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ZHCSIX2B October 2018 – January 2026 TPS65216

PRODUCTION DATA

5.5 电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）。

参数		测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
输入电压和电流
V_{IN_BIAS}	输入电源电压范围	正常运行		3.6		5.5	V
V_{IN_BIAS}	输入电源电压范围	EEPROM 编程		4.5		5.5	V
	抗尖峰脉冲时间				5		ms
I_OFF	OFF 状态电流，流入 IN_BIAS、IN_DCDCx、IN_LDO1、IN_LS 的总电流	V_IN = 3.6V；禁用所有电源轨。 T_J = 0°C 至 85°C			5		µA
I_SUSPEND	SUSPEND 状态电流，流入 IN_BIAS、IN_DCDCx、IN_LDO1、IN_LS 的总电流	V_IN = 3.6V；DCDC3 已启用，低功耗模式，无负载。所有其他电源轨已禁用。 T_J = 0°C 至 105°C			220		µA
INT_LDO
V_{INT_LDO}	输出电压				2.5		V
V_{INT_LDO}	DC 精度	I_OUT < 10mA		-2%		2%
I_OUT	输出电流范围	允许的最大外部负载		0		10	mA
I_LIMIT	短路电流限值	输出短接至 GND			23		mA
t_HOLD	保持时间	测量范围为 V_{INT_LDO} = 至 V_{INT_LDO} = 1.8V 在断电前启用所有电源轨， V_{IN_BIAS} = 2.8V 至 0 V，时间 < 5µs INT_LDO 上无外部负载 C_{INT_LDO} = 1µF，请参阅表 8-3。		150			ms
C_OUT	标称输出电容器值	陶瓷、X5R 或 X7R，请参阅表 8-3。		0.1	1	22	µF
C_OUT	容差	陶瓷、X5R 或 X7R，额定电压 ≥ 6.3V		-20%		20%
DCDC1（1.1V 降压）
V_{IN_DCDC1}	输入电压范围	V_{IN_BIAS} > V_UVLO		3.6		5.5	V
V_DCDC1	输出电压范围	可通过 I²C 调节		0.85		1.675	V
V_DCDC1	DC 精度	3.6 V ≤ V_IN ≤ 5.5V；0A ≤ I_OUT ≤ 1.8A		-2%		2%
	动态精度	相对于标称输出电压 I_OUT = 50mA 至 450mA，时间 < 1µs 在整个输入电压范围内，C_OUT ≥ 10µF。		-2.5%		2.5%
I_OUT	持续输出电流	V_{IN_DCDC1} > 3.6V				1.8	A
I_Q	静态电流	来自 I_{N_DCDC1} 引脚的总电流；器件未开关，空载			25	50	µA
R_DS(ON)	高侧 FET 导通电阻	V_{IN_DCDC1} = 3.6V			230	355	mΩ
R_DS(ON)	低侧 FET 导通电阻	V_{IN_DCDC1} = 3.6V			90	145	mΩ
I_LIMIT	高侧电流限值	V_{IN_DCDC1} = 3.6V			2.8		A
I_LIMIT	低侧电流限值	V_{IN_DCDC1} = 3.6V			3.1		A
V_PG	电源正常阈值	V_OUT 下降	STRICT = 0b	88.5%	90%	91.5%
	电源正常阈值	V_OUT 下降	STRICT = 1b	96%	96.5%	97%
	迟滞	V_OUT 上升	STRICT = 0b	3.8%	4.1%	4.4%
	迟滞	V_OUT 上升	STRICT = 1b		0.25%
	抗尖峰脉冲	V_OUT 下降	STRICT = 0b		1		ms
		V_OUT 下降	STRICT = 1b		50		µs
		V_OUT 上升	STRICT = 0b		10		µs
		V_OUT 上升	STRICT = 1b		10		µs
	超时				5		ms
V_OV	过压流检测阈值	V_OUT 上升，STRICT = 1b		103%	103.5%	104%
	迟滞	V_OUT 下降，STRICT = 1b			0.25%
