ZHCU791C december   2022  – june 2023

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 绝缘监测
    2. 1.2 寄生隔离电容的影响
    3. 1.3 工业低压配电系统的 IEC 61557-8 标准
    4. 1.4 关键系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 重点产品
      1. 2.2.1 TPSI2140
      2. 2.2.2 AMC3330
      3. 2.2.3 TPS7A24
      4. 2.2.4 REF2033
      5. 2.2.5 TLV6001
    3. 2.3 设计注意事项
      1. 2.3.1 电阻电桥
      2. 2.3.2 隔离式模拟信号链
        1. 2.3.2.1 差分至单端转换
        2. 2.3.2.2 高压测量
        3. 2.3.2.3 信号链误差分析
      3. 2.3.3 PE 缺失检测
      4. 2.3.4 交流线路上的绝缘监测
      5. 2.3.5 PCB 布局建议
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
      1. 3.1.1 连接器
      2. 3.1.2 默认跳线配置
      3. 3.1.3 先决条件
    2. 3.2 软件要求
    3. 3.3 软件
    4. 3.4 测试设置
    5. 3.5 测试结果
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 文档支持
    3. 4.3 支持资源
    4. 4.4 商标
  11. 5作者简介
  12. 6Revision History

2.2.1 TPSI2140

TPSI2140-Q1 是一款隔离式固态继电器，将 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 结合在一起，形成了一个无需次级侧电源的完全集成式解决方案。初级侧由四个差分驱动器组成，它们为次级侧的每个内部 MOSFET 提供电力和使能逻辑信息。

当使能引脚变为高电平时，振荡器开始促使驱动器跨隔离栅输送电力和逻辑高电平。当使能引脚变为低电平时，驱动器将被禁用。在次级侧，每个 MOSFET 都有一个全桥整流器，为带通放大器和解调器供电，从而确定由初级侧提供的逻辑状态。压摆率驱动器根据提供的逻辑来控制 MOSFET 的栅极。

耐雪崩的 MOSFET 和热敏感封装设计使其可以通过系统级高压 (HiPot) 筛选，并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。TPSI2140T-Q1 器件中包含的热雪崩保护 (TAP) 特性通过监测结温并使 MOSFET 将温度保持在安全工作范围内，进一步提高了雪崩电流能力。

主要特性包括：

  • 符合 AEC-Q100 标准，环境工作温度为 –40°C 至 125°C
  • 高达 3750VRMS、5300VDC 的电容式隔离栅
  • 次级 S1、S2 开关端子之间具有 1200V 关断电压
  • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
  • 爬电距离和间隙 ≥ 6mm（S1、S2 开关端子之间）
  • 低功耗：< 9mA 输入电流
GUID-20210119-CA0I-3XDW-793C-PKCRCCF8PZXH-low.svg图 2-2 TPSI2140 功能方框图