ZHCSZ39 September 2025 DRV81646
ADVANCE INFORMATION
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源 | ||||||
| IVM | VM 工作电源电流 | VM = 24V,无开关 | 3 | mA | ||
| VM = 24V,输出开关频率为 200kHz | 5 | mA | ||||
| VUVLO | VM 欠压锁定电压 | VM 上升 | 4.1 | 4.25 | 4.45 | V |
| VM 下降 | 4.0 | 4.15 | 4.35 | V | ||
| VUVLO_HYS | VM 欠压锁定迟滞 | 100 | mV | |||
| tUVLO | VM 欠压抗尖峰脉冲 | 10 | µs | |||
| 逻辑电平输入(INx、nSCS、SCLK、SDI) | ||||||
| VIL | 输入低电压 | 0.8 | V | |||
| VIH | 输入高电压 | 2 | V | |||
| VHYS | 输入迟滞 | 0.4 | V | |||
| IIL | 输入低电流 | VIN = 0 | -5 | 5 | μA | |
| IIH | 输入高电流 | VIN = 3.3V | 50 | 100 | μA | |
| 开漏输出(nFAULT、SDO) | ||||||
| VOL | nFAULT、SDO 的输出低电压 | IO = 5mA | 0.1 | V | ||
| IOH | nFAULT、SDO 的输出高漏电流 | 连接至 5V 的上拉电阻器 | 1 | μA | ||
| 七电平输入 (RSLEW/CNTL) | ||||||
| VLVL1 | 第 1 级,共 7 级 | 连接至 GND | 0 | 0.1 | V | |
| VLVL2 | 第 2 级,共 7 级 | 14.7kΩ ± 5% 至 GND | 0.2 | 0.35 | V | |
| VLVL3 | 第 3 级,共 7 级 | 44.2kΩ ± 5% 至 GND | 0.55 | 0.8 | V | |
| VLVL4 | 第 4 级,共 7 级 | 100kΩ ± 5% 至 GND | 1 | 1.25 | V | |
| VLVL5 | 第 5 级,共 7 级 | 249kΩ ± 5% 至 GND | 1.5 | 1.75 | V | |
| VLVL6 | 第 6 级,共 7 级 | 高阻态 | 2.1 | 2.4 | V | |
| VLVL7 | 第 7 级,共 7 级 | 连接至 DVDD(逻辑电压) | 3 | 5 | V | |
| IRSLEW/CNTL | 输入电流 | 22.5 | µA | |||
| SWITCHING | ||||||
| tR | 上升时间 OUTx 从 10% 上升到 90% VM = 24V,RL = 48Ω,CL = 0.1nF |
RSLEW/CNTL 上的 VLVL1 | 100 | 150 | ns | |
| RSLEW/CNTL 上的 VLVL6 或 VLVL7 | 300 | 450 | ns | |||
| RSLEW/CNTL 上的 VLVl4 或 VLVL5 | 700 | 1000 | ns | |||
| RSLEW/CNTL 上的 VLVL2 或 VLVL3 | 1500 | 2300 | ns | |||
| tF | 下降时间 OUTx 从 90% 下降到 10% VM = 24V,RL = 48Ω,CL = 0.1nF |
RSLEW/CNTL 上的 VLVL1 | 100 | 150 | ns | |
| RSLEW/CNTL 上的 VLVL6 或 VLVL7 | 300 | 450 | ns | |||
| RSLEW/CNTL 上的 VLVl4 或 VLVL5 | 700 | 1000 | ns | |||
| RSLEW/CNTL 上的 VLVL2 或 VLVL3 | 1500 | 2300 | ns | |||
| tPD | 输入到输出传播延迟 INx 上升至高于 VIH,到 OUTx 上升至 10%,或 INx 下降至低于 VIL,到 OUTx 下降至 90% V M = 24V;RL = 48Ω,CL = 0.1nF |
RSLEW/CNTL 上的 VLVL1 | 100 | 150 | ns | |
| RSLEW/CNTL 上的 VLVL6 或 VLVL7 | 250 | 370 | ns | |||
| RSLEW/CNTL 上的 VLVl4 或 VLVL5 | 400 | 600 | ns | |||
| RSLEW/CNTL 上的 VLVL2 或 VLVL3 | 700 | 1000 | ns | |||
| 驱动器输出(OUTx) | ||||||
