ZHCABL9A February   2015  – April 2022 ESD401 , TPD12S015 , TPD12S015A , TPD12S016 , TPD12S520 , TPD12S521 , TPD13S523 , TPD1E05U06 , TPD1E10B06 , TPD1E10B09 , TPD1S414 , TPD1S514 , TPD2E001 , TPD2E001-Q1 , TPD2E009 , TPD2E1B06 , TPD2E2U06-Q1 , TPD2EUSB30 , TPD2S017 , TPD3S014 , TPD3S044 , TPD4E001-Q1 , TPD4E004 , TPD4E02B04 , TPD4E05U06 , TPD4E05U06-Q1 , TPD4E101 , TPD4E1U06 , TPD4E6B06 , TPD4EUSB30 , TPD4F202 , TPD4S010 , TPD4S014 , TPD4S1394 , TPD4S214 , TPD5S115 , TPD5S116 , TPD6E004 , TPD6E05U06 , TPD6F002-Q1 , TPD6F003 , TPD6F202 , TPD7S019 , TPD8E003 , TPD8F003

 

  1.   ESD 保护布局指南
  2.   商标
  3. 1引言
  4. 2优化 ESD 耗散的 PCB 布局指南
    1. 2.1 优化阻抗以耗除 ESD
    2. 2.2 限制 ESD 带来的 EMI
    3. 2.3 通过过孔进行布线
    4. 2.4 优化 ESD 的接地方案
  5. 3结论
  6. 4修订历史记录

通过过孔进行布线

最好是在 PCB 上从 ESD 源布线到 TVS,而不用通过过孔切换层。图 2-5 显示了两个示例。在第 1 种情况中,ESD 源与 TVS 之间没有过孔,所以 IESD 会被迫进入 TVS 保护引脚,然后经由过孔到达受保护的 IC。在这种情况下,过孔由 L4 表示(图 2-1 中)。在第 2 种情况中,IESD 在受保护 IC 和过孔之间分支并到达 TVS 保护引脚。在这种情况下,过孔由 L2 表示(图 2-1 中)。应避免这种做法。过孔的电感位于 TVS 和从 ESD 源到受保护 IC 的路径之间。这样就有两种不利影响:因为电流会寻找阻抗最小的接地路径,受保护 IC 可能受到 IESD 中电流的冲击,任何通过过孔的电流都会增加提供给受保护 IC 的电压 LVIA(dIESD/dt)。

GUID-92CB44F3-A630-4908-917A-1BA6EC99111A-low.gif图 2-5 通过过孔进行布线

在有些情况下,设计人员别无选择,只能将 TVS 放在与 ESD 源不同的层上。图 2-6 展示了第 3 种情况,这是第 2 种情况的一种变体。在第 3 种情况中,在 IESD 与受保护 IC 建立路径之前,IESD 会被迫进入 TVS 的保护引脚。这对第 2 种情况来说是可以接受的折中方案。

GUID-25B83C24-1BC4-4DE8-BFB7-689C079E0ADF-low.gif图 2-6 通过过孔进行布线

这三种情况代表了在 ESD 源与受保护 IC 之间使用过孔的示例。最好避免采用这种做法,但如有必要,则第 1 种情况是优选方法,应避免第 2 种情况,如果没有替代方法时,则可接受第 3 种情况。

总结

  • 如果可能,避免 ESD 源和 TVS 之间的过孔
  • 如果在 ESD 源和受保护 IC 之间需要过孔,请在使用过孔之前直接从 ESD 源布线到 TVS