在 MCT8329A 中，EEPROM 写入过程如下所示。
- 将 ISD 配置（例如启用重新同步、启用反向驱动、静止检测阈值等）写入寄存器 0x000080 (ISD_CONFIG)。
- 将电机启动配置（例如启动方法、首循环频率、IPD 参数、对齐参数等）写入寄存器 0x000082 (MOTOR_STARTUP1)。
- 将电机启动配置（例如开环加速、最小占空比等）写入寄存器 0x000084 (MOTOR_STARTUP2)。
- 将电机控制配置（例如闭环加速、PWM 频率、PWM 调制等）写入寄存器 0x000086 (CLOSED_LOOP1)。
- 将电机控制配置（例如 FG 信号参数、电机停止选项等）写入寄存器 0x000088 (CLOSED_LOOP2)。
- 将电机控制配置（例如动态去磁参数、BEMF 阈值、占空比阈值等）写入寄存器 0x00008A (CLOSED_LOOP3)。
- 将电机控制配置（例如快速减速参数，包括快速减速占空比阈值、窗口、电流限值等）写入寄存器 0x00008C (CLOSED_LOOP4)。
- 将电机控制配置（例如速度环路参数，包括闭环模式、饱和限值、Kp、Ki 等）写入寄存器 0x00008E (CONST_SPEED)。
- 将电机控制配置（例如输入功率调节参数，包括最大功率、恒定功率模式、功率级别滞后、最大速度等）写入寄存器 0x000090 (CONST_PWR)。
- 将故障控制配置（例如 CBC、锁定电流限值和操作、重试次数等）写入寄存器 0x000092 (FAULT_CONFIG1)。
- 将故障控制配置（例如 OV、UV 限值和操作、异常速度水平、电机锁定设置等）写入寄存器 0x000094 (FAULT_CONFIG2)。
- 将 150o 调制的 PWM 占空比配置写入寄存器 0x000096 和 0x000098（150_DEG_TWO_PH_PROFILE 和 150_DEG_THREE_PH_PROFILE）。
- 将输入曲线配置（例如曲线类型、占空比、钳位电平等）写入寄存器 0x00009A、0x00009C、0x00009E、0x0000A0、0x0000A2、0x0000A4（REF_PROFILES1 至 REF_PROFILES6）。
- 将 DIR、BRAKE、DACOUT 等引脚配置写入寄存器 0x0000A6 和 0x0000A8（PIN_CONFIG1 和 PIN_CONFIG2）。
- 将器件配置（例如器件模式、启用外部时钟、时钟源、输入 PWM 频率范围等）写入寄存器 0x0000AA (DEVICE_CONFIG)。
- 将栅极驱动器配置（例如 CSA 配置、栅极驱动器保护等）写入寄存器 0x0000AC 和 0x0000AE（GD_CONFIG1 和 GD_CONFIG2）。
- 将 0x8A500000 写入寄存器 0x0000E6，以将影子寄存器 (0x000080-0x0000AE) 值写入 EEPROM。
- 等待 300ms 以便 EEPROM 写入操作完成。
可以根据需要修改的寄存器/参数选择性地执行步骤 1-16。在所有影子寄存器都更新为所需的值后，应执行步骤 17 将影子寄存器的内容复制到 EEPROM 中。
注： 不得更改 EEPROM 保留位字段的默认设置。为避免更改保留位的内容，TI 建议使用“读取-修改-写入”顺序来执行 EEPROM 写入操作。