| RDS(ON) | FET 导通电阻 | VM = 24V,IO = 500mA,TJ = 25°C | 140 | mΩ | ||
| VM = 24V,IO = 500mA,TJ = 85°C | 225 | mΩ | ||||
| IOFF | 关断状态漏电流 | VOUT = VM = 24V | 0.5 | μA | ||
| IOFF | 关断状态漏电流 | VOUT = VM = 65V | 10 | μA | ||
| VF | 续流二极管正向电压 | VOUT = 24V,IO = 500mA | 1.2 | V | ||
| IOFF | 再循环二极管反向漏电流 | VOUT = 0V,VCLAMP = 65V | 10 | μA | ||
| 保护电路 | ||||||
| ILIM | 电流限制值 遵循 60/RILIM[kΩ](30kΩ ≤ RILIM ≤ 120kΩ) |
RILIM 短接至 GND 或 RILIM < 20kΩ | 3 | 4 | A | |
| RILIM = 30kΩ | 1.4 | 2 | 2.6 | A | ||
| RILIM = 60kΩ | 0.7 | 1 | 1.3 | A | ||
| RILIM = 90kΩ | 0.4 | 0.66 | 0.8 | A | ||
| RILIM = 120kΩ | 0.3 | 0.5 | 0.7 | A | ||
| ILIM_ACTIVATE | 电流限制激活阈值 遵循 ILIM+50% |
RILIM = 接地短路 | 4.7 | A | ||
| RILIM = 30kΩ | 3 | A | ||||
| RILIM = 60kΩ | 1.5 | A | ||||
| RILIM = 90kΩ | 1 | A | ||||
| RILIM = 120kΩ | 0.75 | A | ||||
| IINRUSH | tINRUSH 期间的电流限制值 遵循 2*ILIM[kΩ](RILIM≥40kΩ) |
RILIM = 接地短路 | 4 | A | ||
| RILIM = 30kΩ | 4 | A | ||||
| RILIM = 60kΩ | 1.4 | 2 | 2.6 | A | ||
| RILIM = 90kΩ | 0.8 | 1.2 | 1.6 | A | ||
| RILIM = 120kΩ | 0.6 | 1 | 1.4 | A | ||
| IINRUSH_ACTIVATE | 浪涌期间的电流限制激活阈值 遵循 IINRUSH+50% |
RILIM = 接地短路 | 6.5 | A | ||
| RILIM = 30kΩ | 6 | A | ||||
| RILIM = 60kΩ | 3 | A | ||||
| RILIM = 90kΩ | 2 | A | ||||
| RILIM = 120kΩ | 1.5 | A | ||||
| RHiZ | 浪涌模式选择。 | COD/Inrush 引脚上的下拉电阻器。 外部电阻器的值,如果高于该值,则选择浪涌模式。 | 1 | MΩ | ||
| tCOD_DIS | 截止延迟禁用阈值 | 外部电阻器的值,低于该值时将禁用截止功能 | 20 | kΩ | ||
| tCOD | 截止延迟 通过外接电阻器 RCOD 接地进行调节 遵循 RCOD[kΩ]/120 ±15%(60kΩ ≤ RCOD ≤ 240kΩ) |
RCOD = 60kΩ | 0.4 | 0.5 | 0.6 | ms |
| RCOD = 120kΩ | 0.8 | 1 | 1.2 | ms | ||
| RCOD = 180kΩ | 1.2 | 1.5 | 1.8 | ms | ||
| RCOD = 240kΩ | 1.6 | 2 | 2.4 | ms | ||
| tINRUSH | 浪涌模式持续时间 | COD/INRUSH 引脚未连接 | 10 | ms | ||
| tRETRY | 过流保护重试时间 通过外接电阻器 RCOD 接地进行调节 遵循 32*tCOD ±15%(60kΩ ≤ RCOD ≤ 240kΩ) |
RCOD = 60kΩ | 15.5 | ms | ||
| RCOD = 120kΩ | 31 | ms | ||||
| RCOD = 180kΩ | 46.5 | ms | ||||
| RCOD = 240kΩ | 62 | ms | ||||
| IVM_BREAK | VM 断线功率级电流 | VINx = VM = 0V;VOUTx = 24V,VCLAMP 悬空 | 10 | µA | ||
| TTSD | 热关断温度 | 裸片温度 | 150 | 170 | 190 | °C |
| TTSD_HYS | 热关断温度迟滞 | 30 | °C | |||
| tTSD_DG | 热关断抗尖峰脉冲 | 20 | µs | |||