ZHCAE26 May 2024 BQ769142 , BQ76942 , BQ76952 , BQ76972
低侧栅极驱动通常比高侧驱动更容易实现。由于 FET 的源极连接到 GND,因此如果 FET 是 N 沟道器件,则导通 FET 所需的电压约为 10V。但是,由于源极连接到 GND,当 FET 关断时,电池会变为隔离式 GND,因此通信基准会丢失。虽然可以通过隔离通信来克服这一问题,但这通常成本高昂且会消耗大量能量。
高侧驱动虽然更难实现,但会保持 GND 基准,因此电池和系统之间不会丢失相同的基准,并且能够轻松进行通信,因此性能更好。使用 P 沟道 FET 实现高侧栅极驱动非常简单,因为栅极需要降至低于电池包电压才能导通。不过,P 型 FET 的 Rds,on 通常高于 N 型 FET,因此这些应用中通常不使用 P 型 FET。N 型 FET 确实可以为高侧驱动提供较低的 Rds,on。关键在于,栅极电压必须高于电池包电压。这就需要电压高于电池包的电源以及用于控制的电平转换器。为了实现这一点,通常需要额外的电路,这会增加成本。但是,BQ769x2 系列具有内置电荷泵和高侧驱动器,无需给用户带来额外成本或复杂性,即可实现高侧驱动。