ZHCSZ39 September   2025 DRV81646

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7.     13
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 控制接口和转换率 (RSLEW/CNTL)
      2. 6.3.2 使用 FET 源极端子进行电流检测
      3. 6.3.3 硬件接口运行
      4. 6.3.4 SPI 模式
        1. 6.3.4.1 奇偶校验位计算
        2. 6.3.4.2 SPI 输入数据包
        3. 6.3.4.3 SPI 响应数据包
        4. 6.3.4.4 SPI 错误报告
        5. 6.3.4.5 SPI 菊花链
      5. 6.3.5 集成钳位二极管 VCLAMP
      6. 6.3.6 并行输出
      7. 6.3.7 保护电路
        1. 6.3.7.1 ILIM 模拟电流限制
        2. 6.3.7.2 截止延迟 (COD)
        3. 6.3.7.3 浪涌模式
        4. 6.3.7.4 热关断 (TSD)
        5. 6.3.7.5 欠压锁定 (UVLO)
        6. 6.3.7.6 故障条件汇总
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 建议的外部元件
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 功率耗散
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 大容量电容
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

电气特性

4.5V ≤ VVM ≤ 65V,–40°C ≤ TJ ≤ 150°C(除非另有说明),24V、25°C 下的典型值
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源
IVM VM 工作电源电流 VM = 24V,无开关 3 mA
VM = 24V,输出开关频率为 200kHz 5 mA
VUVLO VM 欠压锁定电压 VM 上升 4.1 4.25 4.45 V
VM 下降 4.0 4.15 4.35 V
VUVLO_HYS VM 欠压锁定迟滞 100 mV
tUVLO VM 欠压抗尖峰脉冲 10 µs
逻辑电平输入(INx、nSCS、SCLK、SDI
VIL 输入低电压 0.8 V
VIH 输入高电压 2 V
VHYS 输入迟滞 0.4 V
IIL 输入低电流 VIN = 0 -5 5 μA
IIH 输入高电流 VIN = 3.3V 50 100 μA
开漏输出(nFAULT、SDO
VOL nFAULT、SDO 的输出低电压 IO = 5mA 0.1 V
IOH nFAULT、SDO 的输出高漏电流 连接至 5V 的上拉电阻器 1 μA
七电平输入 (RSLEW/CNTL)
VLVL1 第 1 级,共 7 级 连接至 GND 0 0.1 V
VLVL2 第 2 级,共 7 级 14.7kΩ ± 5% 至 GND 0.2 0.35 V
VLVL3 第 3 级,共 7 级 44.2kΩ ± 5% 至 GND 0.55 0.8 V
VLVL4 第 4 级,共 7 级 100kΩ ± 5% 至 GND 1 1.25 V
VLVL5 第 5 级,共 7 级 249kΩ ± 5% 至 GND 1.5 1.75 V
VLVL6 第 6 级,共 7 级 高阻态 2.1 2.4 V
VLVL7 第 7 级,共 7 级 连接至 DVDD(逻辑电压) 3 5 V
IRSLEW/CNTL 输入电流 22.5 µA
SWITCHING
tR 上升时间
OUTx 从 10% 上升到 90%
VM = 24V,RL = 48Ω,CL = 0.1nF
RSLEW/CNTL 上的 VLVL1 100 150 ns
RSLEW/CNTL 上的 VLVL6 或 VLVL7 300 450 ns
RSLEW/CNTL 上的 VLVl4 或 VLVL5 700 1000 ns
RSLEW/CNTL 上的 VLVL2 或 VLVL3 1500 2300 ns
tF 下降时间