	抗尖峰脉冲	V_OUT 上升，STRICT = 1b			50		µs
I_INRUSH	浪涌电流	V_{IN_DCDC1} = 3.6V；C_OUT = 10µF 至 100µF				500	mA
R_DIS	放电电阻器			150	250	350	Ω
L	标称电感器值	请参阅表 8-2。		1	1.5	2.2	µH
L	容差			-30%		30%
C_OUT	输出电容值	陶瓷、X5R 或 X7R，请参阅表 8-3。		10	22	100⁽¹⁾	µF
DCDC2（1.1V 降压）
V_{IN_DCDC2}	输入电压范围	V_{IN_BIAS} > V_UVLO		3.6		5.5	V
V_DCDC2	输出电压范围	可通过 I²C 调节		0.85		1.675	V
V_DCDC2	DC 精度	3.6 V ≤ V_IN ≤ 5.5V；0A ≤ I_OUT ≤ 1.8A		-2%		2%
	动态精度	相对于标称输出电压 I_OUT = 50mA 至 450mA，时间 < 1µs 在整个输入电压范围内，C_OUT ≥ 10µF		-2.5%		2.5%
I_OUT	持续输出电流	V_{IN_DCDC2} > 3.6V				1.8	A
I_Q	静态电流	来自 I_{N_DCDC2} 引脚的总电流；器件未开关，空载			25	50	µA
R_DS(ON)	高侧 FET 导通电阻	V_{IN_DCDC2} = 3.6V			230	355	mΩ
R_DS(ON)	低侧 FET 导通电阻	V_{IN_DCDC2} = 3.6V			90	145	mΩ
I_LIMIT	高侧电流限值	V_{IN_DCDC2} = 3.6V			2.8		A
I_LIMIT	低侧电流限值	V_{IN_DCDC2} = 3.6V			3.1		A
V_PG	电源正常阈值	V_OUT 下降	STRICT = 0b	88.5%	90%	91.5%
	电源正常阈值	V_OUT 下降	STRICT = 1b	96%	96.5%	97%
	迟滞	V_OUT 上升	STRICT = 0b	3.8%	4.1%	4.4%
	迟滞	V_OUT 上升	STRICT = 1b		0.25%
	抗尖峰脉冲	V_OUT 下降	STRICT = 0b		1		ms
		V_OUT 下降	STRICT = 1b		50		µs
		V_OUT 上升	STRICT = 0b		10		µs
		V_OUT 上升	STRICT = 1b		10		µs
	超时	在 DCDC2 使能时及 DCDC2 寄存器写入（寄存器 0x17）后发生。			5		ms
V_OV	过压流检测阈值	V_OUT 上升，STRICT = 1b		103%	103.5%	104%
	迟滞	V_OUT 下降，STRICT = 1b			0.25%
	抗尖峰脉冲	V_OUT 上升，STRICT = 1b			50		µs
I_INRUSH	浪涌电流	V_{IN_DCDC2} = 3.6V；C_OUT = 10µF 至 100µF				500	mA
R_DIS	放电电阻器			150	250	350	Ω
L	标称电感器值	请参阅表 8-2。		1	1.5	2.2	µH
L	容差			-30%		30%
C_OUT	输出电容值	陶瓷、X5R 或 X7R，请参阅表 8-3。		10	22	100⁽¹⁾	µF
DCDC3（1.2V 降压）
V_{IN_DCDC3}	输入电压范围	V_{IN_BIAS} > V_UVLO		3.6		5.5	V
V_DCDC3	输出电压范围	可通过 I²C 调节		0.9		3.4	V
V_DCDC3	DC 精度	3.6V ≤ V_IN ≤ 5.5V；0A ≤ I_OUT ≤ 1.8A， V_{IN_DCDC3} ≥ (V_DCDC3 + 700mV)		-2%		2%
	动态精度	相对于标称输出电压 I_OUT = 50mA 至 450mA，时间 < 1µs 在整个输入电压范围内，C_OUT ≥ 10µF		-2.5%		-2.5%
I_OUT	持续输出电流	V_{IN_DCDC3} > 3.6V				1.8	A
I_Q	静态电流	来自 IN_DCDC3 引脚的总电流；器件未开关，空载			25	50	µA
R_DS(ON)	高侧 FET 导通电阻	V_{IN_DCDC3} = 3.6V			230	345	mΩ
R_DS(ON)	低侧 FET 导通电阻	V_{IN_DCDC3} = 3.6V			100	150	mΩ
