ZHCSIX2B October 2018 – January 2026 TPS65216

PRODUCTION DATA

7 寄存器映射

7.1 密码保护

寄存器 0x11 至 0x26 通过 8 位密码进行保护，以防止意外写入。必须在写入受保护的寄存器之前写入密码，并且无论访问的寄存器或事务类型（读取或写入）为如何，密码都必须在下一个 I²C 事务后自动复位为 0x00。只有写入访问需要密码，读取访问不需要密码。

若要写入受保护的寄存器：

将目标寄存器的地址与保护密码 (0x7D) 进行异或运算后写入 PASSWORD 寄存器 (0x10)。
将数据写入受密码保护的寄存器。
如果 PASSWORD 寄存器的内容进行异或运算，并且发送的地址与 0x7D 匹配，则数据将传输到受保护寄存器。否则，事务将被忽略。在任何一种情况下，PASSWORD 寄存器在事务后都会复位为 0x00。

对于 Level1 写保护的任何其他寄存器，必须重复该周期。

7.2 FLAG 寄存器

FLAG 寄存器为每个电源轨和 GPO 都分配了一个位，用于在系统挂起时跟踪电源轨的使能状态。以下规则适用于 FLAG 寄存器：

任何标志位的上电默认值均为 0。
标志位为只读，无法写入。
进入 SUSPEND 状态后，标志位将设置为与其相应的 ENABLE 位相同的值。电源轨以及在 SUSPEND 状态下启用的 GPO 将标志位设置为 1，而所有其他标志位都设置为 0。在处于 SUSPEND 状态或退出 SUSPEND 状态时，标志位不会更新。
FLAG 寄存器在 WAIT_PWR_EN 和 ACTIVE 状态下为静态。FLAG 寄存器反映 DCDC1、DCDC2、DCDC3、DCDC4 和 LDO1 的使能状态；并且在最后一次 SUSPEND 状态期间反映 GPO1、GPO2 和 GPO3 的使能状态。

主机处理器读取 FLAG 寄存器以确定系统是从 OFF 状态还是 SUSPEND 状态上电。在 SUSPEND 状态下，DDR 存储器通常保持自刷新模式，因此设置了 DC3_FLG 或 DC4_FLG 位。

7.3 TPS65216 寄存器

表 7-1 列出了 TPS65216 寄存器的存储器映射寄存器。表 7-1中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的存储单元，并且不应修改寄存器内容。

表 7-1 TPS65216 寄存器

子地址	首字母缩写词	寄存器名称	R/W	密码保护	章节
0x00	CHIPID	芯片 ID	R	否	转到
0x01	INT1	中断 1	R	否	转到
0x02	INT2	中断 2	R	否	转到
0x03	INT_MASK1	中断屏蔽 1	R/W	否	转到
0x04	INT_MASK2	中断屏蔽 2	R/W	否	转到
0x05	状态	状态	R	否	转到
0x06	控制	控制	R/W	否	转到
0x07	标志	标志	R	否	转到
0x10	PASSWORD	PASSWORD	R/W	否	转到
0x11	ENABLE1	ENABLE 1	R/W	是	转到
0x12	ENABLE2	ENABLE 2	R/W	是	转到
0x13	CONFIG1	配置 1	R/W	是	转到
0x14	CONFIG2	配置 2	R/W	是	转到
0x15	CONFIG3	配置 3	R/W	是	转到
0x16	DCDC1	DCDC1 控制	R/W	是	转到
0x17	DCDC2	DCDC2 控制	R/W	是	转到
0x18	DCDC3	DCDC3 控制	R/W	是	转到
0x19	DCDC4	DCDC4 控制	R/W	是	转到
0x1A	SLEW	转换率控制	R/W	是	转到
0x1B	LDO1	LDO1 控制	R/W	是	转到
0x20	SEQ1	序列发生器 1	R/W	是	转到
0x21	SEQ2	序列发生器 2	R/W	是	转到
0x22	SEQ3	序列发生器 3	R/W	是	转到
0x23	SEQ4	序列发生器 4	R/W	是	转到
0x24	SEQ5	序列发生器 5	R/W	是	转到
0x25	SEQ6	序列发生器 6	R/W	是	转到
0x26	SEQ7	序列发生器 7	R/W	是	转到

表 7-2 解释了本节中使用的常见缩写。

表 7-2 常见缩写

缩写	说明
R	读取
W	写入
R/W	支持读写
E2	由 EEPROM 支持
h	一组位的十六进制表示法
b	一个或一组位的十六进制表示法
X	不考虑复位值

7.4 CHIPID 寄存器（子地址 = 0x00）[复位 = 0x05]

图 7-1 展示了 CHIPID，表 7-3 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

图 7-1 CHIPID 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
芯片					版本
R-0h					R-5h

表 7-3 CHIPID 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-3	芯片	R	0h	芯片 ID： 0h = TPS65216 1h = 将来使用 ... 1Fh = 将来使用
2-0	版本	R	5h	版本代码： 0h = 版本 1.0 1h = 版本 1.1 2h = 版本 2.0 3h = 版本 2.1 4h = 版本 3.0 5h = 版本 4.0 (D0) 6h = 将来使用 7h = 将来使用

位

字段

类型

复位

说明

7-3

芯片

芯片 ID：

0h = TPS65216

1h = 将来使用

...

