ZHCSOF1A July 2023 – September 2023 LM74912-Q1
PRODUCTION DATA
引脚 | 类型(1) | 说明 | |
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名称 | 编号 | ||
DGATE | 1 | O | 二极管控制器栅极驱动输出。连接到外部 MOSFET 的栅极。 |
A) | 2 | I | 理想二极管的阳极。连接到外部 MOSFET 的源极。 |
SW | 3 | I | 电压检测断开开关端子。A 和 SW 通过开关在内部连接。使用 SW 作为电池检测或 OV 电阻梯网络的顶部连接点。当 EN/SLEEP 被拉至低电平时,该开关关断以断开电阻梯与电池线路的连接,从而切断漏电流。如果未使用 A 和 SW 之间的内部断开开关,则 SW 引脚可保持悬空或拉至 A。 |
UVLO | 4 | I | 可调节欠压阈值输入。在 SW 与 UVLO 端子到 GND 之间连接一个电阻梯。当 UVLO 上的电压低于欠压切断阈值时,HGATE 被拉至低电平,从而关断 HSFET。当检测电压高于 UVLO 下降阈值时,HGATE 导通。 |
OV | 5 | I | 可调节过压阈值输入。在 SW 与 OV 端子之间连接一个电阻梯。当 OV 上的电压超过过压切断阈值时,HGATE 被拉至低电平,从而关断 HSFET。当检测电压低于 OV 下降阈值时,HGATE 导通。 |
EN | 6 | I | EN 输入。连接到 VS 引脚以实现常开运行。可通过微控制器 I/O 从外部驱动。将其拉至低于 V(ENF) 的低电平可使器件进入低 Iq 关断模式。 |
SLEEP | 7 | I | 低电平有效睡眠模式输入。可以由微控制器驱动。当被拉低时,该器件会进入低功耗状态,并且电荷泵和栅极驱动关闭。内部旁路开关以有限电流能力提供输出电压。不使用时,应连接到 EN 或 VS。 |
N.C. | 8 | — | 无连接。保持该引脚悬空。 |
N.C. | 9 | — | 无连接。保持该引脚悬空。 |
N.C. | 10 | — | 无连接。保持该引脚悬空。 |
N.C. | 11 | — | 无连接。保持该引脚悬空。 |
FLT | 12 | O | 开漏故障输出。在发生欠压、过压或输出短路事件时,FLT 引脚会被拉至低电平。 |
GND | 13 | G | 连接到系统接地平面。 |
HGATE | 14 | O | HSFET 的栅极驱动器输出。连接到外部 FET 的栅极。 |
OUT | 15 | I | 连接到输出电源轨(外部 MOSFET 源极)。 |
SLEEP_OV | 16 | I | 睡眠模式过压保护引脚。将此引脚连接到 Vs 以实现过压切断功能。连接到 OUT 以实现过压钳位功能。 |
N.C. | 17 | — | 无连接。保持该引脚悬空。 |
ISCP | 18 | I | 电流检测负输入,用于实现可调节的短路保护。当 ISCP 连接到输出时,该器件会根据 50mV 典型内部固定阈值监测 CS+ 与 ISCP 引脚之间的外部 HFET 压降。 |
CS– | 19 | I | 电流检测放大器电源输入。 |
CS+ | 20 | I | 电流检测正输入,用于实现可调节的短路保护。 |
N.C. | 21 | — | 无连接。保持该引脚悬空。 |
VS | 22 | P | IC 的输入电源。将 VS 连接到共漏极背对背 MOSFET 配置的中点。在 VS 和 GND 引脚之间连接一个 100nF 电容器。 |
CAP | 23 | O | 电荷泵输出。在 CAP 和 VS 引脚之间连接一个 100nF 电容器。 |
C | 24 | I | 理想二极管的阴极。连接到外部 MOSFET 的漏极。 |
RTN | 散热焊盘 | — | 将外露焊盘保持悬空。不要连接到 GND 平面。 |