ZHCAEQ0 November 2024 INA180 , INA180-Q1 , INA181 , INA181-Q1 , INA183 , INA185 , INA185-Q1 , INA186 , INA186-Q1 , INA190 , INA190-EP , INA190-Q1 , INA191 , INA199 , INA199-Q1 , INA209 , INA210 , INA210-Q1 , INA211 , INA211-Q1 , INA212 , INA212-Q1 , INA213 , INA213-Q1 , INA214 , INA214-Q1 , INA215 , INA215-Q1 , INA216 , INA2180 , INA2180-Q1 , INA2181 , INA2181-Q1 , INA219 , INA2191 , INA220 , INA220-Q1 , INA223 , INA225 , INA225-Q1 , INA226 , INA226-Q1 , INA228 , INA228-Q1 , INA229 , INA229-Q1 , INA2290 , INA230 , INA231 , INA232 , INA233 , INA234 , INA236 , INA237 , INA237-Q1 , INA238 , INA238-Q1 , INA239 , INA239-Q1 , INA240 , INA240-Q1 , INA241A , INA241A-Q1 , INA241B , INA241B-Q1 , INA250 , INA250-Q1 , INA253 , INA253-Q1 , INA254 , INA260 , INA280 , INA280-Q1 , INA281 , INA281-Q1 , INA290 , INA290-Q1 , INA293 , INA293-Q1 , INA296A , INA296A-Q1 , INA296B , INA296B-Q1 , INA300 , INA300-Q1 , INA301 , INA301-Q1 , INA302 , INA302-Q1 , INA303 , INA303-Q1 , INA310A , INA310A-Q1 , INA310B , INA310B-Q1 , INA3221 , INA3221-Q1 , INA381 , INA381-Q1 , INA4180 , INA4180-Q1 , INA4181 , INA4181-Q1 , INA4230 , INA4235 , INA4290 , INA700 , INA740B , INA745A , INA745B , INA745B-Q1 , INA750B , INA780B , INA790A , INA790B , INA791A , LMP8278Q-Q1 , LMP8601 , LMP8601-Q1 , LMP8602 , LMP8602-Q1 , LMP8603 , LMP8603-Q1 , LMP8640 , LMP8640-Q1 , LMP8640HV
闩锁效应 (LU) 是 Vs 和 GND 之间的低阻抗路径，会极大地增加电源电流，并很容易通过持续发热损坏器件。尽管闩锁效应并不总是会造成损坏，但可以通过下电上电来消除。
所有基于 CMOS 或 BiCMOS 或采用结隔离工艺的 IC 中都可能出现闩锁效应，这是因为通过基本用法使用 NMOS 和 PMOS 晶体管时，会存在由 PN 结形成的固有横向寄生晶体管和二极管。
引起闩锁效应的三种方式是过压、电流注入和快速瞬变。在正常器件工作条件下，这些事件可能会导致 ESD 单元被意外激活。如果 ESD 单元由 EOS 或快速边沿瞬变充分触发，可能会导致载波从 ESD 单元涌入器件基板，进而导致闩锁效应。
大多数闩锁效应是 ESD 单元或寄生通路导通造成的。ESD 单元是一个载波容器，当输入端存在触发因素时，载波容器可能会溢出布局和基板。
使用防护环可以缓解 IC 中的闩锁效应。防护环充当载流阱，以防止载波进入器件基板。如果载波太多，闩锁效应可能发生于防护环下方或上方。所有 ESD 单元都可以拥有自己的防护环。
然而，只有当电源引脚为低阻抗，并且去耦电容足够大时，防护环才能正常工作。因此，如果不采用基本布局技术，放大器可能会变得更容易发生闩锁效应。
如需了解更多信息，请参考闩锁效应 白皮书，其中介绍了 IC 闩锁效应的理论和实践。