1Fh = 将来使用

2-0

版本

版本代码：

0h = 版本 1.0

1h = 版本 1.1

2h = 版本 2.0

3h = 版本 2.1

4h = 版本 3.0

5h = 版本 4.0 (D0)

6h = 将来使用

7h = 将来使用

7.5 INT1 寄存器（子地址 = 0x01）[复位 = 0x00]

图 7-2 展示了 INT1，表 7-4 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

图 7-2 INT1 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED		VPRG	AC	PB	HOT	RESERVED	PRGC
R-00b		R-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b

表 7-4 INT1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-6	RESERVED	R	00b
5	VPRG	R	0b	编程电压中断： 0b = 无特殊含义。 1b = 输入电压过低，无法对上电默认值进行编程。
4	AC	R	0b	AC_DET 引脚状态变化中断。注意：状态信息在 STATUS 寄存器中提供。 0b = 状态无变化。 1b = AC_DET 状态变化（AC_DET 引脚从高电平变为低电平或从低电平变为高电平）。
3	PB	R	0b	按钮状态变化中断。注意：状态信息在 STATUS 寄存器中提供 0b = 状态无变化。 1b = 按钮状态变化（按钮从高电平变为低电平或从低电平变为高电平）。
2	HOT	R	0b	热关断过早警告： 0b = 芯片温度低于 HOT 阈值。 1b = 芯片温度超过 HOT 阈值。
1	RESERVED	R	0b
0	PRGC	R	0b	EEPROM 编程完成中断： 0b = 无特殊含义。 1b = 上电默认设置的编程已成功完成。

7.6 INT2 寄存器（子地址 = 0x02）[复位 = 0x00]

图 7-3 展示了 INT2，表 7-5 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

图 7-3 INT2 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED		LS_F	RESERVED	RESERVED	LS_I	RESERVED	RESERVED
R-00b		R-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b

表 7-5 INT2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-6	RESERVED	R	00b
5	LS_F	R	0b	负载开关故障中断： 0b = 无故障。开关工作正常。 1b = 负载开关超出工作温度限值，暂时禁用。
4	RESERVED	R	0b
3	RESERVED	R	0b
2	LS_I	R	0b	负载开关电流限制中断： 0b = 负载开关已禁用或未处于电流限制状态。 1b = 负载开关主动限制输出电流（输出负载超过电流限制值）。
1	RESERVED	R	0b
0	RESERVED	R	0b

7.7 INT_MASK1 寄存器（子地址 = 0x03）[复位 = 0x00]

图 7-4 展示了 INT_MASK1，表 7-6 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

图 7-4 INT_MASK1 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED		VPRGM	ACM	PBM	HOTM	RESERVED	PRGCM
R-00b		R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b

表 7-6 INT_MASK1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-6	RESERVED	R	00b
5	VPRGM	R/W	0b	编程电压中断屏蔽位。注意：屏蔽位对监测功能没有影响： 0b = 中断未被屏蔽（中断事件将 nINT 引脚拉至低电平）。 1b = 中断被屏蔽（中断对 nINT 引脚没有影响）。
4	ACM	R/W	0b	AC_DET 中断屏蔽位： 0b = 中断未被屏蔽（中断事件将 nINT 引脚拉至低电平）。 1b = 中断被屏蔽（中断对 nINT 引脚没有影响）。注意：屏蔽位对监测功能没有影响。
3	PBM	R/W	0b	PB 中断屏蔽位。注意：屏蔽位对监测功能没有影响。 0b = 中断未被屏蔽（中断事件将 nINT 引脚拉至低电平）。 1b = 中断被屏蔽（中断对 nINT 引脚没有影响）。
2	HOTM	R/W	0b	HOT 中断屏蔽位。注意：屏蔽位对监测功能没有影响。 0b = 中断未被屏蔽（中断事件将 nINT 引脚拉至低电平）。 1b = 中断被屏蔽（中断对 nINT 引脚没有影响）。
1	RESERVED	R/W	0b
0	PRGCM	R/W	0b	PRGC 中断屏蔽位。注意：屏蔽位对监测功能没有影响。 0b = 中断未被屏蔽（中断事件将 nINT 引脚拉至低电平）。 1b = 中断被屏蔽（中断对 nINT 引脚没有影响）。

7.8 INT_MASK2 寄存器（子地址 = 0x04）[复位 = 0x00]

表 7-7 展示了 INT_MASK2，表 7-8 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

表 7-7 INT_MASK2 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED		LS_FM	RESERVED	RESERVED	LS_IM	RESERVED	RESERVED
R-00b		R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b

表 7-8 INT_MASK2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-6	RESERVED	R	00b
5	LS_FM	R/W	0b	LS 故障中断屏蔽位。注意：屏蔽位对监测功能没有影响。 0b = 中断未被屏蔽（中断事件将 nINT 引脚拉至低电平）。 1b = 中断被屏蔽（中断对 nINT 引脚没有影响）。
4	RESERVED	R/W	0b
3	RESERVED	R/W	0b
2	LS_IM	R/W	0b	LS 电流限制中断屏蔽位。注意：屏蔽位对监测功能没有影响。 0b = 中断未被屏蔽（中断事件将 nINT 引脚拉至低电平）。 1b = 中断被屏蔽（中断对 nINT 引脚没有影响）。
1	RESERVED	R/W	0b
0	RESERVED	R/W	0b

7.9 STATUS 寄存器（子地址 = 0x05）[复位 = 00XXXXXXb]

寄存器掩码：C0h

STATUS 在表 7-9 中展示并在表 7-10 中进行介绍。

返回汇总表。

表 7-9 STATUS 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	EE	AC_STATE	PB_STATE	STATE		RESERVED
R-0b	R-0b	R-X	R-X	R-X		R-X

表 7-10 状态寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0b
6	EE	R	0b	EEPROM 状态： 0b = EEPROM 值未从出厂默认设置更改为其他值。 1b = EEPROM 值已从出厂默认设置更改为其他值。
5	AC_STATE	R	X	AC_DET 输入状态位： 0b = AC_DET 输入无效（AC_DET 输入引脚为高电平）。 1b = AC_DET 输入有效（AC_DET 输入为低电平）。
4	PB_STATE	R	X	PB 输入状态位： 0b = 按钮输入无效（PB 输入引脚为高电平）。 1b = 按钮输入有效（PB 输入引脚为低电平）。
3-2	STATE	R	X	状态机 STATE 指示： 0h = PMIC 处于转换状态。 1h = PMIC 处于 WAIT_PWR_EN 状态。 2h = PMIC 处于 ACTIVE 状态。 3h = PMIC 处于 SUSPEND 状态。
1-0	RESERVED	R	X

7.10 CONTROL 寄存器（子地址 = 0x06）[复位 = 0x00]

图 7-5 展示了 CONTROL，表 7-11 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

图 7-5 CONTROL 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED						OFFnPFO	RESERVED
R-0000 00b						R/W-0b	R/W-0b

