ZHCSOF1A July   2023  – September 2023 LM74912-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵
      2. 8.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 8.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 8.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 8.3.3 短路保护（CS+、CS- 和 ISCP）
      4. 8.3.4 过压保护和电池电压检测（SW、OV、UVLO）
      5. 8.3.5 低 IQ 睡眠模式（SLEEP、SLEEP_OV）
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 9.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 9.2.2 汽车反向电池保护
        1. 9.2.2.1 输入瞬态保护：ISO 7637-2 脉冲 1
        2. 9.2.2.2 交流叠加输入整流：ISO 16750-2 和 LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 输入微短路保护：LV124 E-10
      3. 9.2.3 详细设计过程
        1. 9.2.3.1 设计注意事项
        2. 9.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 9.2.3.3 输入、电源和输出电容
        4. 9.2.3.4 保持电容
        5. 9.2.3.5 过压保护和电池监测器
        6. 9.2.3.6 选择短路电流阈值
          1. 9.2.3.6.1 缩放电阻器 RSET 和短路保护电阻器 RISCP 的选型
      4. 9.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS 选择
      7. 9.2.7 应用曲线
    3. 9.3 优秀设计实践
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 瞬态保护
      2. 9.4.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
      3. 9.4.3 适用于 24V 电池系统的 TVS 选型
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）

A、C、DGATE 由理想二极管级组成。将外部 MOSFET 的源极连接到 A，将漏极连接到 C，将栅极连接到 DGATE。LM74912-Q1 具有低至 –65V 的集成反向输入保护功能。

启用 DGATE 驱动器之前，必须满足以下条件：

  • EN 和 SLEEP 引脚电压必须大于指定的输入高电压。
  • CAP 至 VS 电压必须大于欠压锁定电压。
  • A 引脚上的电压必须大于 VA POR 上升阈值。
  • VS 引脚上的电压必须大于 VS POR 上升阈值。
如果未达到上述条件，则 DGATE 引脚从内部连接到 A 引脚，确保外部 MOSFET 被禁用。

在 LM74912-Q1 中，在 A 引脚和 C 引脚之间持续监测 MOSFET 两端的压降，并根据需要调节 DGATE 至 A 电压，以将正向压降稳定在 10.5mV（典型值）。该闭环调节方案可在反向电流事件中支持 MOSFET 平稳关断，并确保零直流反向电流。该方案可确保在慢速输入电压斜降测试期间实现稳健的性能。除了线性稳压放大器方案外，LM74912-Q1 还集成了快速反向电压比较器。当 A 和 C 上的压降达到 V(AC_REV) 阈值时，DGATE 在 0.5µs（典型值）内变为低电平。这种快速反向电压比较器方案可确保在输入微短路等快速输入电压斜降测试期间实现稳健性能。当 A 和 C 之间的电压在 0.8µs（典型值）内达到 V(AC_FWD) 阈值时，外部 MOSFET 重新导通。