ZHCSZ39 September   2025 DRV81646

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7.     13
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 控制接口和转换率 (RSLEW/CNTL)
      2. 6.3.2 使用 FET 源极端子进行电流检测
      3. 6.3.3 硬件接口运行
      4. 6.3.4 SPI 模式
        1. 6.3.4.1 奇偶校验位计算
        2. 6.3.4.2 SPI 输入数据包
        3. 6.3.4.3 SPI 响应数据包
        4. 6.3.4.4 SPI 错误报告
        5. 6.3.4.5 SPI 菊花链
      5. 6.3.5 集成钳位二极管 VCLAMP
      6. 6.3.6 并行输出
      7. 6.3.7 保护电路
        1. 6.3.7.1 ILIM 模拟电流限制
        2. 6.3.7.2 截止延迟 (COD)
        3. 6.3.7.3 浪涌模式
        4. 6.3.7.4 热关断 (TSD)
        5. 6.3.7.5 欠压锁定 (UVLO)
        6. 6.3.7.6 故障条件汇总
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 建议的外部元件
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 功率耗散
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 大容量电容
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.2.2.1 功率耗散

DRV81646 器件中的功率耗散主要由输出 FET 电阻或 RDS(on) 中耗散的功率决定。每个 FET 在运行静态负载时的平均功耗可以通过 方程式 16 大致估算：

方程式 16. DRV81646

其中

  • P 是一个 FET 的耗散功率
  • RDS(ON) 是每个 FET 的导通电阻
  • IOUT 等于负载的平均电流消耗。

在启动和故障情况下，此电流远大于正常运行电流；请将这些峰值电流及其持续时间考虑在内。当同时驱动多个负载时，必须将所有有源输出级的功率相加。

器件中可耗散的最大功率取决于环境温度和散热。

请注意，RDS(on) 随温度升高而增加，因此随着器件发热，功率耗散也会增大。在确定散热器尺寸时，请考虑这一操作。