表 7-11 CONTROL 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-2	RESERVED	R	0000 00b
1	OFFnPFO	R/W	0b	电源故障关断位： 0b = nPFO 对 PMIC 状态没有影响。 1b = 当 PFI 比较器跳闸（nPFO 为低电平）时，所有电源轨都关断且 PMIC 进入 OFF 状态。
0	RESERVED	R/W	0b

位

字段

类型

复位

说明

7-2

RESERVED

0000 00b

OFFnPFO

R/W

电源故障关断位：

0b = nPFO 对 PMIC 状态没有影响。

1b = 当 PFI 比较器跳闸（nPFO 为低电平）时，所有电源轨都关断且 PMIC 进入 OFF 状态。

RESERVED

R/W

7.11 FLAG 寄存器（子地址 = 0x07）[复位 = 0x00]

图 7-6 展示了 FLAG，表 7-12 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

图 7-6 FLAG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
GPO2_FLG	RESERVED	GPO1_FLG	LDO1_FLG	DC4_FLG	DC3_FLG	DC2_FLG	DC1_FLG
R-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b	R-0b

表 7-12 FLAG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	GPO2_FLG	R	0b	GPO2 标志位： 0b = 器件从 OFF 或 SUSPEND 状态上电，GPO2 在 SUSPEND 状态下被禁用。 1b = 器件从 SUSPEND 状态上电，GPO2 在 SUSPEND 状态下已启用。
6	RESERVED	R	0b
5	GPO1_FLG	R	0b	GPO1 标志位： 0b = 器件从 OFF 或 SUSPEND 状态上电，GPO1 在 SUSPEND 状态下被禁用。 1b = 器件从 SUSPEND 状态上电，GPO1 在 SUSPEND 状态下已启用。
4	LDO1_FLG	R	0b	LDO1 标志位： 0b = 器件从 OFF 或 SUSPEND 状态上电，LDO1 在 SUSPEND 状态下被禁用。 1b = 器件从 SUSPEND 状态上电，LDO1 在 SUSPEND 状态下已启用。
3	DC4_FLG	R	0b	DCDC4 标志位： 0b = 器件从 OFF 或 SUSPEND 状态上电，DCDC4 在 SUSPEND 状态下被禁用。 1b = 器件从 SUSPEND 状态上电，DCDC4 在 SUSPEND 状态下已启用。
2	DC3_FLG	R	0b	DCDC3 标志位： 0b = 器件从 OFF 或 SUSPEND 状态上电，DCDC3 在 SUSPEND 状态下被禁用。 1b = 器件从 SUSPEND 状态上电，DCDC3 在 SUSPEND 状态下已启用。
1	DC2_FLG	R	0b	DCDC2 标志位： 0b = 器件从 OFF 或 SUSPEND 状态上电，DCDC2 在 SUSPEND 状态下被禁用。 1b = 器件从 SUSPEND 状态上电，DCDC2 在 SUSPEND 状态下已启用。
0	DC1_FLG	R	0b	DCDC1 标志位： 0b = 器件从 OFF 或 SUSPEND 状态上电，DCDC1 在 SUSPEND 状态下被禁用。 1b = 器件从 SUSPEND 状态上电，GDCDC1PO3 在 SUSPEND 状态下已启用。

7.12 PASSWORD 寄存器（子地址 = 0x10）[复位 = 0x00]

图 7-7 展示了 PASSWORD，表 7-13 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

图 7-7 PASSWORD 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
PWRD
R/W-00h

表 7-13 PASSWORD 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-0	PWRD	R/W	00h	寄存器用于访问受密码保护的寄存器（有关详细信息，请参阅密码保护）。。读回始终会产生 0x00。

7.13 ENABLE1 寄存器（子地址 = 0x11）[复位 = 0x00]

图 7-8 展示了 ENABLE1，表 7-14 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

密码保护。

图 7-8 ENABLE1 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED		RESERVED	RESERVED	DC4_EN	DC3_EN	DC2_EN	DC1_EN
R-00b		R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b

表 7-14 ENABLE1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-6	RESERVED	R	00b
5	RESERVED	R/W	0b
4	RESERVED	R/W	0b
3	DC4_EN	R/W	0b	DCDC4 使能位。注意：上电和断电时，该位由内部电源序列发生器自动更新。 0b = 禁用 1b = 启用
2	DC3_EN	R/W	0b	DCDC3 使能位。注意：上电和断电时，该位由内部电源序列发生器自动更新。 0b = 禁用 1b = 启用
1	DC2_EN	R/W	0b	DCDC2 使能位。注意：上电和断电时，该位由内部电源序列发生器自动更新。 0b = 禁用 1b = 启用
0	DC1_EN	R/W	0b	DCDC1 使能位。注意：上电和断电时，该位由内部电源序列发生器自动更新。 0b = 禁用 1b = 启用

7.14 ENABLE2 寄存器（子地址 = 0x12）[复位 = 0x00]

图 7-9 展示了 ENABLE2，表 7-15 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

密码保护。

图 7-9 ENABLE2 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	GPIO2	RESERVED	GPIO1	LS_EN	RESERVED	RESERVED	LDO1_EN
R-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b

表 7-15 ENABLE2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0b
6	GPIO2	R/W	0b	通用输出 2 / 复位极性。注意：如果将 DC12_RST 位（寄存器 0x14）设置为 1，则该位没有任何作用。 0b = GPIO2 输出被驱动为低电平。 1b = GPIO2 输出为 HiZ。
5	RESERVED	R/W	0b
4	GPIO1	R/W	0b	通用输出 1。注意：如果将 IO_SEL 位（寄存器 0x13）设置为 1，则该位没有任何作用。 0b = GPO1 输出被驱动为低电平。 1b = GPO1 输出为 HiZ。
3	LS_EN	R/W	0b	负载开关 (LS) 使能位。 0b = 禁用 1b = 启用
2	RESERVED	R/W	0b
1	RESERVED	R/W	0b
0	LDO1_EN	R/W	0b	LDO1 使能位。 0b = 禁用 1b = 启用注意：上电和断电时，该位由内部电源序列发生器自动更新。