I_LIMIT	高侧电流限值	V_{IN_DCDC3} = 3.6V			2.8		A
I_LIMIT	低侧电流限值	V_{IN_DCDC3} = 3.6V			3		A
V_PG	电源正常阈值	V_OUT 下降	STRICT = 0b	88.5%	90%	91.5%
	电源正常阈值	V_OUT 下降	STRICT = 1b	95%	95.5%	96%
	迟滞	V_OUT 上升	STRICT = 0b	3.8%	4.1%	4.4%
	迟滞	V_OUT 上升	STRICT = 1b		0.25%
	抗尖峰脉冲	V_OUT 下降	STRICT = 0b		1		ms
		V_OUT 下降	STRICT = 1b		50		µs
		V_OUT 上升	STRICT = 0b		10		µs
		V_OUT 上升	STRICT = 1b		10		µs
	超时	在 DCDC3 使能时及 DCDC3 寄存器写入（寄存器 0x18）后发生。			5		ms
V_OV	过压流检测阈值	V_OUT 上升，STRICT = 1b		104%	104.5%	105%
	迟滞	V_OUT 下降，STRICT = 1b			0.25%
	抗尖峰脉冲	V_OUT 上升，STRICT = 1b			50		µs
I_INRUSH	浪涌电流	V_{IN_DCDC3} = 3.6V；C_OUT = 10µF 至 100µF				500	mA
R_DIS	放电电阻器			150	250	350	Ω
L	标称电感器值	请参阅表 8-2。		1.0	1.5	2.2	µH
L	容差			-30%		30%
C_OUT	输出电容值	陶瓷、X5R 或 X7R，请参阅表 8-3。		10	22	100	µF
DCDC4（3.3V 降压/升压）/模拟和 I/O
V_{IN_DCDC4}	输入电压工作范围	V_{IN_BIAS} > V_UVLO，–40°C 至 +105°C		3.6		5.5	V
V_DCDC4	输出电压范围	可通过 I²C 调节		1.175		3.3	V
V_DCDC4	DC 精度	4.2V ≤ V_IN ≤ 5.5V； 3V < V_OUT ≤ 3.4V 0A ≤ I_OUT ≤ 1.6A		-2%		2%
		3.3V ≤ V_IN ≤ 4.2V； 3V < V_OUT ≤ 3.4V 0A ≤ I_OUT ≤ 1.3A		-2%		2%
		2.8V ≤ V_IN ≤ 5.5V； 1.65V < V_OUT ≤ 3V 0A ≤ I_OUT ≤ 1A		-2%		2%
		2.8V ≤ V_IN ≤ 5.5V； 1.175V < V_OUT ≤ 1.65V 0A ≤ I_OUT ≤ 1A		-2.5%		2.5%
	输出电压纹波	PFM 模式已启用； 4.2V ≤ V_IN ≤ 5.5V； 0A ≤ I_OUT ≤ V_OUT = 3.3V					mV_pp
	降压模式下的最小占空比					18%
I_OUT	持续输出电流	V_{IN_DCDC4} = 2.8V，V_OUT = 3.3V				1	A
		V_{IN_DCDC4} = 3.6V，V_OUT = 3.3V				1.3
		V_{IN_DCDC4} = 5V，V_OUT = 3.3V				1.6
I_Q	静态电流	来自 IN_DCDC4 引脚的总电流；器件未开关，空载。			25	50	µA
f_SW	开关频率				2400		kHz
R_DS(ON)	高侧 FET 导通电阻	V_{IN_DCDC3} = 3.6V	IN_DCDC4 至 L4A		166		mΩ
	高侧 FET 导通电阻	V_{IN_DCDC3} = 3.6V	L4B 至 DCDC4		149
	低侧 FET 导通电阻	V_{IN_DCDC3} = 3.6V	L4A 至 GND		142	190
	低侧 FET 导通电阻	V_{IN_DCDC3} = 3.6V	L4B 至 GND		144	190
I_LIMIT	平均开关电流限值	V_{IN_DCDC4} = 3.6V			3000		mA
V_PG	电源正常阈值	V_OUT 下降	STRICT = 0b	88.5%	90%	91.5%
	电源正常阈值	V_OUT 下降	STRICT = 1b	95%	95.5%	96%
	迟滞	V_OUT 上升	STRICT = 0b	3.8%	4.1%	4.4%
