4 静态 PDN 分析（IR 压降优化）

向电路提供可靠电源始终至关重要，因为芯片、封装和电路板系统的每个级别都可能发生 IR 压降。远离其关联电源的元件尤其容易受到 IR 压降的影响，而依赖电池电源的设计必须进一步减小压降，避免不可接受的功率损耗。通过仿真进行的早期直流评估有助于确定配电基础知识，例如电源的理想可用入口点、层堆叠选择以及承载所需电流需要的铜面积的估算。

欧姆定律 (V=IR) 将传导电流与压降相关联，在直流条件下，关系系数是表示导体电阻的常数。导体也会因其电阻而耗散功率。压降和功率耗散都与导体的电阻成正比。静态红外或直流分析/设计方法包括设计配电网络，使应用处理器器件的电源和接地焊盘上的压降（在直流工作条件下）处于标称电压的指定值范围内，以确保器件正常工作。PCB 级静态 IR 压降预算是介于电源管理器件 (PMIC/VRM/SMPS) 的引脚/焊盘 与通过电源管理设备供电的应用处理器器件上的 BGA 焊球 之间进行定义的（请参阅图 4-2）。

考虑到正常器件功能所允许的总系统级裕度，器件 BGA 上允许的电压变化通常指定为标称电压的 2.5%。#T4815344-108⁽¹⁾对于部署遥感功能的器件，电源管理器件反馈/感应线路必须尽可能靠近相关的处理器电源球（请参阅图 4-3），并且在最大电流负载下，在连接到公共电源轨的所有焊球上保持 ≤5mV 的电源输入电压差。5mV 这一最大值表示遥感点与任何关联电源输入之间可能存在的任何电压差（请参阅图 4-4）。