7.15 CONFIG1 寄存器（地址 = 0x13）[复位 = 0x04C]

图 7-10 展示了 CONFIG1，表 7-16 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

密码保护。

图 7-10 CONFIG1 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
TRST	RESERVED	RESERVED	PGDLY		STRICT	UVLO
R/W-0b	R/W-1b	R/W-0b	R/W-01b		R/W-1b	R/W-00b

表 7-16 CONFIG1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	TRST	R/W、E2	0b	按钮复位时间常数： 0b = 8s 1b = 15s
6	RESERVED	R/W	1b
5	RESERVED	R/W	0b
4-3	PGDLY	R/W、E2	01b	电源正常延迟。注意：电源正常延迟仅适用于上升沿（上电），不适用于下降沿（断电或故障）。 00b = 10ms 01b = 20ms 10b = 50ms 11b = 150ms
2	STRICT	R/W、E2	1b	电源电压监控器灵敏度选择。有关详细信息，请参阅电气特性。 0b = 电源正常阈值（VOUT 下降）具有更宽的限值。不监测过压。 1b = 电源正常阈值（VOUT 下降）具有严格的限制。监测过压。
1-0	UVLO	R/W、E2	00b	UVLO 设置 00b = 2.75V 01b = 2.95V 10b = 3.25V 11b = 3.35V

7.16 CONFIG2 寄存器（地址 = 0x14）[复位 = 0xC0]

图 7-11 展示了 CONFIG2，表 7-17 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

密码保护。

图 7-11 CONFIG2 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
DC12_RST	UVLOHYS	RESERVED		LSILIM		RESERVED
R/W-1b	R/W-1b	R-00b		R/W-00b		R/W-00b

表 7-17 CONFIG2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	DC12_RST	R/W、E2	1b	DCDC1 和 DCDC2 复位引脚使能： 0b = GPIO2 配置为通用输出。 1b = GPIO2 配置为 DCDC1 和 DCDC2 的热复位输入。
6	UVLOHYS	R/W、E2	1b	UVLO 迟滞： 0b = 200 mV 1b = 400mV
5-4	RESERVED	R	00b
3-2	LSILIM	R/W	00b	负载开关 (LS) 电流限制选择： 00b = 100mA（最小值 = 98mA） 01b = 200 mA（最小值 = 194 mA） 10b = 500 mA（最小值 = 475 mA） 11b = 1000 mA（最小值 = 900 mA）更多详细信息，请参阅电气特性中的 LS 电流限制规格。
1-0	RESERVED	R/W	00b

7.17 CONFIG3 寄存器（子地址 = 0x15）[复位 = 0x0]

图 7-12 展示了 CONFIG3，表 7-18 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

密码保护。

图 7-12 CONFIG3 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED		LSnPFO	RESERVED	RESERVED	LSDCHRG	RESERVED	RESERVED
R-00b		R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b

表 7-18 CONFIG3 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-6	RESERVED	R	00b
5	LSnPFO	R/W	0b	负载开关电源故障禁用位： 0b = 负载开关状态不受电源故障比较器影响。 1b = 如果电源故障比较器跳闸（nPFO 为低电平），则禁用负载开关。
4	RESERVED	R/W	0b
3	RESERVED	R/W	0b
2	LSDCHRG	R/W	0b	负载开关放电使能位： 0b = 禁用主动放电。 1b = 启用主动放电（开关处于关闭状态时负载开关输出主动放电）。
1	RESERVED	R/W	0b
0	RESERVED	R/W	0b

7.18 DCDC1 寄存器（偏移 = 0x16）[复位 = 0x99]

图 7-13 展示了 DCDC1，表 7-19 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

注释 1：此寄存器受密码保护。如需更多信息，请参阅密码保护。
注释 2：对 DCDC1 寄存器执行写入操作时，过压和欠压监测会进入时长 5ms 的消隐状态。
注 3：要更改 DCDC1 的输出电压，必须将寄存器 0x1A 中的 GO 位或 GODSBL 位设置为 1b。

图 7-13 DCDC1 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
PFM	RESERVED	DCDC1
R/W-1b	R-0b	R/W-19h

表 7-19 DCDC1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	PFM	R/W	1b	脉冲频率调制（PFM，又称为脉冲跳跃模式）使能。PFM 模式可提高轻负载效率。实际 PFM 模式运行取决于负载条件。 0b = 禁用（强制 PWM） 1b = 启用
6	RESERVED	R	0b
5-0	DCDC1	R/W、E2	19h	DCDC1 输出电压设置： 0h = 0.850 1h = 0.860 2h = 0.870 3h = 0.880 4h = 0.890 5h = 0.900 6h = 0.910 7h = 0.920 8h = 0.930 9h = 0.940 Ah = 0.950 Bh = 0.960 Ch = 0.970 Dh = 0.980 Eh = 0.990 Fh = 1.000 10h = 1.010 11h = 1.020 12h = 1.030 13h = 1.040 14h = 1.050 15h = 1.060 16h = 1.070 17h = 1.080 18h = 1.090 19h = 1.100 1Ah = 1.110 1Bh = 1.120 1Ch = 1.130 1Dh = 1.140 1Eh = 1.150 1Fh = 1.160 20h = 1.170 21h = 1.180 22h = 1.190 23h = 1.200
				24h = 1.210 25h = 1.220 26h = 1.230 27h = 1.240 28h = 1.250 29h = 1.260 2Ah = 1.270 2Bh = 1.280 2Ch = 1.290 2Dh = 1.300 2Eh = 1.310 2Fh = 1.320 30h = 1.330 31h = 1.340 32h = 1.350 33h = 1.375 34h = 1.400 35h = 1.425 36h = 1.450 37h = 1.475 38h = 1.500 39h = 1.525 3Ah = 1.550 3Bh = 1.575 3Ch = 1.600 3Dh = 1.625 3Eh = 1.650 3Fh = 1.675

