ZHCSZ39 September   2025 DRV81646

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7.     13
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 控制接口和转换率 (RSLEW/CNTL)
      2. 6.3.2 使用 FET 源极端子进行电流检测
      3. 6.3.3 硬件接口运行
      4. 6.3.4 SPI 模式
        1. 6.3.4.1 奇偶校验位计算
        2. 6.3.4.2 SPI 输入数据包
        3. 6.3.4.3 SPI 响应数据包
        4. 6.3.4.4 SPI 错误报告
        5. 6.3.4.5 SPI 菊花链
      5. 6.3.5 集成钳位二极管 VCLAMP
      6. 6.3.6 并行输出
      7. 6.3.7 保护电路
        1. 6.3.7.1 ILIM 模拟电流限制
        2. 6.3.7.2 截止延迟 (COD)
        3. 6.3.7.3 浪涌模式
        4. 6.3.7.4 热关断 (TSD)
        5. 6.3.7.5 欠压锁定 (UVLO)
        6. 6.3.7.6 故障条件汇总
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 建议的外部元件
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 功率耗散
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 大容量电容
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

8.5 静电放电警告

DRV81646 静电放电 (ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理和安装程序，可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。