该器件具有以下四种模式:NORMAL、SLEEP、DEEPSLEEP 和 SHUTDOWN。NORMAL 模式用于在施加大负载时以最高性能和最高功耗运行。SLEEP 模式最适合用于故障风险较低的轻负载情况。DEEPSLEEP 模式专为保持 MCU 上电但几乎不做其他操作而优化,功耗极低。SHUTDOWN 模式是功耗最低的模式,非常适合用于长期储存器件。
- NORMAL 模式:所有保护功能均启用,CFET 和 DFET 都可以开启,并且提供恒定电压、电流和温度测量功能,同时 LDO 已启用并可编程。
- SLEEP 模式:大多数保护功能均启用,DFET 开启但 CFET 关闭,ADC 进行间歇采样,LDO 仍在运行,并且器件可以通过电流上升、通信、充电器或复位信号退出 SLEEP 模式。
- DEEPSLEEP 模式:大多数电路均关闭,FET 关断,不进行 ADC 或 CC 采样,保护功能未启用,LDO 仍在运行,并且可以通过通信、充电器或复位信号退出该模式。
- SHUTDOWN 模式:除了唤醒检测器外,所有电路均关闭,不进行测量也不提供保护,LDO 禁用,并且该器件可通过将 TS2 拉至 GND 或连接充电器来退出该模式。