ZHCAEQ0 November   2024 INA180 , INA180-Q1 , INA181 , INA181-Q1 , INA183 , INA185 , INA185-Q1 , INA186 , INA186-Q1 , INA190 , INA190-EP , INA190-Q1 , INA191 , INA199 , INA199-Q1 , INA209 , INA210 , INA210-Q1 , INA211 , INA211-Q1 , INA212 , INA212-Q1 , INA213 , INA213-Q1 , INA214 , INA214-Q1 , INA215 , INA215-Q1 , INA216 , INA2180 , INA2180-Q1 , INA2181 , INA2181-Q1 , INA219 , INA2191 , INA220 , INA220-Q1 , INA223 , INA225 , INA225-Q1 , INA226 , INA226-Q1 , INA228 , INA228-Q1 , INA229 , INA229-Q1 , INA2290 , INA230 , INA231 , INA232 , INA233 , INA234 , INA236 , INA237 , INA237-Q1 , INA238 , INA238-Q1 , INA239 , INA239-Q1 , INA240 , INA240-Q1 , INA241A , INA241A-Q1 , INA241B , INA241B-Q1 , INA250 , INA250-Q1 , INA253 , INA253-Q1 , INA254 , INA260 , INA280 , INA280-Q1 , INA281 , INA281-Q1 , INA290 , INA290-Q1 , INA293 , INA293-Q1 , INA296A , INA296A-Q1 , INA296B , INA296B-Q1 , INA300 , INA300-Q1 , INA301 , INA301-Q1 , INA302 , INA302-Q1 , INA303 , INA303-Q1 , INA310A , INA310A-Q1 , INA310B , INA310B-Q1 , INA3221 , INA3221-Q1 , INA381 , INA381-Q1 , INA4180 , INA4180-Q1 , INA4181 , INA4181-Q1 , INA4230 , INA4235 , INA4290 , INA700 , INA740B , INA745A , INA745B , INA745B-Q1 , INA750B , INA780B , INA790A , INA790B , INA791A , LMP8278Q-Q1 , LMP8601 , LMP8601-Q1 , LMP8602 , LMP8602-Q1 , LMP8603 , LMP8603-Q1 , LMP8640 , LMP8640-Q1 , LMP8640HV

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2什么是 ESD、EOS 和闩锁效应?
    1. 2.1 电过应力
    2. 2.2 静电放电
    3. 2.3 闩锁效应
  6. 3电流检测放大器的高风险应用
    1. 3.1 具有过压瞬态浪涌 (EOS) 的应用
    2. 3.2 脉宽调制电流检测风险
    3. 3.3 具有严重电磁干扰的应用
      1. 3.3.1 减少 EMI 感应闩锁效应或噪声的布局最佳实践
        1. 3.3.1.1 正确接地和去耦电容技术
        2. 3.3.1.2 额外的高级布局技术
        3. 3.3.1.3 用于降低噪声的适当输入滤波布局技术
    4. 3.4 CSA 电源(VS 或 GND)引脚悬空的应用
  7. 4总结
  8. 5参考资料

正确接地和去耦电容技术

  1. GND 引脚具有到去耦电容器焊盘的直接低阻抗路径。
  2. 从去耦接地焊盘到系统接地覆铜之间存在低阻抗直接路径。
  3. 电源引脚 (VS) 的电源布线必须经过去耦电容器。

图 3-3 是标准 CSA 上电源和输入引脚处正确滤波器布局的示例。C12 是标准 0.1μF 去耦电容器。

 良好的去耦电容布局图 3-3 良好的去耦电容布局

图 3-4 展示了不良布局,其中 GND 引脚和去耦电容器之间具有显著的阻抗,使得该器件易受 EMI 环境中闩锁效应的影响。

 具有引脚到电容器阻抗的不良去耦电容器布局图 3-4 具有引脚到电容器阻抗的不良去耦电容器布局