OUTx 从 90% 下降到 10%
VM = 24V,RL = 48Ω,CL = 0.1nF
RSLEW/CNTL 上的 VLVL1 100 150 ns
RSLEW/CNTL 上的 VLVL6 或 VLVL7 300 450 ns
RSLEW/CNTL 上的 VLVl4 或 VLVL5 700 1000 ns
RSLEW/CNTL 上的 VLVL2 或 VLVL3 1500 2300 ns
tPD 输入到输出传播延迟
INx 上升至高于 VIH,到 OUTx 上升至 10%,或 INx 下降至低于 VIL,到 OUTx 下降至 90%
V M = 24V;RL = 48Ω,CL = 0.1nF
RSLEW/CNTL 上的 VLVL1 100 150 ns
RSLEW/CNTL 上的 VLVL6 或 VLVL7 250 370 ns
RSLEW/CNTL 上的 VLVl4 或 VLVL5 400 600 ns
RSLEW/CNTL 上的 VLVL2 或 VLVL3 700 1000 ns
驱动器输出(OUTx)
RDS(ON) FET 导通电阻 VM = 24V,IO = 500mA,TJ = 25°C 140
VM = 24V,IO = 500mA,TJ = 85°C 225
IOFF 关断状态漏电流 VOUT = VM = 24V 0.5 μA
IOFF 关断状态漏电流 VOUT = VM = 65V 10 μA
VF 续流二极管正向电压 VOUT = 24V,IO = 500mA 1.2 V
IOFF 再循环二极管反向漏电流 VOUT = 0V,VCLAMP = 65V 10 μA
保护电路
ILIM 电流限制值
遵循 60/RILIM[kΩ](30kΩ ≤ RILIM ≤ 120kΩ)
RILIM 短接至 GND 或 RILIM < 20kΩ 3 4 A
RILIM = 30kΩ 1.4 2 2.6 A
RILIM = 60kΩ 0.7 1 1.3 A
RILIM = 90kΩ 0.4 0.66 0.8 A
RILIM = 120kΩ 0.3 0.5 0.7 A
ILIM_ACTIVATE 电流限制激活阈值
遵循 ILIM+50%
RILIM = 接地短路 4.7 A
RILIM = 30kΩ 3 A
RILIM = 60kΩ 1.5 A
RILIM = 90kΩ 1 A
RILIM = 120kΩ 0.75 A
IINRUSH tINRUSH 期间的电流限制值
遵循 2*ILIM[kΩ](RILIM≥40kΩ)
RILIM = 接地短路 4 A
RILIM = 30kΩ 4 A
RILIM = 60kΩ 1.4 2 2.6 A
RILIM = 90kΩ 0.8 1.2 1.6 A
RILIM = 120kΩ 0.6 1 1.4 A
IINRUSH_ACTIVATE  浪涌期间的电流限制激活阈值
遵循 IINRUSH+50%
RILIM = 接地短路 6.5 A
RILIM = 30kΩ 6 A
RILIM = 60kΩ 3 A
RILIM = 90kΩ 2 A
RILIM = 120kΩ 1.5 A
RHiZ 浪涌模式选择。   COD/Inrush 引脚上的下拉电阻器。  外部电阻器的值,如果高于该值,则选择浪涌模式。   1
tCOD_DIS 截止延迟禁用阈值 外部电阻器的值,低于该值时将禁用截止功能 20
tCOD 截止延迟
通过外接电阻器 RCOD 接地进行调节
遵循 RCOD[kΩ]/120 ±15%(60kΩ ≤ RCOD ≤ 240kΩ)
RCOD = 60kΩ 0.4 0.5 0.6 ms
RCOD = 120kΩ 0.8 1 1.2 ms
RCOD = 180kΩ  1.2 1.5 1.8 ms
RCOD = 240kΩ 1.6 2 2.4 ms
tINRUSH 浪涌模式持续时间 COD/INRUSH 引脚未连接 10 ms
tRETRY 过流保护重试时间
通过外接电阻器 RCOD 接地进行调节
遵循 32*tCOD ±15%(60kΩ ≤ RCOD ≤ 240kΩ)
RCOD = 60kΩ 15.5 ms
RCOD = 120kΩ 31 ms
RCOD = 180kΩ 46.5 ms
RCOD = 240kΩ 62 ms
IVM_BREAK VM 断线功率级电流 VINx = VM = 0V;VOUTx = 24V,VCLAMP 悬空 10 µA
TTSD 热关断温度 裸片温度 150 170 190 °C
TTSD_HYS 热关断温度迟滞 30 °C
tTSD_DG 热关断抗尖峰脉冲 20 µs