仅当 TVS 具有极低电感的接地路径时，成功消除 ESD 源和 TVS 之间的所有寄生电感才会有效。TVS 接地引脚应连接到同一层的接地平面，且该接地平面与直接相邻层上的另一个接地平面耦合。这些接地平面应通过过孔拼接在一起，其中一个过孔紧邻 TVS 的接地引脚（参阅图 2-8）。

图 2-7 显示了单通道 TVS 周围的 PCB 电感（如前文图 2-1 中所示）。本节仅考虑 L₃ 处的电感。请注意，在消除 L₂ 的情况下，在 ESD 事件期间提供给受保护 IC 的电压将为 V_ESD = V_{br_TVS} + I_ESDR_DYN(TVS) + L₃(dI_ESD/dt)，而在 8kV 下，dI_ESD/dt = 4 × 10¹⁰。显然，L₃ 必须尽可能地降低。

为了降低 L₃，TVS 接地引脚最好直接连接到耦合的接地平面。图 2-8 展示了连接到顶层接地平面的 TVS 的接地焊盘。这里有四个拼接过孔，将顶层接地平面与内部接地平面连接。根据层数和电路板设计，这些过孔可能连接到多个接地平面层。接地机箱螺栓位置也非常接近 TVS 接地焊盘。类似这种的接地方案会为 L₃ 带来极低的接地阻抗。

因为封装类型，图 2-8 与某些类型的 TVS 无关。采用 BGA 封装且接地引脚被其他引脚围绕的 TVS 需要通过过孔连接一个内部接地平面，最好是多个耦合的接地平面。图 2-9 展示了一个具有这种接地引脚的 TVS。

需要构建过孔以提供尽可能小的阻抗。由于趋肤效应，最大化 GND 过孔的表面区域可以将接地路径的阻抗最小化。因此，使过孔焊盘直径和过孔钻取直径尽可能大，从而使过孔表面外部和内部的表面积最大化。接地平面在 GND 过孔的临近区域内不应断开。如果可能，将 GND 过孔与多个层上的接地平面连接，以尽可能减少阻抗。GND 过孔应使用非导电填充物（如树脂）而不是导电填充物填充，目的是保留由钻孔产生的过孔内部的表面积。GND 过孔应当电镀在 SMD 焊盘上。GND 过孔和非接地平面（例如电源平面）之间的间隙应保持最小。这会增加电容，而电容可以降低阻抗。