ZHCSZ39A
September 2025 – December 2025
DRV81646
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
引脚配置和功能
5
规格
5.1
绝对最大额定值
5.2
ESD 等级
5.3
建议运行条件
5.4
热性能信息
5.5
电气特性
5.6
时序要求
13
5.7
典型特性
6
详细说明
6.1
概述
6.2
功能方框图
6.3
特性说明
6.3.1
控制接口和转换率 (RSLEW/CNTL)
6.3.2
使用 FET 源极端子进行电流检测
6.3.3
集成钳位二极管 VCLAMP
6.3.4
保护电路
6.3.4.1
ILIM 模拟电流限制
6.3.4.1.1
负载电阻对 TSD 之前功率耗散的影响
6.3.4.2
截止延迟 (COD)
6.3.4.3
浪涌模式
6.3.4.4
热关断 (TSD)
6.3.4.5
欠压锁定 (UVLO)
6.3.5
故障条件汇总
6.4
器件功能模式
6.4.1
硬件接口运行
6.4.2
并行输出
6.4.3
SPI 模式
6.4.3.1
奇偶校验位计算
6.4.3.2
SPI 输入数据包
6.4.3.3
SPI 响应数据包
6.4.3.4
SPI 错误报告
6.4.3.5
SPI 菊花链
7
应用和实施
7.1
应用信息
7.2
典型应用
7.2.1
外部组件
7.2.2
持续电流能力
7.2.3
功率耗散
7.2.4
应用曲线
7.3
电源相关建议
7.3.1
大容量电容
7.4
布局
7.4.1
布局指南
7.4.2
布局示例
8
器件和文档支持
8.1
文档支持
8.1.1
相关文档
8.2
接收文档更新通知
8.3
支持资源
8.4
商标
8.5
静电放电警告
8.6
术语表
9
修订历史记录
10
机械、封装和可订购信息
7.4.1
布局指南
放置大容量电容器,以尽量缩短通过电机驱动器器件的大电流路径的距离。连接金属布线宽度必须尽可能宽,并且在连接 PCB 层时必须使用许多过孔。这些做法可更大限度地减少电感并允许大容量电容器提供大电流。
对高电流器件输出使用宽金属布线。
使用推荐电容值符合 VM 额定电压要求的低 ESR 陶瓷旁路电容器,将 VM 引脚旁路至 GND 引脚。此类电容器尽可能靠近 VM 引脚放置,并通过较宽的布线或接地平面与器件 VNEG 引脚连接。
通常,必须避免电源引脚和去耦电容器之间的电感。
封装的散热焊盘必须连接至系统接地端。
尝试让整个系统/电路板使用一个大的不间断单一接地平面。接地平面可在 PCB 底层制成。
图 7-5
所示为驱动器下方收缩的与连续的接地平面覆铜引起的温升示例。
为了尽可能减小阻抗和电感,在通过通孔连接至底层接地平面之前,接地引脚的布线尽可能短且宽。
使用多个过孔以减小阻抗。
尽量清理器件周围的空间(尤其是在 PCB 底层),从而改善散热。
连接至散热焊盘的单个或多个内部接地平面也有助于散热并降低热阻。
有关布局指南和最佳实践的更多信息,请参阅
电机驱动器电路板布局最佳实践
。
图 7-5
中断接地平面覆铜与连续接地平面覆铜的热图