	迟滞	V_OUT 上升	STRICT = 1b		0.25%
	抗尖峰脉冲	V_OUT 下降	STRICT = 0b		1		ms
		V_OUT 下降	STRICT = 1b		50		µs
		V_OUT 上升	STRICT = 0b		10		µs
		V_OUT 上升	STRICT = 1b		10		µs
	超时	在 DCDC4 使能时及 DCDC4 寄存器写入（寄存器 0x19）后发生			5		ms
V_OV	过压流检测阈值	V_OUT 上升，STRICT = 1b		104%	104.5%	105%
	迟滞	V_OUT 下降，STRICT = 1b			0.25%
	抗尖峰脉冲	V_OUT 上升，STRICT = 1b			50		µs
I_INRUSH	浪涌电流	V_{IN_DCDC4} = 3.6V ≤ V_INDCDC4 ≤ 5.5V；40µF ≤ C_OUT ≤ 100µF				500	mA
R_DIS	放电电阻器⁽²⁾			150	250	350	Ω
L	标称电感器值	请参阅表 8-2。		1.2	1.5	2.2	µH
L	容差			-30%		30%
C_OUT	输出电容值	陶瓷、X5R 或 X7R，请参阅表 8-3。		40	80	100	µF
LDO1 (1.8V LDO)
V_{IN_LDO1}	输入电压范围	V_{IN_BIAS} > V_UVLO		1.8		5.5	V
I_Q	静态电流	无负载			35		µA
V_OUT	输出电压范围	可通过 I²C 调节		0.9		3.4	V
V_OUT	DC 精度	V_OUT + 0.2V ≤ V_IN ≤ 5.5V；0A ≤ I_OUT ≤ 200mA		-2%		2%
I_OUT	输出电流范围	V_{IN_LDO1} – V_DO = V_OUT		0		200	mA
I_OUT	输出电流范围	V_{IN_LDO1} > 2.7V，V_OUT = 1.8V		0		400	mA
I_LIMIT	短路电流限值	输出短接至 GND		445	550		mA
V_DO	压降电压	I_OUT = 100mA，V_IN = 3.6V				200	mV
V_PG	电源正常阈值	V_OUT 下降	STRICT = 0b	86%	90%	94%
		V_OUT 下降	STRICT = 1b	95%	95.5%	96%
		迟滞，V_OUT 上升	STRICT = 0b	3%	4%	5%
		迟滞，V_OUT 上升	STRICT = 1b		0.25%
	抗尖峰脉冲	V_OUT 下降	STRICT = 0b		1		ms
		V_OUT 下降	STRICT = 1b		50		µs
		V_OUT 上升	STRICT = 0b		10		µs
		V_OUT 上升	STRICT = 1b		10		µs
	超时				5		ms
V_OV	过压流检测阈值	V_OUT 上升，STRICT = 1b		104%	104.5%	105%
	迟滞	V_OUT 下降，STRICT = 1b			0.25%
	抗尖峰脉冲	V_OUT 上升，STRICT = 1b			50		µs
	抗尖峰脉冲	V_OUT 下降，STRICT = 1b			1		ms
R_DIS	放电电阻器			150	250	380	Ω
C_OUT	输出电容值	陶瓷、X5R 或 X7R			22	100	µF
负载开关
V_{IN_LS}	输入电压范围	V_{IN_BIAS} > V_UVLO		1.8		10	V
R_DS(ON)	静态导通电阻	V_{IN_LS} = 9V，I_OUT= 500mA，全温度范围适用				440	mΩ
		V_{IN_LS} = 5V，I_OUT= 500mA，全温度范围适用				526
		V_{IN_LS} = 2.8V，I_OUT= 200mA，全温度范围适用				656
		V_{IN_LS} = 1.8V，I_OUT= 200mA，全温度范围适用				910
I_LIMIT	短路电流限值	V_{IN_LS} > 2.3V，输出短接至 GND	LSILIM[1:0] = 00b	98		126	mA
			LSILIM[1:0] = 01b	194		253
			LSILIM[1:0] = 10b	475		738
			LSILIM[1:0] = 11b	900		1234
		V_{IN_LS} ≤ 2.3V，输出短接至 GND	LSILIM[1:0] = 00b	98		126
