ZHCABL9A February 2015 – April 2022 ESD401 , TPD12S015 , TPD12S015A , TPD12S016 , TPD12S520 , TPD12S521 , TPD13S523 , TPD1E05U06 , TPD1E10B06 , TPD1E10B09 , TPD1S414 , TPD1S514 , TPD2E001 , TPD2E001-Q1 , TPD2E009 , TPD2E1B06 , TPD2E2U06-Q1 , TPD2EUSB30 , TPD2S017 , TPD3S014 , TPD3S044 , TPD4E001-Q1 , TPD4E004 , TPD4E02B04 , TPD4E05U06 , TPD4E05U06-Q1 , TPD4E101 , TPD4E1U06 , TPD4E6B06 , TPD4EUSB30 , TPD4F202 , TPD4S010 , TPD4S014 , TPD4S1394 , TPD4S214 , TPD5S115 , TPD5S116 , TPD6E004 , TPD6E05U06 , TPD6F002-Q1 , TPD6F003 , TPD6F202 , TPD7S019 , TPD8E003 , TPD8F003
在受控 RLC 值以外,PCB 具有固有的寄生效应,对整体电路板性能有益。通常,这种寄生效应对于设计的功能不利。在设计耗除 ESD 的电路时,电感是需要考虑的重要寄生因素。因为(参阅下文“注释 1”)VESD = Vbr_TVS + RDYN(TVS)IESD + L(dIESD/dt),且术语dIESD/dt 非常大,ESD 事件中的强制电流将导致任何电感上的大电压下降。例如,在 IEC 61000-4-2 指定的 8kV ESD 事件中,dIESD/dt = (30A)/(0.8×10-9s) = 4 × 1010A/s。所以即便只有 0.25nH 的电感,也会给系统带来额外的 10V 电压。
图 2-1 中显示了四个寄生电感器:L1 和 L2 是 ESD 源(通常是一个连接器)和 TVS 之间电路中的电感,L3 是 TVS 和接地端之间的电感,L4 是 TVS 和受保护 IC 之间的电感。在不考虑过孔的情况下,电感器 L1 和 L4 通常取决于设计约束,如阻抗控制的信号线。然而,通过使 L4 远大于 L1, IESD 仍可以“转向”到 TVS。通过在 PCB 设计规则允许的情况下将 TVS 布放到接近到 ESD 源的位置,同时使受保护 IC 远离 TVS(例如接近 PCB 中间)来实现这一点。这可以有效产生 L4 >> L1 的效果,帮助将 IESD 分流到 TVS。靠近连接器布放 TVS 也会减轻辐射进系统中的 EMI。在设计良好的系统中, L2 处的电感器是不应该存在的。这表示 TVS 和受保护线路之间存在残桩。应避免这种设计做法。受保护线路应直接从 ESD 源连接到 TVS 的引脚,理想情况是路径上没有过孔。L3 处的电感器表示 TVS 和接地端之间的电感。该电感值应尽可能地降低,并且可能是影响 VESD 的最主要寄生效应。提供给“受保护线路”节点的电压将为 VESD = Vbr_TVS + IESDRDYN(TVS) + (L2 + L3)(dIESD/dt)。因此 PCB 设计人员需要尽可能减少 L3 并消除 L2。尽可能减少 L3 的方法在Topic Link Label2.4 中进行了介绍。尽可能减少 L1 的方法在Topic Link Label2.2 和Topic Link Label2.3 中进行了介绍。