ZHCAEQ0 November   2024 INA180 , INA180-Q1 , INA181 , INA181-Q1 , INA183 , INA185 , INA185-Q1 , INA186 , INA186-Q1 , INA190 , INA190-EP , INA190-Q1 , INA191 , INA199 , INA199-Q1 , INA209 , INA210 , INA210-Q1 , INA211 , INA211-Q1 , INA212 , INA212-Q1 , INA213 , INA213-Q1 , INA214 , INA214-Q1 , INA215 , INA215-Q1 , INA216 , INA2180 , INA2180-Q1 , INA2181 , INA2181-Q1 , INA219 , INA2191 , INA220 , INA220-Q1 , INA223 , INA225 , INA225-Q1 , INA226 , INA226-Q1 , INA228 , INA228-Q1 , INA229 , INA229-Q1 , INA2290 , INA230 , INA231 , INA232 , INA233 , INA234 , INA236 , INA237 , INA237-Q1 , INA238 , INA238-Q1 , INA239 , INA239-Q1 , INA240 , INA240-Q1 , INA241A , INA241A-Q1 , INA241B , INA241B-Q1 , INA250 , INA250-Q1 , INA253 , INA253-Q1 , INA254 , INA260 , INA280 , INA280-Q1 , INA281 , INA281-Q1 , INA290 , INA290-Q1 , INA293 , INA293-Q1 , INA296A , INA296A-Q1 , INA296B , INA296B-Q1 , INA300 , INA300-Q1 , INA301 , INA301-Q1 , INA302 , INA302-Q1 , INA303 , INA303-Q1 , INA310A , INA310A-Q1 , INA310B , INA310B-Q1 , INA3221 , INA3221-Q1 , INA381 , INA381-Q1 , INA4180 , INA4180-Q1 , INA4181 , INA4181-Q1 , INA4230 , INA4235 , INA4290 , INA700 , INA740B , INA745A , INA745B , INA745B-Q1 , INA750B , INA780B , INA790A , INA790B , INA791A , LMP8278Q-Q1 , LMP8601 , LMP8601-Q1 , LMP8602 , LMP8602-Q1 , LMP8603 , LMP8603-Q1 , LMP8640 , LMP8640-Q1 , LMP8640HV

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2什么是 ESD、EOS 和闩锁效应？
    1. 2.1 电过应力
    2. 2.2 静电放电
    3. 2.3 闩锁效应
  6. 3电流检测放大器的高风险应用
    1. 3.1 具有过压瞬态浪涌 (EOS) 的应用
    2. 3.2 脉宽调制电流检测风险
    3. 3.3 具有严重电磁干扰的应用
      1. 3.3.1 减少 EMI 感应闩锁效应或噪声的布局最佳实践
        1. 3.3.1.1 正确接地和去耦电容技术
        2. 3.3.1.2 额外的高级布局技术
        3. 3.3.1.3 用于降低噪声的适当输入滤波布局技术
    4. 3.4 CSA 电源（VS 或 GND）引脚悬空的应用
  7. 4总结
  8. 5参考资料

2.2 静电放电

静电放电 (ESD) 事件是一种快速高压事件（尖峰时间在数百纳秒内结束），是在将 IC 元件装配到 PCB 上之前或之后，由人和机器对 IC 元件的处理过程中积累的静电荷突然放电造成的。CSA（以及大多数通用放大器）通过 ESD 单元受到保护，不会受到高压和快速边沿 ESD 事件的影响。ESD 单元很复杂，但基本上由吸收器件和体二极管组成。

ESD 单元图 2-1 ESD 单元

对于快速过压事件（正压或负压），将触发 ESD 单元，然后吸收器件可以快速开始吸收越来越大的电流。一旦通过吸收器件的电流足够高，电流就会回弹。但是，如果过压事件的持续时间超过 ESD 为 EOS 设计的时间，并且无法限制流入 ESD 单元的电流，则电流会迅速增加并产生过多热量，从而损坏器件。

请注意，当输入电压降至 -0.3V 以下的某个值时，ESD 单元的体二极管可能变为正向偏置。这就是许多标准低压 CSA 的最小绝对共模电压 (VCM) 额定值为 GND-0.3V 的原因。

图 2-2 展示了 CSA 的通用 ESD 拓扑。

ESD 架构单级 CSA图 2-2 ESD 架构单级 CSA