ZHCSOF1A July   2023  – September 2023 LM74912-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵
      2. 8.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 8.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 8.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 8.3.3 短路保护（CS+、CS- 和 ISCP）
      4. 8.3.4 过压保护和电池电压检测（SW、OV、UVLO）
      5. 8.3.5 低 IQ 睡眠模式（SLEEP、SLEEP_OV）
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 9.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 9.2.2 汽车反向电池保护
        1. 9.2.2.1 输入瞬态保护：ISO 7637-2 脉冲 1
        2. 9.2.2.2 交流叠加输入整流：ISO 16750-2 和 LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 输入微短路保护：LV124 E-10
      3. 9.2.3 详细设计过程
        1. 9.2.3.1 设计注意事项
        2. 9.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 9.2.3.3 输入、电源和输出电容
        4. 9.2.3.4 保持电容
        5. 9.2.3.5 过压保护和电池监测器
        6. 9.2.3.6 选择短路电流阈值
          1. 9.2.3.6.1 缩放电阻器 RSET 和短路保护电阻器 RISCP 的选型
      4. 9.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS 选择
      7. 9.2.7 应用曲线
    3. 9.3 优秀设计实践
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 瞬态保护
      2. 9.4.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
      3. 9.4.3 适用于 24V 电池系统的 TVS 选型
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6 开关特性

TJ = –40°C 至 +125°C；TJ = 25°C、V(A) = V(OUT) = V(VS) = 12V、C(CAP) = 0.1µF、V(EN)、V(SLEEP) = 2V 时的典型值，在自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
tDGATE_OFF(dly) 反向电压检测期间的 DGATE 关断延迟 V(A) – V(C) = +30mV 至 –100mV 至 V(DGATE–A) < 1V，C(DGATE–A) = 10nF 0.5 0.95 µs
tDGATE_ON(dly) 正向电压检测期间的 DGATE 导通延迟 V(A) – V(C) = –20mV 至 +700mV 至 V(DGATE–A) > 5V，C(DGATE–A) = 10nF 0.8 1.6 µs
tEN(dly)_DGATE 器件启用期间的 DGATE 导通延迟 EN↑ 至 V(DGATE–A) > 5V 185 270 µs
tUVLO_OFF(deg)_HGATE UVLO 期间 HGATE 关断抗尖峰脉冲 UVLO ↓ 至 HGATE ↓  5 7 µs
tUVLO_ON(deg)_HGATE UVLO 期间 HGATE 导通抗尖峰脉冲 UVLO ↑ 至 HGATE ↑ 7 µs
tOVP_OFF(deg)_HGATE OV 期间的 HGATE 关断抗尖峰脉冲 OV ↑ 至 HGATE ↓，C(HGATE–OUT) = 4.7nF 4 7 µs
tOVP_ON(deg)_HGATE OV 期间的 HGATE 导通抗尖峰脉冲 OV ↓ 至 HGATE ↑ 7 µs
tSCP_DLY 短路保护关闭延迟 (VCS+–VISCP) = 0mV 至 100mV，HGATE↓，C(HGATE–OUT) = 10nF
 		 2 4.5 µs
tFLT_ASSERT 短路情况下的故障置位延迟 (VCS+–VISCP)↑ 至 FLT↓
 		 2.5 µs
tFLT_DE-ASSERT 故障取消置位延迟 (VCS+–VISCP)↓ 至 FLT↑ 3.5 µs
tSLEEP_OCP_LATCH 睡眠 OCP 锁存延迟 SLEEP = 低电平，EN = 高电平 3.5 7.5 µs
tSLEEP_OV_OFF 睡眠模式下的过压关断响应延迟  SLEEP = 低电平，EN = 高电平 3.5 µs
tSLEEP_MODE_ENTRY 睡眠模式进入延迟 SLEEP = 低电平，EN = 高电平 100 µs