7.19 DCDC2 寄存器（地址 = 0x17）[复位 = 0x99]

图 7-14 展示了 DCDC2，表 7-20 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

注释 1：此寄存器受密码保护。如需更多信息，请参阅密码保护。
注释 2：对 DCDC2 寄存器执行写入操作时，过压和欠压监测会进入时长 5ms 的消隐状态。
注 3：要更改 DCDC2 的输出电压，必须将寄存器 0x1A 中的 GO 位或 GODSBL 位设置为 1b。

图 7-14 DCDC2 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
PFM	RESERVED	DCDC2
R/W-1b	R-0b	R/W-19h

表 7-20 DCDC2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	PFM	R/W	1b	脉冲频率调制（PFM，又称为脉冲跳跃模式）使能。PFM 模式可提高轻负载效率。实际 PFM 模式运行取决于负载条件。 0b = 禁用（强制 PWM） 1b = 启用
6	RESERVED	R	0b
5-0	DCDC2	R/W、E2	19h	DCDC2 输出电压设置： 0h = 0.850 1h = 0.860 2h = 0.870 3h = 0.880 4h = 0.890 5h = 0.900 6h = 0.910 7h = 0.920 8h = 0.930 9h = 0.940 Ah = 0.950 Bh = 0.960 Ch = 0.970 Dh = 0.980 Eh = 0.990 Fh = 1.000 10h = 1.010 11h = 1.020 12h = 1.030 13h = 1.040 14h = 1.050 15h = 1.060 16h = 1.070 17h = 1.080 18h = 1.090 19h = 1.100 1Ah = 1.110 1Bh = 1.120 1Ch = 1.130 1Dh = 1.140 1Eh = 1.150 1Fh = 1.160 20h = 1.170 21h = 1.180 22h = 1.190 23h = 1.200
				24h = 1.210 25h = 1.220 26h = 1.230 27h = 1.240 28h = 1.250 29h = 1.260 2Ah = 1.270 2Bh = 1.280 2Ch = 1.290 2Dh = 1.300 2Eh = 1.310 2Fh = 1.320 30h = 1.330 31h = 1.340 32h = 1.350 33h = 1.375 34h = 1.400 35h = 1.425 36h = 1.450 37h = 1.475 38h = 1.500 39h = 1.525 3Ah = 1.550 3Bh = 1.575 3Ch = 1.600 3Dh = 1.625 3Eh = 1.650 3Fh = 1.675

7.20 DCDC3 寄存器（地址 = 0x18）[复位 = 0x8C]

图 7-15 展示了 DCDC3，表 7-21 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

注释 1：此寄存器受密码保护。如需更多信息，请参阅密码保护。
注释 2：对 DCDC3 寄存器执行写入操作时，过压和欠压监测会进入时长 5ms 的消隐状态。

注：

上电默认值可能因 RSEL 值而异。有关详细信息，请参阅 DCDC3 和 DCDC4 上电默认选择。

图 7-15 DCDC3 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
PFM	RESERVED	DCDC3
R/W-1b	R-0b	R/W-Ch

表 7-21 DCDC3 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	PFM	R/W	1b	脉冲频率调制（PFM，又称为脉冲跳跃模式）使能。PFM 模式可提高轻负载效率。实际 PFM 模式运行取决于负载条件。 0b = 禁用（强制 PWM） 1b = 启用
6	RESERVED	R	0b
5-0	DCDC3	R/W、E2	Ch	DCDC3 输出电压设置： 0h = 0.900 1h = 0.925 2h = 0.950 3h = 0.975 4h = 1.000 5h = 1.025 6h = 1.050 7h = 1.075 8h = 1.100 9h = 1.125 Ah = 1.150 Bh = 1.175 Ch = 1.200 Dh = 1.225 Eh = 1.250 Fh = 1.275 10h = 1.300 11h = 1.325 12h = 1.350 13h = 1.375 14h = 1.400 15h = 1.425 16h = 1.450 17h = 1.475 18h = 1.500 19h = 1.525 1Ah = 1.550 1Bh = 1.600 1Ch = 1.650 1Dh = 1.700 1Eh = 1.750 1Fh = 1.800 20h = 1.850 21h = 1.900 22h = 1.950 23h = 2.000
				24h = 2.050 25h = 2.100 26h = 2.150 27h = 2.200 28h = 2.250 29h = 2.300 2Ah = 2.350 2Bh = 2.400 2Ch = 2.450 2Dh = 2.500 2Eh = 2.550 2Fh = 2.600 30h = 2.650 31h = 2.700 32h = 2.750 33h = 2.800 34h = 2.850 35h = 2.900 36h = 2.950 37h = 3.000 38h = 3.050 39h = 3.100 3Ah = 3.150 3Bh = 3.200 3Ch = 3.250 3Dh = 3.300 3Eh = 3.350 3Fh = 3.400

7.21 DCDC4 寄存器（地址 = 0x19）[复位 = 0xB2]

图 7-16 展示了 DCDC4，表 7-22 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

注释 1：此寄存器受密码保护。如需更多信息，请参阅密码保护。
注释 2：对 DCDC4 寄存器执行写入操作时，过压和欠压监测会进入时长 5ms 的消隐状态。

注：

上电默认值可能因 RSEL 值而异。有关详细信息，请参阅 DCDC3 和 DCDC4 上电默认选择。不应选择“保留”设置，并且在转换器运行时不应修改输出电压设置。

图 7-16 DCDC4 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
PFM	RESERVED	DCDC4
R/W-1b	R-0b	R/W-32h

