ZHCAEQ0 November   2024 INA180 , INA180-Q1 , INA181 , INA181-Q1 , INA183 , INA185 , INA185-Q1 , INA186 , INA186-Q1 , INA190 , INA190-EP , INA190-Q1 , INA191 , INA199 , INA199-Q1 , INA209 , INA210 , INA210-Q1 , INA211 , INA211-Q1 , INA212 , INA212-Q1 , INA213 , INA213-Q1 , INA214 , INA214-Q1 , INA215 , INA215-Q1 , INA216 , INA2180 , INA2180-Q1 , INA2181 , INA2181-Q1 , INA219 , INA2191 , INA220 , INA220-Q1 , INA223 , INA225 , INA225-Q1 , INA226 , INA226-Q1 , INA228 , INA228-Q1 , INA229 , INA229-Q1 , INA2290 , INA230 , INA231 , INA232 , INA233 , INA234 , INA236 , INA237 , INA237-Q1 , INA238 , INA238-Q1 , INA239 , INA239-Q1 , INA240 , INA240-Q1 , INA241A , INA241A-Q1 , INA241B , INA241B-Q1 , INA250 , INA250-Q1 , INA253 , INA253-Q1 , INA254 , INA260 , INA280 , INA280-Q1 , INA281 , INA281-Q1 , INA290 , INA290-Q1 , INA293 , INA293-Q1 , INA296A , INA296A-Q1 , INA296B , INA296B-Q1 , INA300 , INA300-Q1 , INA301 , INA301-Q1 , INA302 , INA302-Q1 , INA303 , INA303-Q1 , INA310A , INA310A-Q1 , INA310B , INA310B-Q1 , INA3221 , INA3221-Q1 , INA381 , INA381-Q1 , INA4180 , INA4180-Q1 , INA4181 , INA4181-Q1 , INA4230 , INA4235 , INA4290 , INA700 , INA740B , INA745A , INA745B , INA745B-Q1 , INA750B , INA780B , INA790A , INA790B , INA791A , LMP8278Q-Q1 , LMP8601 , LMP8601-Q1 , LMP8602 , LMP8602-Q1 , LMP8603 , LMP8603-Q1 , LMP8640 , LMP8640-Q1 , LMP8640HV

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2什么是 ESD、EOS 和闩锁效应？
    1. 2.1 电过应力
    2. 2.2 静电放电
    3. 2.3 闩锁效应
  6. 3电流检测放大器的高风险应用
    1. 3.1 具有过压瞬态浪涌 (EOS) 的应用
    2. 3.2 脉宽调制电流检测风险
    3. 3.3 具有严重电磁干扰的应用
      1. 3.3.1 减少 EMI 感应闩锁效应或噪声的布局最佳实践
        1. 3.3.1.1 正确接地和去耦电容技术
        2. 3.3.1.2 额外的高级布局技术
        3. 3.3.1.3 用于降低噪声的适当输入滤波布局技术
    4. 3.4 CSA 电源（VS 或 GND）引脚悬空的应用
  7. 4总结
  8. 5参考资料

3.2 脉宽调制电流检测风险

检测直列式元件意味着分流电阻器位于源极旁边，并受到开关输入共模电压的影响，例如高侧和低侧 FET 之间电机旁边的分流器。对于直列式检测，TI 建议使用具有 PWM 增强抑制功能的电流检测放大器，例如 INA240、INA241、INA253、INA254 和 INA790。从功能上讲，由于交流共模抑制有限，其他 CSA 也不能正常工作，因为这种抑制会产生较大的输出干扰。

H 桥中的电流检测风险图 3-2 H 桥中的电流检测风险

此外，测量 FET 的直列侧甚至低侧可能会使 CSA 受到电感反冲的影响，从而将输入 VCM 拉至 -0.3V 以下。如果在 FET 的低侧使用低侧 CSA（VCM 额定值最小为 GND-0.3V），请注意考虑电感反冲。

虽然假设 FET 接地 (PWRGND) 和 CSA 接地 (AGND) 必须相同，因此 VCM 必须始终为 0V，这似乎很简单，但如果 PWRGND 和 AGND 之间存在高阻抗连接，就不可能做到这一点，因为高阻抗连接会产生接地环路，而电感反冲又会加剧这种情况。

如果测量到低侧 CSA 的电感反冲电压较大，则 CSA 可能需要输入保护，如图 3-1 所示，在低电感反冲电压下不需要 D1和 D2，或者可以使用快速作用的肖特基二极管代替以进行钳位。