ZHCU869 February 2021
开关 MOS 的漏源击穿电压 ≥600V。通过 MOS 的漏源 RMS 电流的计算方式如下:
必须考虑的 MOS 的关键规格包括:
• 低 RDS(on) 可减少导通损耗
• 低 Qg 可确保在此拓扑的硬开关中快速导通和关断
• 低输出电容可降低开关损耗