表 7-22 DCDC4 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	PFM	R/W	1b	脉冲频率调制（PFM，又称为脉冲跳跃模式）使能。PFM 模式可提高轻负载效率。实际 PFM 模式运行取决于负载条件。 0b = 禁用（强制 PWM） 1b = 启用
6	RESERVED	R	0b
5-0	DCDC4	R/W、E2	32h	DCDC4 输出电压设置： 0h = 1.175 1h = 1.200 2h = 1.225 3h = 1.250 4h = 1.275 5h = 1.300 6h = 1.325 7h = 1.350 8h = 1.375 9h = 1.400 Ah = 1.425 Bh = 1.450 Ch = 1.475 Dh = 1.500 Eh = 1.525 Fh = 1.550 10h = 1.600 11h = 1.650 12h = 1.700 13h = 1.750 14h = 1.800 15h = 1.850 16h = 1.900 17h = 1.950 18h = 2.000 19h = 2.050 1Ah = 2.100 1Bh = 2.150 1Ch = 2.200 1Dh = 2.250 1Eh = 2.300 1Fh = 2.3500 20h = 2.400 21h = 2.450 22h = 2.500 23h = 2.550
				24h = 2.600 25h = 2.650 26h = 2.700 27h = 2.750 28h = 2.800 29h = 2.850 2Ah = 2.900 2Bh = 2.950 2Ch = 3.000 2Dh = 3.050 2Eh = 3.100 2Fh = 3.150 30h = 3.200 31h = 3.250 32h = 3.300 33h = 3.350 34h = 3.400 35h = 保留 36h = 保留 37h = 保留 38h = 保留 39h = 保留 3Ah = 保留 3Bh = 保留 3Ch = 保留 3Dh = 保留 3Eh = 保留 3Fh = 保留

7.22 SLEW 寄存器（子地址 = 0x1A）[复位 = 0x06]

图 7-17 展示了 SLEW，表 7-23 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

注：

压摆率控制仅适用于 DCDC1 和 DCDC2。如果在 STRICT = 1 且转换器处于空载状态时从较高电压变为较低电压，则 DCDC1 和 DCDC2 的 PFM 位必须设置为 0。

图 7-17 SLEW 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
GO	GODSBL	RESERVED			SLEW
R/W-0b	R/W-0b	R-000b			R/W-6h

表 7-23 SLEW 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	GO	R/W	0b	Go 位。注意：该位在电压转换结束时自动复位。 0b = 无变化 1b = 启动从当前状态到 DCDC1 和 DCDC2 寄存器中当前存储的输出电压设置的转换。SLEW 设置适用。
6	GODSBL	R/W	0b	GO 禁用位 0b = 启用 1b = 禁用；只要更新 DCDC1 和 DCDC2 寄存器中的设定点，DCDC1 和 DCDC2 输出电压就会发生变化，无需写入 GO 位。SLEW 设置适用。
5-3	RESERVED	R	000b
2-0	SLEW	R/W	6h	输出压摆率设置： 0h = 160µs/步（步长 10mV 的条件下为 0.0625mV/µs） 1h = 80µs/步（步长 10mV 的条件下为 0.125mV/µs） 2h = 40µs/步（步长 10mV 的条件下为 0.250mV/µs） 3h = 20µs/步（步长 10mV 的条件下为 0.500mV/µs） 4h = 10µs/步（步长 10mV 的条件下为 1.0mV/µs） 5h = 5µs/步（步长 10mV 的条件下为 2.0mV/µs） 6h = 2.5µs/步（步长 10mV 的条件下为 4.0mV/µs） 7h = 立即；压摆率仅受控制环路响应时间限制。注意：实际压摆率取决于每个代码的电压阶跃。请参阅 DCDCx 寄存器以了解详细信息。

7.23 LDO1 寄存器（地址 = 0x1B）[复位 = 0x1F]

图 7-18 展示了 LDO1，表 7-24 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

注释 1：此寄存器受密码保护。如需更多信息，请参阅密码保护。
注释 2：对 LDO1 寄存器执行写入操作时，过压和欠压监测会进入时长 5ms 的消隐状态。

图 7-18 LDO1 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED		LDO1
R-00b		R/W-1Fh

表 7-24 LDO1 寄存器字段说明

位

字段

类型

复位

说明

7-6

RESERVED

00b

5-0

LDO1

R/W、E2

1Fh

LDO1 输出电压设置：

0h = 0.900

1h = 0.925

2h = 0.950

3h = 0.975

4h = 1.000

5h = 1.025

6h = 1.050

7h = 1.075

8h = 1.100

9h = 1.125

Ah = 1.150

Bh = 1.175

Ch = 1.200

Dh = 1.225

Eh = 1.250

Fh = 1.275

10h = 1.300

11h = 1.325

12h = 1.350

13h = 1.375

14h = 1.400

15h = 1.425

16h = 1.450

17h = 1.475

18h = 1.500

19h = 1.525

1Ah = 1.550

1Bh = 1.600

1Ch = 1.650

1Dh = 1.700

1Eh = 1.750

1Fh = 1.800

20h = 1.850

21h = 1.900

22h = 1.950

23h = 2.000

24h = 2.050

25h = 2.100

26h = 2.150

27h = 2.200

28h = 2.250

29h = 2.300

2Ah = 2.350

2Bh = 2.400

2Ch = 2.450

2Dh = 2.500

2Eh = 2.550

2Fh = 2.600

30h = 2.650

31h = 2.700

32h = 2.750

33h = 2.800

34h = 2.850

35h = 2.900

36h = 2.950

37h = 3.000

38h = 3.050

39h = 3.100

3Ah = 3.150

3Bh = 3.200

3Ch = 3.250

3Dh = 3.300

3Eh = 3.350

3Fh = 3.400

7.24 SEQ1 寄存器（地址 = 0x20）[复位 = 0x00]

图 7-19 展示了 SEQ1，表 7-25 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

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图 7-19 SEQ1 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
DLY8	DLY7	DLY6	DLY5	DLY4	DLY3	DLY2	DLY1
R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b	R/W-0b

表 7-25 SEQ1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	DLY8	R/W、E2	0b	延迟 8（出现在选通 8 之后、选通 9 之前。） 0b = 2ms 1b = 5ms
6	DLY7	R/W、E2	0b	延迟 7（出现在选通 7 之后、选通 8 之前。） 0b = 2ms 1b = 5ms
5	DLY6	R/W、E2	0b	延迟 6（出现在选通 6 之后、选通 7 之前。） 0b = 2ms 1b = 5ms
4	DLY5	R/W、E2	0b	延迟 5（出现在选通 5 之后、选通 6 之前。） 0b = 2ms 1b = 5ms
3	DLY4	R/W、E2	0b	延迟 4（出现在选通 4 之后、选通 5 之前。） 0b = 2ms 1b = 5ms
2	DLY3	R/W、E2	0b	延迟 3（出现在选通 3 之后、选通 4 之前。） 0b = 2ms 1b = 5ms
1	DLY2	R/W、E2	0b	延迟 2（出现在选通 2 之后、选通 3 之前。） 0b = 2ms 1b = 5ms
0	DLY1	R/W、E2	0b	延迟 1（出现在选通 1 之后、选通 2 之前。） 0b = 2ms 1b = 5ms