			LSILIM[1:0] = 01b	194		253
			LSILIM[1:0] = 10b	475		738
t_BLANK	中断消隐时间	输出短接至 GND，直到中断被触发。			15		ms
R_DIS	输出端的内部放电电阻器⁽²⁾	LSDCHRG = 1		650	1000	1500	Ω
T_OTS	过热关断⁽³⁾			125	132	139	°C
T_OTS	迟滞				10		°C
C_OUT	标称输出电容值	陶瓷、X5R 或 X7R，请参阅表 8-3。		1	100	220	µF
I/O 电平和计时特点
PG_DLY	PGOOD 延迟时间	PGDLY[1:0] = 00b			10		ms
		PGDLY[1:0] = 01b			20
		PGDLY[1:0] = 10b			50
		PGDLY[1:0] = 11b			150
t_DG	抗尖峰脉冲时间	PB 输入	上升沿		100		ms
		PB 输入	下降沿		50		ms
		AC_DET 输入	上升沿		100		µs
		AC_DET 输入	下降沿		10		ms
		PWR_EN 输入	上升沿		10		ms
		PWR_EN 输入	下降沿		100		µs
		GPIO1	上升沿		1		ms
		GPIO1	下降沿		1		ms
		GPIO2	上升沿		5		µs
		GPIO2	下降沿		5		µs
t_RESET	复位时间	PB 输入保持低电平	TRST = 0b		8		s
t_RESET	复位时间	PB 输入保持低电平	TRST = 1b		15		s
V_IH	高电平输入电压	SCL、SDA、GPIO1 和 GPIO2		1.3			V
		AC_DET、PB		0.66 × IN_BIAS
		PWR_EN		1.3
V_IL	低电平输入电压	SCL、SDA、PWR_EN、AC_DET、PB、GPIO1 和 GPIO2		0		0.4	V
V_OL	低电平输出电压	nWAKEUP、nINT、SDA、PGOOD、GPIO1 和 GPIO2；I_SINK = 2mA		0		0.3	V
V_OL	低电平输出电压	nPFO；I_SINK = 2mA		0		0.35	V
V_PFI	电源故障比较器阈值	输入下降			800		mV
	迟滞	输入上升			40		mV
	精度			-4%		4%
	抗尖峰脉冲	输入下降			25		µs
	抗尖峰脉冲	输入上升			10		ms
I_{DC34_SEL}	DC34_SEL 偏置电流	仅在上电时启用。			10		µA
V_{DC34_SEL}	DCDC3 和 DCDC4 上电默认选择阈值	阈值 1			100		mV
		阈值 2			163
		阈值 3			275
		阈值 4			400
		阈值 5			575
		阈值 6			825
		阈值 7			1200
R_{DC34_SEL}	DCDC3 和 DCDC4 上电默认选择电阻值	设置 0		0	0	7.7	kΩ
		设置 1			12.1
		设置 2			20
		设置 3		30.9	31.6	32.3
		设置 4			45.3
		设置 5
		设置 6			95.3
		设置 7			150
I_BIAS	输入偏置电流	SCL、SDA、GPIO1⁽⁴⁾、GPIO2⁽⁴⁾；V_IN = 3.3V			0.01	1	µA
I_BIAS	输入偏置电流	PB、AC_DET、PFI；V_IN = 3.3V				500	nA
I_LEAK	引脚漏电流	nINT、nWAKEUP、nPFO、PGOOD、PWR_EN、GPIO1⁽⁵⁾、GPIO2⁽⁵⁾ V_OUT = 3.3V				500	nA
振荡器
ƒ_OSC	振荡器频率				2400		kHz
ƒ_OSC	频率精度	T_J = -40°C 至 +105°C		-12%		12%
过热关断
T_OTS	过热关断	升高结温		135	145	155	°C
T_OTS	迟滞	降低结温			20		°C
T_WARN	高温警告	升高结温		90	100	110	°C
T_WARN	迟滞	降低结温			15		°C

(1) DCDC1 和 DCDC2 可支持 500µF 的远程电容。

(2) 默认禁用放电功能。

(3) 如果输入电压降至 UVLO 阈值以下，开关将暂时关断。

(4) 配置为输入。

(5) 配置为输出。