ZHCSOF1A July 2023 – September 2023 LM74912-Q1
PRODUCTION DATA
对于 24V 电池保护应用，需要更改图 9-1 中的 TVS 和 MOSFET 以满足 24V 电池要求。
TVS+ 的击穿电压应高于 48V 快速启动电压，低于 LM74912-Q1 阳极和使能引脚的绝对最大额定值 (70V)，并应承受 65V 抑制负载突降。TVS- 的击穿电压应低于最大电池反向电压 –32V，以免 TVS- 因长时间接触反接电池而受损。
在 ISO 7637-2 脉冲 1 期间，当发生器阻抗为 50Ω 时，输入电压可上升至 –600V。这意味着流经 TVS- 的电流为 12A。TVS- 的钳位电压不能与 12V 电池保护电路的钳位电压相同，因为在 ISO 7637-2 脉冲期间，所见的阳极至阴极电压等于（- TVS 钳位电压 + 输出电容器电压）。对于 24V 电池应用，最大电池电压为 32V，那么 TVS- 的钳位电压不应超过 85V – 32V = 53V。
单路双向 TVS 不能用于 24V 电池保护，因为 TVS+ 的击穿电压 ≥ 65V，最大钳位电压 ≤ 53V，钳位电压不能小于击穿电压。需要在输入端使用两个背对背连接的单向 TVS。对于正极侧 TVS+，建议使用击穿电压为 64.4V（最小值）、67.8V（典型值）的 SMBJ58A。对于负极侧 TVS-，建议使用击穿电压接近 32V（可承受最大电池反向电压 –32V）、最大钳位电压为 42.1V 的 SMBJ28A。
对于 24V 电池保护，建议使用额定电压为 75V 的 MOSFET，并搭配使用在输入端背对背连接的 SMBJ28A 和 SMBJ58A。