7.25 SEQ2 寄存器（子地址 = 0x21）[复位 = 0x00]

图 7-20 展示了 SEQ2，表 7-26 中对此进行了介绍。

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图 7-20 SEQ2 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
DLYFCTR	RESERVED						DLY9
R/W -0b	R-000 000b						R/W -0b

表 7-26 SEQ2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	DLYFCTR	R/W、E2	0b	断电延迟因子： 0b = 1x 1b = 10x（断电期间延迟时间乘以 10 倍。）注意：DLYFCTR 对上电时序没有影响。
6-1	RESERVED	R	000 000b
0	DLY9	R/W、E2	0b	延迟 9（出现在选通 9 之后、选通 10 之前。） 0b = 2ms 1b = 5ms

位

字段

类型

复位

说明

DLYFCTR

R/W、E2

断电延迟因子：

0b = 1x

1b = 10x（断电期间延迟时间乘以 10 倍。）

注意：DLYFCTR 对上电时序没有影响。

6-1

RESERVED

000 000b

DLY9

R/W、E2

延迟 9（出现在选通 9 之后、选通 10 之前。）

0b = 2ms

1b = 5ms

7.26 SEQ3 寄存器（地址 = 0x22）[复位 = 0x98]

图 7-21 展示了 SEQ3，表 7-27 中对此进行了介绍。

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图 7-21 SEQ3 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
DC2_SEQ				DC1_SEQ
R/W-9h				R/W-8h

表 7-27 SEQ3 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-4	DC2_SEQ	R/W、E2	9h	DCDC2 使能选通： 0h = 电源轨不受序列发生器控制。 1h = 电源轨不受序列发生器控制。 2h = 电源轨不受序列发生器控制。 3h = 在选通 3 处启用。 4h = 在选通 4 处启用。 5h = 在选通 5 处启用。 6h = 在选通 6 处启用。 7h = 在选通 7 处启用。 8h = 在选通 8 处启用。 9h = 在选通 9 处启用。 Ah = 在选通 10 处启用。 Bh = 电源轨不受序列发生器控制。 Ch = 电源轨不受序列发生器控制。 Dh = 电源轨不受序列发生器控制。 Eh = 电源轨不受序列发生器控制。 Fh = 电源轨不受序列发生器控制。
3-0	DC1_SEQ	R/W、E2	8h	DCDC1 使能选通： 0h = 电源轨不受序列发生器控制。 1h = 电源轨不受序列发生器控制。 2h = 电源轨不受序列发生器控制。 3h = 在选通 3 处启用。 4h = 在选通 4 处启用。 5h = 在选通 5 处启用。 6h = 在选通 6 处启用。 7h = 在选通 7 处启用。 8h = 在选通 8 处启用。 9h = 在选通 9 处启用。 Ah = 在选通 10 处启用。 Bh = 电源轨不受序列发生器控制。 Ch = 电源轨不受序列发生器控制。 Dh = 电源轨不受序列发生器控制。 Eh = 电源轨不受序列发生器控制。 Fh = 电源轨不受序列发生器控制。

位

字段

类型

复位

说明

7-4

DC2_SEQ

R/W、E2

DCDC2 使能选通：

0h = 电源轨不受序列发生器控制。

1h = 电源轨不受序列发生器控制。

2h = 电源轨不受序列发生器控制。

3h = 在选通 3 处启用。

4h = 在选通 4 处启用。

5h = 在选通 5 处启用。

6h = 在选通 6 处启用。

7h = 在选通 7 处启用。

8h = 在选通 8 处启用。

9h = 在选通 9 处启用。

Ah = 在选通 10 处启用。

Bh = 电源轨不受序列发生器控制。

Ch = 电源轨不受序列发生器控制。

Dh = 电源轨不受序列发生器控制。

Eh = 电源轨不受序列发生器控制。

Fh = 电源轨不受序列发生器控制。

3-0

DC1_SEQ

R/W、E2

DCDC1 使能选通：

0h = 电源轨不受序列发生器控制。

1h = 电源轨不受序列发生器控制。

2h = 电源轨不受序列发生器控制。

3h = 在选通 3 处启用。

4h = 在选通 4 处启用。

5h = 在选通 5 处启用。

6h = 在选通 6 处启用。

7h = 在选通 7 处启用。

8h = 在选通 8 处启用。

9h = 在选通 9 处启用。

Ah = 在选通 10 处启用。

Bh = 电源轨不受序列发生器控制。

Ch = 电源轨不受序列发生器控制。

Dh = 电源轨不受序列发生器控制。

Eh = 电源轨不受序列发生器控制。

Fh = 电源轨不受序列发生器控制。

7.27 SEQ4 寄存器（地址 = 0x23）[复位 = 0x75]

图 7-22 展示了 SEQ4，表 7-28 中对此进行了介绍。

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图 7-22 SEQ4 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
DC4_SEQ				DC3_SEQ
R/W-7h				R/W-5h

