ZHCAEQ0 November   2024 INA180 , INA180-Q1 , INA181 , INA181-Q1 , INA183 , INA185 , INA185-Q1 , INA186 , INA186-Q1 , INA190 , INA190-EP , INA190-Q1 , INA191 , INA199 , INA199-Q1 , INA209 , INA210 , INA210-Q1 , INA211 , INA211-Q1 , INA212 , INA212-Q1 , INA213 , INA213-Q1 , INA214 , INA214-Q1 , INA215 , INA215-Q1 , INA216 , INA2180 , INA2180-Q1 , INA2181 , INA2181-Q1 , INA219 , INA2191 , INA220 , INA220-Q1 , INA223 , INA225 , INA225-Q1 , INA226 , INA226-Q1 , INA228 , INA228-Q1 , INA229 , INA229-Q1 , INA2290 , INA230 , INA231 , INA232 , INA233 , INA234 , INA236 , INA237 , INA237-Q1 , INA238 , INA238-Q1 , INA239 , INA239-Q1 , INA240 , INA240-Q1 , INA241A , INA241A-Q1 , INA241B , INA241B-Q1 , INA250 , INA250-Q1 , INA253 , INA253-Q1 , INA254 , INA260 , INA280 , INA280-Q1 , INA281 , INA281-Q1 , INA290 , INA290-Q1 , INA293 , INA293-Q1 , INA296A , INA296A-Q1 , INA296B , INA296B-Q1 , INA300 , INA300-Q1 , INA301 , INA301-Q1 , INA302 , INA302-Q1 , INA303 , INA303-Q1 , INA310A , INA310A-Q1 , INA310B , INA310B-Q1 , INA3221 , INA3221-Q1 , INA381 , INA381-Q1 , INA4180 , INA4180-Q1 , INA4181 , INA4181-Q1 , INA4230 , INA4235 , INA4290 , INA700 , INA740B , INA745A , INA745B , INA745B-Q1 , INA750B , INA780B , INA790A , INA790B , INA791A , LMP8278Q-Q1 , LMP8601 , LMP8601-Q1 , LMP8602 , LMP8602-Q1 , LMP8603 , LMP8603-Q1 , LMP8640 , LMP8640-Q1 , LMP8640HV

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2什么是 ESD、EOS 和闩锁效应？
    1. 2.1 电过应力
    2. 2.2 静电放电
    3. 2.3 闩锁效应
  6. 3电流检测放大器的高风险应用
    1. 3.1 具有过压瞬态浪涌 (EOS) 的应用
    2. 3.2 脉宽调制电流检测风险
    3. 3.3 具有严重电磁干扰的应用
      1. 3.3.1 减少 EMI 感应闩锁效应或噪声的布局最佳实践
        1. 3.3.1.1 正确接地和去耦电容技术
        2. 3.3.1.2 额外的高级布局技术
        3. 3.3.1.3 用于降低噪声的适当输入滤波布局技术
    4. 3.4 CSA 电源（VS 或 GND）引脚悬空的应用
  7. 4总结
  8. 5参考资料

3.3 具有严重电磁干扰的应用

这些应用面临两种不同的风险：电磁干扰 (EMI) 引起的噪声和 EMI 引起的闩锁效应。显然，与信号噪声升高相比，闩锁效应是更严重的结果；然而，推荐用于缓解这两种风险的最佳布局实践是相同的。

尽管 EMI 噪声听起来不危险，但当与不良布局实践结合时，EMI 噪声会增加 CSA 闩锁效应的可能性，尤其是在 VS 引脚处。简单的布局技术可以完全消除该风险。究其原因，还是要回到节 2.3中讨论的防护环，以及内部 ESD 防护环如何在 ESD 防护环溢出基板之前吸收多余的载波，从而帮助防止闩锁效应。简而言之，要确保防护环按预期运行并降低闩锁风险，就必须进行适当的布局。

电机或其他开关 FET 的快速大电压或大电流开关布线是 EMI 噪声的主要来源。因此，当 VS 布线较长并绕过 EMI 源时，VS 引脚可能更容易受到 EMI 耦合的影响。