ZHCAAM1B May   2018  – August 2021 MSP430FR2000 , MSP430FR2032 , MSP430FR2033 , MSP430FR2100 , MSP430FR2110 , MSP430FR2111 , MSP430FR2153 , MSP430FR2155 , MSP430FR2310 , MSP430FR2311 , MSP430FR2353 , MSP430FR2355 , MSP430FR2422 , MSP430FR2433 , MSP430FR2475 , MSP430FR2476 , MSP430FR2512 , MSP430FR2522 , MSP430FR2532 , MSP430FR2533 , MSP430FR2632 , MSP430FR2633 , MSP430FR2672 , MSP430FR2673 , MSP430FR2675 , MSP430FR2676 , MSP430FR4131 , MSP430FR4132 , MSP430FR4133 , MSP430FR5720 , MSP430FR5721 , MSP430FR5722 , MSP430FR5723 , MSP430FR5724 , MSP430FR5725 , MSP430FR5726 , MSP430FR5727 , MSP430FR5728 , MSP430FR5729 , MSP430FR5730 , MSP430FR5731 , MSP430FR5732 , MSP430FR5733 , MSP430FR5734 , MSP430FR5735 , MSP430FR5736 , MSP430FR5737 , MSP430FR5738 , MSP430FR5739 , MSP430FR5847 , MSP430FR58471 , MSP430FR5848 , MSP430FR5849 , MSP430FR5857 , MSP430FR5858 , MSP430FR5859 , MSP430FR5867 , MSP430FR58671 , MSP430FR5868 , MSP430FR5869 , MSP430FR5870 , MSP430FR5872 , MSP430FR58721 , MSP430FR5887 , MSP430FR5888 , MSP430FR5889 , MSP430FR58891 , MSP430FR5922 , MSP430FR59221 , MSP430FR5947 , MSP430FR59471 , MSP430FR5948 , MSP430FR5949 , MSP430FR5957 , MSP430FR5958 , MSP430FR5959 , MSP430FR5962 , MSP430FR5964 , MSP430FR5967 , MSP430FR5968 , MSP430FR5969 , MSP430FR59691 , MSP430FR5970 , MSP430FR5972 , MSP430FR59721 , MSP430FR5986 , MSP430FR5987 , MSP430FR5988 , MSP430FR5989 , MSP430FR59891 , MSP430FR5992 , MSP430FR5994 , MSP430FR59941

 

  1.   商标
  2. 1 引言
  3. 2 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 器件的配置
  4. 3 非易失性存储器的系统内编程
    1. 3.1 铁电 RAM (FRAM) 概述
    2. 3.2 FRAM 单元
    3. 3.3 使用 FR4xx 系列中的写保护位保护 FRAM
    4. 3.4 FRAM 存储器等待状态
    5. 3.5 引导加载程序 (BSL)
    6. 3.6 JTAG 和安全性
    7. 3.7 生产编程
  5. 4 硬件迁移注意事项
  6. 5 器件校准信息
  7. 6 重要器件规格
  8. 7 内核架构注意事项
    1. 7.1 电源管理模块 (PMM)
      1. 7.1.1 内核 LDO 和 LPM3.5 LDO
      2. 7.1.2 SVS
      3. 7.1.3 VREF
    2. 7.2 时钟系统
      1. 7.2.1 DCO 频率
      2. 7.2.2 FLL、REFO 和 DCO 抽头
      3. 7.2.3 16MHz 和 24MHz 的 FRAM 访问和按需时钟
    3. 7.3 运行模式、唤醒和复位
      1. 7.3.1 LPMx.5
      2. 7.3.2 复位
    4. 7.4 确定复位原因
    5. 7.5 中断矢量
    6. 7.6 FRAM 和 FRAM 控制器
    7. 7.7 RAM 控制器 (RAMCTL)
  9. 8 外设注意事项
    1. 8.1  FR4xx 和 FR59xx 系列外设的概述
    2. 8.2  端口
      1. 8.2.1 数字输入/输出
      2. 8.2.2 电容式触控 I/O
    3. 8.3  通信模块
    4. 8.4  计时器和红外调制逻辑
    5. 8.5  备用存储器
    6. 8.6  RTC 计数器
    7. 8.7  LCD
    8. 8.8  中断比较控制器 (ICC)
    9. 8.9  模数转换器
      1. 8.9.1 ADC12_B 至 ADC
    10. 8.10 增强型比较器 (eCOMP)
    11. 8.11 运算放大器
    12. 8.12 智能模拟组合 (SAC)
  10. 9 ROM 库
  11. 10结论
  12. 11参考文献
  13. 12修订历史记录

3.1 铁电 RAM (FRAM) 概述

FR4xx MCU 和 FR59xx MCU 都支持 FRAM 非易失性存储器。使用 FRAM 与使用静态 RAM (SRAM) 非常相似。德州仪器 (TI) 的 16 位 MSP430 产品系列中的 MSP430FR57xx MCU 是通用超低功耗 MCU ，将 FRAM 作为嵌入式存储器。

FRAM 的一些关键属性包括：

  • FRAM 具有非易失性。在断电时会保留其内容。
  • MSP430 器件上的嵌入式 FRAM 能够以最高 8MHz 的速度访问（读取或写入）。如果超过 8MHz，在访问 FRAM 时会使用等待状态。
  • 写入 FRAM 和从 FRAM 读取无需设置或准备，如写入操作前的预擦除。
  • FRAM 未分段，可对每个位单独进行擦除、写入和寻址。
  • 在写入之前，无需擦除 FRAM 段。
  • FRAM 写入访问是低功耗操作，因为写入 FRAM 无需电荷泵。
  • FRAM 写入可在器件的整个电压范围内执行。
  • FRAM 写入速度最高可达 8MBps，其典型的写入速度大约为 2MBps。高速写入是该技术的固有特性，而通过消除擦除瓶颈又提高了该速度；擦除瓶颈在其他非易失性存储器技术中是普遍存在的问题。相比之下，包含擦除时间的典型 MSP430 闪存写入速度大约为 14KBps。