表 7-28 SEQ4 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-4	DC4_SEQ	R/W、E2	7h	DCDC4 使能选通： 0h = 电源轨不受序列发生器控制。 1h = 电源轨不受序列发生器控制。 2h = 电源轨不受序列发生器控制。 3h = 在选通 3 处启用。 4h = 在选通 4 处启用。 5h = 在选通 5 处启用。 6h = 在选通 6 处启用。 7h = 在选通 7 处启用。 8h = 在选通 8 处启用。 9h = 在选通 9 处启用。 Ah = 在选通 10 处启用。 Bh = 电源轨不受序列发生器控制。 Ch = 电源轨不受序列发生器控制。 Dh = 电源轨不受序列发生器控制。 Eh = 电源轨不受序列发生器控制。 Fh = 电源轨不受序列发生器控制。
3-0	DC3_SEQ	R/W、E2	5h	DCDC3 使能选通： 0h = 电源轨不受序列发生器控制。 1h = 电源轨不受序列发生器控制。 2h = 电源轨不受序列发生器控制。 3h = 在选通 3 处启用。 4h = 在选通 4 处启用。 5h = 在选通 5 处启用。 6h = 在选通 6 处启用。 7h = 在选通 7 处启用。 8h = 在选通 8 处启用。 9h = 在选通 9 处启用。 Ah = 在选通 10 处启用。 Bh = 电源轨不受序列发生器控制。 Ch = 电源轨不受序列发生器控制。 Dh = 电源轨不受序列发生器控制。 Eh = 电源轨不受序列发生器控制。 Fh = 电源轨不受序列发生器控制。

位

字段

类型

复位

说明

7-4

DC4_SEQ

R/W、E2

DCDC4 使能选通：

0h = 电源轨不受序列发生器控制。

1h = 电源轨不受序列发生器控制。

2h = 电源轨不受序列发生器控制。

3h = 在选通 3 处启用。

4h = 在选通 4 处启用。

5h = 在选通 5 处启用。

6h = 在选通 6 处启用。

7h = 在选通 7 处启用。

8h = 在选通 8 处启用。

9h = 在选通 9 处启用。

Ah = 在选通 10 处启用。

Bh = 电源轨不受序列发生器控制。

Ch = 电源轨不受序列发生器控制。

Dh = 电源轨不受序列发生器控制。

Eh = 电源轨不受序列发生器控制。

Fh = 电源轨不受序列发生器控制。

3-0

DC3_SEQ

R/W、E2

DCDC3 使能选通：

0h = 电源轨不受序列发生器控制。

1h = 电源轨不受序列发生器控制。

2h = 电源轨不受序列发生器控制。

3h = 在选通 3 处启用。

4h = 在选通 4 处启用。

5h = 在选通 5 处启用。

6h = 在选通 6 处启用。

7h = 在选通 7 处启用。

8h = 在选通 8 处启用。

9h = 在选通 9 处启用。

Ah = 在选通 10 处启用。

Bh = 电源轨不受序列发生器控制。

Ch = 电源轨不受序列发生器控制。

Dh = 电源轨不受序列发生器控制。

Eh = 电源轨不受序列发生器控制。

Fh = 电源轨不受序列发生器控制。

7.28 SEQ5 寄存器（地址 = 0x24）[复位 = 0x12]

图 7-23 展示了 SEQ5，表 7-29 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

密码保护。

图 7-23 SEQ5 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED		RESERVED		RESERVED		RESERVED
R-0h		R/W-1h		R-0h		R/W-2h

表 7-29 SEQ5 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位
7-6	RESERVED	R	0h
5-4	RESERVED	R/W、E2	1h
3-2	RESERVED	R	0h
1-0	RESERVED	R/W、E2	2h

7.29 SEQ6 寄存器（地址 = 0x25）[复位 = 0x63]

图 7-24 展示了 SEQ6，表 7-30 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

密码保护。

图 7-24 SEQ6 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
保留				LDO1_SEQ
R/W-6h				R/W-3h

表 7-30 SEQ6 寄存器字段说明

位

字段

类型

复位

说明

7-4

保留

R/W

保留

3-0

LDO1_SEQ

R/W、E2

LDO1 使能选通：

0h = 电源轨不受序列发生器控制。

1h = 电源轨不受序列发生器控制。

2h = 电源轨不受序列发生器控制。

3h = 在选通 3 处启用。

4h = 在选通 4 处启用。

5h = 在选通 5 处启用。

6h = 在选通 6 处启用。

7h = 在选通 7 处启用。

8h = 在选通 8 处启用。

9h = 在选通 9 处启用。

Ah = 在选通 10 处启用。

Bh = 电源轨不受序列发生器控制。

Ch = 电源轨不受序列发生器控制。

Dh = 电源轨不受序列发生器控制。

Eh = 电源轨不受序列发生器控制。

Fh = 电源轨不受序列发生器控制。

7.30 SEQ7 寄存器（地址 = 0x26）[复位 = 0x03]

图 7-25 展示了 SEQ7，表 7-31 中对此进行了介绍。

返回汇总表。

密码保护。

图 7-25 SEQ7 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
GPO2_SEQ				GPO1_SEQ
R/W-0h				R/W-3h

表 7-31 SEQ7 寄存器字段说明

位

字段

类型

复位

说明

7-4

GPO2_SEQ

R/W、E2

GPO2 使能选通：

0h = 电源轨不受序列发生器控制。

1h = 电源轨不受序列发生器控制。

2h = 电源轨不受序列发生器控制。

3h = 在选通 3 处启用。

4h = 在选通 4 处启用。

5h = 在选通 5 处启用。

6h = 在选通 6 处启用。

7h = 在选通 7 处启用。

8h = 在选通 8 处启用。

9h = 在选通 9 处启用。

Ah = 在选通 10 处启用。

Bh = 电源轨不受序列发生器控制。

Ch = 电源轨不受序列发生器控制。

Dh = 电源轨不受序列发生器控制。

Eh = 电源轨不受序列发生器控制。

Fh = 电源轨不受序列发生器控制。

3-0

GPO1_SEQ

R/W、E2

GPO1 使能选通：

0h = 电源轨不受序列发生器控制。

1h = 电源轨不受序列发生器控制。

2h = 电源轨不受序列发生器控制。

3h = 在选通 3 处启用。

4h = 在选通 4 处启用。

5h = 在选通 5 处启用。

6h = 在选通 6 处启用。

7h = 在选通 7 处启用。

8h = 在选通 8 处启用。

9h = 在选通 9 处启用。

Ah = 在选通 10 处启用。

Bh = 电源轨不受序列发生器控制。

Ch = 电源轨不受序列发生器控制。

Dh = 电源轨不受序列发生器控制。

Eh = 电源轨不受序列发生器控制。

Fh = 电源轨不受序列发生器控制。