⁽¹⁾，支持 LPDDR4 支持最大为 2GHz 的处理器时钟频率以及高速 SERDES 运行支持 8Gb LPDDR4 SDRAM，数据速率为 4266MTs 支持高达 ASIL-D 的功能安全等级支持 DDR 保持低功耗模式支持 3.3V 或 1.8V 的 I/O 电平支持可选的最终产品特性：符合标准的高速 SD 卡存储器符合标准的 USB 2.0 接口高安全性处理器的板载 Efuse 编程⁽³⁾	1A⁽²⁾	TPS65941213 RWERQ1	0x13 (0x04)	LP876411B4RQKRQ1	0xB4 (0x00)	专用 MCU 和 SOC
在主 PMIC 三相 CPU 电源轨上高达 10.5 A⁽¹⁾ 在辅助 PMIC 四相内核电源轨上高达 14 A⁽¹⁾ 在 SDRAM 上高达 3.4A⁽¹⁾，支持 LPDDR4 支持最大为 2GHz 的处理器时钟频率以及高速 SERDES 运行支持 8GB LPDDR4 SDRAM，数据速率为 4266MTS 通过 MCU 安全岛支持高达 ASIL-D 的功能安全等级支持“仅 MCU”和“DDR 保持”低功耗模式支持 3.3V 或 1.8V 的 I/O 电平支持可选的最终产品特性：符合标准的高速 SD 卡存储器符合标准的 USB 2.0 接口高安全性处理器的板载 Efuse 编程	0C⁽²⁾	TPS65941213 RWERQ1	0x13 (0x04)	TPS65941111 RWERQ1	0x11 (0x03)	专用 MCU 和 SOC
	0B	TPS65941212 RWERQ1	0x12 (0x03)	TPS65941111 RWERQ1	0x11 (0x03)	将 MCU 和 SOC 组合在一起

(1) TI 建议在每个 PMIC 输出电源轨的最大预期负载电流与最大允许电流之间留出 15% 的裕度。

(2) 建议将 PDN-0C 和 PDN-1A 用于所有新设计。

(3) 在 PDN-1A 中，Efuse 功能不是 NVM 的一部分。可在运行时启用该特性。